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功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

  • [半导体工艺知识站] 功率器件的钝化层|一层介质,四个身份
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/GWVCpUtDTXKo8cMpTxP-TQ 功率器件的钝化层|一层介质,四个身份 功率器件的表面钝化层,常被当成最后盖上去的一层保护膜。
    00 zyadmin 发表于 2026-6-15 功率器件
  • [功率半导体器件] 功率器件的热阻测试方法:美国军用标准MIL-STD-750E
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/Oep9K4I7VeMjEGmtROPkmg 功率器件的热阻测试方法:美国军用标准MIL-STD-750E 相关文章:功率器件热学参数-热阻功率器件热阻测试方法:IEC60747-9标准下的小电流下饱和压降法美国军用标 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-15 功率器件
  • [锐芯闻] 从MEMS 、GaN、硅光子新兴领域,看半导体混合集成与单片集成的变革
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/aEonkK1lygQUcPO4-VIPwQ 从MEMS 、GaN、硅光子新兴领域,看半导体混合集成与单片集成的变革
    00 zyadmin 发表于 2026-6-15 功率器件
  • [SiC产学研] <总结篇> 最易懂的SiC MOSFET 芯片结构解说
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/q6kezOPX9jWDqrrxSe5rQA 这篇是对过去几期内容的系统梳理。文章初衷是写给应用端的工程师、大学生,以及一切对芯片感兴趣但没有器件设计背景的人。所以写作时去掉了大量专业术语,逻辑顺序也为此做了专门安排。如果读完还有地方没懂,欢迎在评论区指出——那正是作者 ...
    0155 zyadmin 发表于 2026-6-15 功率器件
  • [晏小北] 集成智能保护功能的GaN半桥栅极驱动器
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/CbVFVfnx0SrYUx61FPNZ7A 集成智能保护功能的GaN半桥栅极驱动器 意法半导体推出 STDRIVEG212、STDRIVEG612 两款 GaN 半桥驱动芯片, 两款产品分别适配最高 220V、600V 母线,为增强型 GaN HEMT提供精准5V驱动电压,助力电源与伺服设备小型化、高效率化。 器件采用QF ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-15 功率器件
  • [碳化硅芯片学习笔记] 碳化硅超结之—浮空P柱与上大下小斜柱子哪个好使?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/w7oe_jsfkYxhyWjW_ndeTg 对于超结开启和恢复时的电容特性,开关损耗,总觉得浮空P柱子的方案好像有点意思。超结反向恢复电容突变超结(Superjunction)结构在反向恢复过程中确实会出现电容突变现象。于是二堡也顺手布局了几个结构,想后面有时间做点对比实验研究试试 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-14 功率器件
  • [芯语咔咔] 22kV 4H-SiC IGBT 电热TCAD模型仿真研究
    22kV 4H-SiC IGBT 电热TCAD模型仿真研究 https://mp.weixin.qq.com/s/hrPBT_fDL1kyFuI48ms9Kg
    00 zyadmin 发表于 2026-6-14 功率器件
  • [宽禁带半导体观察] 英飞凌:SiC功率器件可靠性白皮书(7)- 器件在开关条件下的参数变化 (GSI)
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/UhUFg82joxoyYekWJ1GEUw 英飞凌:SiC功率器件可靠性白皮书(7)- 器件在开关条件下的参数变化 (GSI) 英飞凌在研究中发现了一个SiC特有的退化机制,起名叫"栅极开关不稳定性 (GSI)",对应的应力模式叫"栅极开关应力 (GSS)"。 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-14 功率器件
  • [功率器件应用学习笔记] 固态变压器(SST)高频变压器线圈绝缘技术
    固态变压器(SST)高频变压器线圈绝缘技术 https://mp.weixin.qq.com/s/cl7sFYDxd057obS4ODGPig
    00 zyadmin 发表于 2026-6-13 功率器件
  • [晏小北] 沟槽栅功率MOSFET之伪肖特基效应
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/68C7MRhzSNyv1EY9TLOvfw 沟槽栅功率MOSFET之伪肖特基效应 利用体效应暂时降低器件阈值电压
    00 zyadmin 发表于 2026-6-12 功率器件
  • [晏小北] 正面镀铜SiC MOSFET可靠性研究
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/RfmP33jf_NVzas_kodbEMg 正面镀铜SiC MOSFET可靠性研究 相比Al-MOS,Cu-MOS的短路耐受时间提升30%,单脉冲浪涌电流提升12%
    00 zyadmin 发表于 2026-6-12 功率器件
  • [碳化硅MOS应用技术分享] 基于 SiC MOSFET 并联的全桥双极性脉冲电流源研究
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/qZ0TCIAl1S59eje9Smkhxw 基于 SiC MOSFET 并联的全桥双极性脉冲电流源研究 本文基于SiC MOSFET并联全桥拓扑,研制紧凑双极性脉冲电源:±300 A稳定输出,峰值电流与母线电压线性相关(R²>0.989),脉宽调节使峰值电流增幅达37%;四管并联均流不均匀系数仅12.87%, ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-12 功率器件
  • [功率半导体生态圈] 芯联集成启动200亿扩产项目!
