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    <title>半导体微社区 - 第三代半导体</title>
    <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=forumdisplay&amp;fid=38</link>
    <description>Latest 20 threads of 第三代半导体</description>
    <copyright>Copyright(C) 半导体微社区</copyright>
    <generator>Discuz! Board by Discuz! Team</generator>
    <lastBuildDate>Tue, 21 Jul 2026 20:42:26 +0000</lastBuildDate>
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      <title>半导体微社区</title>
      <link>https://club.iccourt.com/</link>
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    <item>
      <title>[半导体在线] 会议通知 || 2026年第二届氧化镓技术与产业发展研讨会</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=10333</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/OeIMqLXmijA8q07hVeyy1A

会议通知 || 2026年第二届氧化镓技术与产业发展研讨会
点击阅读原文，立即报名第二届先进光子术研讨会！]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Fri, 17 Jul 2026 07:59:19 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[晏小北] JFET宽度对沟槽栅SiC MOSFET短路能力之影响</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9801</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/Li1lEAPtrztcu5B_rXOa4w

JFET宽度对沟槽栅SiC MOSFET短路能力之影响

制备两款沟道结构相同、JFET区设计不同的沟槽栅SiC MOSFET器件A和B，对比短路能力 ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Mon, 13 Jul 2026 13:30:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[晏小北] SiC MOSFET体二极管导通诱发双极退化研究</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9800</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/nTvT0oxzcei_Kl9Be4y5YQ

SiC MOSFET体二极管导通诱发双极退化研究

基于商用1.2kV SiC MOSFET，研究SiC MOSFET体二极管导通诱发双极退化问题]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Mon, 13 Jul 2026 13:30:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[国产碳化硅] SiC MOS硬扛3倍负载1秒可行吗？深度热学分析</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9814</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/I131xiLEAXeSx1t8xNWr9w

SiC MOS硬扛3倍负载1秒可行吗？深度热学分析

SiC MOS硬扛3倍负载1秒可行吗？深度热学分析]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Mon, 13 Jul 2026 10:11:54 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[碳化硅内参] 再战IPO！飞仕得能否成为下一个联讯仪器？</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9817</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/RBkv4NW4ZbpLzY2Ezu5fcQ

再战IPO！飞仕得能否成为下一个联讯仪器？

时间会把套利者和深耕者筛得清清楚楚]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Mon, 13 Jul 2026 03:57:14 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[行家说三代半] 该GaN项目一期封顶，预计年内投产</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9827</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/U_QKSMGsINE3Ss4jpTk2iA

该GaN项目一期封顶，预计年内投产

2025年营收10.2亿元]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Mon, 13 Jul 2026 01:00:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[行家说三代半] 3个SiC项目建设提速，合计投资近25亿</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9826</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/h-gzAzlR3bg50uM8cq5Qbg

3个SiC项目建设提速，合计投资近25亿

博涛创芯、悟凡科技、河南创研]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Mon, 13 Jul 2026 01:00:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[晏小北] Microchip 3.3kV HV‑D3 SiC功率模块</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9802</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/9-B_uHAVqUGxjoBARmEJ7w

Microchip 3.3kV HV‑D3 SiC功率模块

Microchip推出3.3kV HV‑D3 SiC功率模块，旨在加速超大规模 AI 数据中心及其他高压电力设备的固态变压器（SST）商用落地进程，

该产品在行业通用 ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Sun, 12 Jul 2026 23:30:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] 电力电子的下一个前沿领域研讨(苏黎世联邦理工)</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9780</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/eVv3KmlsiiQ2070GcWSX-A

电力电子的下一个前沿领域研讨(苏黎世联邦理工)

碳化硅MOS，宽禁带半导体，固态变压器SST，SiC模块，AC/DC-DC/DC-DC/AC]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Sun, 12 Jul 2026 01:58:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[碳化硅技术] —种优化动态特性SiC MOSFET模型及其在高压固态开关的应用</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9290</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/ZLaMit-T6wXHen59oxJybQ

—种优化动态特性SiC MOSFET模型及其在高压固态开关的应用

为设计一款保护J-TEXT托卡马克电子回旋管的高压固态开关，新型宽禁带半导体SiC-MOSFET凭借低开关损耗、高耐压和MHz级别的开 ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Sat, 11 Jul 2026 09:22:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[芯氮鎵速记] 很多人认为CMP只是抛光，其实它决定了GaN HEMT能做到什么水平</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9302</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/J6Kv2l6vdbBnJZYMUuxI2Q

