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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/y3ZjU_6dmoXTwMqBmUXolg 功率超结MOFET的提出及工作原理 以第5216275号美国专利《Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions》为标志

对比 6 类双向开关！碳化硅 BiDFET 为何成为最优解？ https://mp.weixin.qq.com/s/o_H4hV6bPwvnZBrvUgdltA

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ADknChC2vaT7uwl6pfhX1w 继续WBG混合集成的调研学习笔记。把不同半导体的特色通过集成的方式结合起来，总是个让人着迷的技术。随着各种国产bonding设备的崛起，3D堆叠集成工艺设备及Fab平台建设的多样化，功率器件结构研究也从简单的同质同层面单管，走向纵向多维度 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Md-g6LAcY7kwPDQp-Cpp_w 功率器件热阻测试方法：IEC60747-9标准下的小电流下饱和压降法 相关文章：功率器件热学参数-热阻国际电工委员会（International Electrotechnical

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FVLFR_6OzUsvC3J1iZn2EQ 《第三代半导体黑马：一文看懂北京芯合半导体》 北京亦庄近两年诞生了一家备受关注的新锐企业——北京芯合半导体有限公司。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dQzDnK1MM2ggePC6VDKjwA W-Switched沟槽栅功率MOSFET W-Switched沟槽栅功率MOSFET方案

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/S6v4_MHHctk9r4PVVQ36Hg 平面/沟槽SiC MOSFET浪涌可靠性研究 研究平面/沟槽SiC MOSFET浪涌可靠性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6BEm6HSaFQdSS0vELCU17w 双有源桥变换器拓扑结构与控制策略研究综述 本文系统综述双有源桥(DAB)变换器：对比单/双/拓展/三重移相调制，揭示TPS为统一策略；基于时域/谐波分析，以Lagrange乘数法等优化最小电流应力、回流功率及ZVS范围；探讨直流偏磁、死区效应与浪 ...

1700V SiC MOSFET 用于辅助电源参考设计 https://mp.weixin.qq.com/s/JtHwk4c69Uu_b5wgWgAEpA 本文来源于清纯半导体AE设计团队，整体设计简单明了，波形效果已经过实测，欢迎各界朋友指导交流，如需详细资

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YY4PV5hUETyMqsYlYXNkNw 最近几个月的各种会议中，老外们的碳化硅沟槽和超结MOSFET有了些新东西出来。大家伙儿都看的很细。🈶朋友问二堡，日本富士SiC多级P柱子超结和三菱沟槽辅助终端咋样？这个得分两块儿说。首先是多级沟槽或多级P超结，这个工艺结构是二堡从十多 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jzSKG9H1FGGK3dyf2vtKSQ P阱横向散射对SiC MOSFET性能的影响 对1200V SiC MOSFET，如果不考虑P阱横向散射，实际JFET宽度会偏离实现最低比导通电阻所需的JFET宽度

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5eVxvRNlI2rO7kpEBOBW2w 最近几个月咱们的碳化硅超结MOSFET摸的差不多了，元胞区IP咱们自成一派，有了体系。对于终端，虽然还没优化到最好，但原来一直觉得没啥好太多布局的，咱们就用硅超结那些设计方案就行，没啥真正有创新技术的新结构设计。但二堡发现错了，咱们 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3xB60N_zlZmi8YDVL9pcGw 双有源桥变换器拓扑及控制优化研究综述 本文系统综述双有源桥(DAB)变换器：对比多种隔离双向拓扑，突出其高效率、高功率密度和软开关优势。深入分析单/双/三重移相控制对电流应力与回流功率的优化，引入智能算法与离散控制，结合SiC MOSFET ...

文献阅读_高迁移率4H-SiC非极面PMOSFET https://mp.weixin.qq.com/s/dAooD9S5istP9Y4YR37pjQ 1. 导读：来自日本京都大学报道的论文[1]中，详细研究了不同晶面和体区掺杂浓度对PMOS器件迁移率、Dit的影响，并给出同工艺下N/P迁移率特性的对比分析。 2. 研究背景及意义：在 4H‑SiC (0001) 衬底上制备 SiC FinFET 时，MOS ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WHe3yBB2heMPDt78FFgdYQ Wolfspeed万伏SiC MOSFET产品 利用中压整流器or固态变压器，直接将几万伏交流电转换成800V直流电

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qcsYQBBfYxX5oefD64TH0A SiC MOSFET 固态断路器关键技术研究 本文聚焦SiC MOSFET固态断路器：采用对称DBC封装抑制栅极振荡，结合LMD-DE-PNN实现微秒级故障识别（误差≤0.5ms），短路清除时间约200μs，工作寿命超百万次，温升69K，为智能配电网提供快速、高可靠保 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LQV4C_B7IhRVOSb-JtN0vg SiC/GaN器件之竞争 WBG（Wide Bandgap，宽禁带）半导体，国内称之为第三代半导体，典型代表是SiC、GaN, 相比Si，WBG材料具备更高的临界击穿场强和更高的热导率，这些优势使其能够实现更高耐压、更低导通电阻， 作为宽禁带半导体材料的代表 ...