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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ItGeRCOqPaxq6qoQgsRr2A 最近半年，参加业界公司技术交流产业会议和学术会议时，展示了点在学术会议上投了个2.8um pitch元胞的碳化硅胶囊沟槽超结MOSFET文章的结果和切片截面，应该IEEE快上线了。虽然是最早的还没太成熟的结果报导，也引起了很多朋友的关注。好几个 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JMQrWutkuht059_CUF2RAw 源区刻槽SiC沟槽栅MOSFET制备 提出源槽+高能注入方案，相同注入条件下，源槽可使注入起始位置下移，形成更深的P区

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Iob27CcdfjxWxewWAhFdDg 沟槽场板功率MOSFET器件UIS失效机理 高电荷器件具备更强的亚雪崩倍增能力，加剧电流分配不均

2.4kV/10A 4H-SiC DiMOSFET 器件 https://mp.weixin.qq.com/s/CtVkmc2ZJgLC2lNymocT-w 一、研究背景传统硅基高压功率器件为提升耐压，会在漂移区采用电导调制技术，但这会显著拖慢开关速度，难以适配高频应

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/u8LuKvg8JIQ4nc4yXuT9-A 高压大容量直流变压器拓扑研究综述及展望 本文系统梳理高压大容量直流变压器（DCT）的三大应用场景及技术需求，归纳面对面型、自耦型、混合级联型拓扑的构造规律与共性原理，提出基于变比、容量、功能的选型原则。未来需突破大容量高变比拓 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8b2jnTcXuSnSBmtOH_wpiA 高压大容量直流变压器拓扑研究综述及展望 本文系统梳理高压大容量直流变压器（DCT）的三大应用场景及技术需求，归纳面对面型、自耦型、混合级联型拓扑的构造规律与共性原理，提出基于变比、容量、功能的选型原则。未来需突破大容量高变比拓 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GUhGculySN3KLU-DROMPWQ SiC MOSFET体二极管特性优化 在SiC MOSFET的N-drift与N-buffer之间，引入LDG-FS层

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oUOEeD3U8ZhCcIwUnQLqLw 零电压开关下，SiC MOSFET器件选用标准 总结ZVS应用的器件选择标准：1）较小的内栅阻， 2）较小的Ciss，3）较大的Coss

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wXhd-m9HIZ4EFfUpEmJISw 什么是二氧化硅（SiO2）的吸硼排磷现象?吸硼排磷的机理。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FJpRbU9XFbTSbWZqO2Kljw 东芝电子：具有半超结结构的SiC肖特基势垒二极管的静态和动态特性研究 本文研究了650V级SiC半超结二极管（Semi-SJ SBD）的静态和动态特性，并与传统SBD和MOSFET中的体二极管进行比较。Semi-SJ SBD具有较低的导通电阻和较高的雪崩击穿电压， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5ld2oiPhMldrlgH2mimN7w 最近二堡团队终于把1.5-1.8um pitch元胞尺寸的碳化硅胶囊沟槽MOSFET做出来了。性能那是好的不行，瑶瑶领先，实在是费了九牛二虎之力，才把三年前吹的牛🐮实现了前段时间经常就有朋友留言，说二堡你们那个两侧深掩蔽IP结构做到2um元胞尺寸工艺 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ddjh_PLImFUA4Fbtfv8uJw 第506期 | 零失效+高交付！晶能领跑车规碳化硅主驱赛道 成立不到四年，实现了100% SiC主驱单月出货量全球第一，他们究竟做了什么？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Yv7v5OLwL4B-uHJeopf4xQ 高压直流输电技术发展现状及趋势 本文系统梳理高压直流输电技术：从半控晶闸管LCC到全控IGBT/IGCT/SiC器件，推动VSC、CLCC、HCC等发展，克服换相失败。电流源适用远距离架空线，电压源支撑弱电网。未来需突破大容量全控器件（含SiC）、新型 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6smxPSSdPeeWXS0wAihJqg 准垂直GaN MOSFET器件简介 “Full-Vertical”，全垂直型， 既有全垂直型，可想而知，在全垂直型、全横向之间，还存在一种过渡类型——准垂直型（Quasi-vertical）， 上图即为准垂直GaN MOSFET器件（QV-MOS），电极布局与横向器件相同，G、D ...

1.2kV碳化硅单片双向器件对比：BiD-MOSFET vs BiD-JBSFET https://mp.weixin.qq.com/s/RfyUGsk2pR8cBapHxqcjKQ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dh1FOkrtTlNQVZC12zE-7A 三菱源极接触自对准沟槽栅SiC MOSFET 通过内嵌ILD介质于沟槽中，只要确保ILD厚度足够，便可显著降低Ron,sp，且IGSS不会明显增大