很多人认为CMP只是抛光，其实它决定了GaN HEMT能做到什么水平

在传统CMOS时代，CMP是一项平坦化工艺；而在GaN HEMT中，它已经逐渐演变成一项影响器件制造能力的重要工艺。不仅影响后续 ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Fri, 10 Jul 2026 12:00:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[三代半食堂] 阳光电源 EnerNeo 新产品发布：一台发布即可售的固态变压器</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9301</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/CItwD2ax6_AZUIQoUiTQQw

阳光电源 EnerNeo 新产品发布：一台发布即可售的固态变压器

阳光电源首款全自研 EnerNeo SST 在合肥亮相，发布即可售、首批订单落地，背后指向 AIDC 供电从低压配电向中压直挂和 800V  ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Fri, 10 Jul 2026 07:09:26 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] 宽输入范围、全范围 ZVS 的高效率 BBLLC-LLC混合变换器的 DCX 工作模式研究</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9295</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/OyIr7jpyChCIE3GtZi5smg

宽输入范围、全范围 ZVS 的高效率 BBLLC-LLC混合变换器的 DCX 工作模式研究

Buck-boost LLC；LLC-DCX；SiC MOS；Sigma 变换器；部分能量传输；碳化硅模块；固态变压器SST，宽禁带半导 ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Fri, 10 Jul 2026 03:15:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[芯氮鎵速记] 90%的GaN工程师，都把钝化层理解错了！真正影响Dynamic Ron的，其实不是PI</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9303</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/CORmIbWfKsZ7MWeyB8WENg

90%的GaN工程师，都把钝化层理解错了！真正影响Dynamic Ron的，其实不是PI

\&quot;SiN决定电子学可靠性，PI决定机械可靠性；真正优秀的GaN HEMT，靠的是整套可靠性架构，而不是某一种材料。 ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Wed, 08 Jul 2026 12:00:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[芯氮鎵速记] 爆肝8小时DHTOL测试！650V SiC与GaN极限对决，真实数据打碎“完美”滤镜</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9304</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/dLvF__ZwNK_5LtQWB9Qt5g

爆肝8小时DHTOL测试！650V SiC与GaN极限对决，真实数据打碎“完美”滤镜

本文基于DHTOL测试研究，深度对比了650V商用Trench SiC MOSFET与p-GaN HEMT在极限工况下的表现。测试显示，在 ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Mon, 06 Jul 2026 12:00:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[芯氮鎵速记] 为什么功率GaN HEMT爱用铜线，而不是铝线？</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9305</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/ajNx6bHKWquwlo78jCEnYw

为什么功率GaN HEMT爱用铜线，而不是铝线？

最准确的说法不是“铜比铝更好”，而是：GaN的高频开关、高功率密度、低阈值、无体二极管和对Source寄生电感的敏感性，决定了封装互连必须 ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Fri, 03 Jul 2026 12:00:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[芯氮鎵速记] 大理，第二届半导体物理与电子器件创新会议！</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9306</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/EPy0yGIdR6y3RXl7mLMJIA

大理，第二届半导体物理与电子器件创新会议！

大理，第二届半导体物理与电子器件创新会议！]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Thu, 02 Jul 2026 12:00:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[芯氮鎵速记] 慕尼黑电子展上的GaN玩家</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9307</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/FRysJFZxP-g4q5tFZwnpYQ

慕尼黑电子展上的GaN玩家

今年慕尼黑上海电子展，国产GaN的玩家来了三家，格晶半导体，镓未来，云镓，希望未来各种展会都有中国GaN的身影#慕尼黑电子展上海#功率半导体#GaN #GaN Hemt ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Wed, 01 Jul 2026 08:38:48 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[芯氮鎵速记] 最终日程已定，来看看嵌埋式封装有哪些技术是GaN HEMT可以借用</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9308</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/1B8DCV6a1TKbrv5KfOI76w

最终日程已定，来看看嵌埋式封装有哪些技术是GaN HEMT可以借用]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Mon, 29 Jun 2026 12:00:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>[碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] ETH Zürich固态变压器SST技术研讨七：架构与核心设计（近年高校 / 企业 SST 研发成果精选）</title>
      <link>https://club.iccourt.com/forum.php?mod=viewthread&amp;tid=9296</link>
      <description><![CDATA[微信公众号资讯文章精选：

https://mp.weixin.qq.com/s/rW36gKYW7G_4_nsjl9ky4Q

ETH Zürich固态变压器SST技术研讨七：架构与核心设计（近年高校 / 企业 SST 研发成果精选）

固态变压器SST，碳化硅模块，PET,碳化硅MOS，智能变压器，DAB/CHB，AC/DC-DC/DC-DC/AC ...]]></description>
      <category>第三代半导体</category>
      <author>zyadmin</author>
      <pubDate>Fri, 26 Jun 2026 03:18:00 +0000</pubDate>
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