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/VZliNj_j46eoNmJcH1RGgg 关注公众号,点击公众号主页右上角“ · · · ”,设置星标,实时关注功率半导体生态圈最新资讯
    00 zyadmin 发表于 2026-6-12 功率器件
  • [芯域前沿] 为什么说,下一代绿色能源的关键,藏在一颗“功率芯片”里?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/38MBi83Eii91Hw4XrisOMQ 为什么说,下一代绿色能源的关键,藏在一颗“功率芯片”里?
    00 zyadmin 发表于 2026-6-12 功率器件
  • [碳化硅芯片学习笔记] 火爆的金刚石片子,终极功率器件大有发展
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/CxVZl7kkKAF8SC037lpuAQ 不少朋友留言,要看二堡当年骑过的小红车,翻了个照片吓自己一跳,今天穿的牛仔裤居然已经穿了十年,确实是时间飞逝啊…最近几个月在准备学习研究点金刚石,听说马上全国各地都有不错的大项目推动,赶紧临时抱佛脚学习下。粉真不便宜,铜金刚 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-11 功率器件
  • [功率半导体生态圈] 功率半导体“小巨人”长晶科技深市主板IPO获受理
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/ZZ1D8cSbk6aNFLTYFbGzsQ 关注公众号,点击公众号主页右上角“ · · · ”,设置星标,实时关注功率半导体生态圈最新资讯
    00 zyadmin 发表于 2026-6-11 功率器件
  • [功率半导体生态圈] 突发!广东一功率半导体企业,破产!
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/wV7OTAu_gedqhP2r1ov17g 关注公众号,点击公众号主页右上角“ · · · ”,设置星标,实时关注功率半导体生态圈最新资讯
    00 zyadmin 发表于 2026-6-11 功率器件
  • [功率半导体生态圈] 专业推荐!【液冷技术圈】每一个硬件领域,都面临同一场“热”战
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/M_ScovDAGCakGVBzTCg1KA 关注公众号,点击公众号主页右上角“ · · · ”,设置星标,实时关注功率半导体生态圈最新资讯
    01 zyadmin 发表于 2026-6-11 功率器件
  • [晏小北] SiC超结MOSFET之准饱和效应
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/iLG97h7LX0b2XFuR7ttT4g SiC超结MOSFET之准饱和效应 SiC超结MOSFET准饱和效应主要由元胞JFET结构的电流压缩效应主导
    00 zyadmin 发表于 2026-6-11 功率器件
  • [晏小北] 固定or脉冲栅压对SiC MOSFET功率循环寿命的影响
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/Kjz5GYlcYzi5J6USX9TWvQ 固定or脉冲栅压对SiC MOSFET功率循环寿命的影响 SiC MOSFET功率循环实验中,固定栅压的Vth漂移远大于脉冲栅压
    00 zyadmin 发表于 2026-6-11 功率器件
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