查看: 1|回复: 0

[SiC产学研] 最易懂的SiC MOSFET 芯片结构解说

[复制链接]

3

主题

4

回帖

95

积分

管理员

积分
95
发表于 2026-3-23 08:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
微信公众号资讯文章精选:
https://mp.weixin.qq.com/s/8yEZmtfShBHjC_75dH7NTA

聊起MOSFET芯片结构,很多人一看到密密麻麻的示意图就头大——各种N+、N-、P+、氧化层、栅极标注,仿佛在看天书。其实不用慌,我们先跳出复杂的图纸,用“Less is more”的思路,从核心需求出发,就能轻松搞懂它的核心结构。首先明确一个前提:MOSFET分为平面导通型和垂直导通型,但平面导通型并不适合高压大电流的车载场景,所以今天我们重点聚焦「垂直导通型MOSFET」。很多人看垂直MOSFET的芯片结构,比如下图,(这里特指芯片cell,芯片边缘edge设计另有讲究,暂不展开),第一眼全是细节,越看越乱。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关注公众号

相关侵权、举报、投诉及建议等,请发 E-mail:admin@iccourt.com

Powered by Discuz! X5.0 © 2001-2026 Discuz! Team.|沪ICP备16025735号-2

在本版发帖
联系社区团长
QQ客服返回顶部