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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Fqw8NoR0D38x1R3FhF4dRw 绝缘耐压 | 碳化硅功率模块绝缘耐压全解析：行业要求、测试方法与高海拔挑战 绝缘耐压 | 碳化硅功率模块绝缘耐压全解析：行业要求、测试方法与高海拔挑战 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kZ-bYkWBjI6eHJ591IvnFw 2023-2025年，二堡的碳化硅沟槽MOSFET从1200V-10kV开发全布局，在2.8um pitch都做到2mOhm*cm2以下，最低1.35mOhm*cm6, 抢“胡了”德国博世，全球首个split gate + 叠加“栅里打洞接地”，+叠加“双级双沟槽”，是个揉杂了一堆诡异元素的MOSFE ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Irmwh8kXarBsnt2WzSST_Q SiC平面MOSFET栅氧可靠性及阈值电压不稳定性问题 安森美商用SiC MOSFET器件测试结果表明，SiC MOSFET的失效电荷约50 C/cm²

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jhi1Y_cCLjz8nzveWVs2RA 2022-2025年，二堡的碳化硅沟槽MOSFET从1200V-10kV开发全布局，在2.8um pitch都做到2mOhm*cm2以下，最低1.35mOhm*cm6,看十年路线，挖未来三五年产业能落地技术，脚踏实地，3年从零开始争做世界一流功率器件研究团队🎉世界首个双级双沟槽，不 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V31JcuYMcXoXax9zLN5HbQ 循环经济兼容的电力电子 本文聚焦电力电子4.0/5.0范式：通过功率密度与效率提升“用更少做更多”，并将生命周期评估与循环经济（4R：维修、重用、翻新、回收）融入设计。以SST替代LFT降低碳足迹，多目标优化引入环境指标，应对电子垃圾危机 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1RRRKNBtlufdMnOBWB4aNw 正面镀铜SiC MOSFET可靠性研究 相比Al-MOS，Cu-MOS的短路耐受时间提升30%，单脉冲浪涌电流提升12%

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/t7MKVVqZ5npeBJzhvlKbIg 功率器件热学参数-热阻 功率器件的热阻是指热量从芯片PN结沿着封装路径向散热器传递过程中遇到的阻力。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/O44aDOvwmc1yx956XA9drw 一文看懂 | 选型不再纠结，SiC MOSFET和JFET该用谁、怎么用？ 一文看懂 | 选型不再纠结，SiC MOSFET和JFET该用谁、怎么用？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-yll1yneZ3xygSiMk8TBFg 多沟道GaN HEMT研制 将高浓度2DEG（二维电子气）分散至堆叠沟道

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KO40_07aORbY8skXJ0A8GQ 最近一年多都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上下一代人工智能AI大芯片发展的大车。AI发展越来越快，AI算力需求越来越大，GPU/CPU大芯片集群的动态供电不足问题越来越突出…国际上，英伟达一枝独秀，已经走到了单芯片超过2 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ple9jmrlvUhFLcSxqr_qKw 6.5kV SiC超结MOSFET制备 制备6.5kV SiC SJ MOSFET，证明沟槽回填路线可行性

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hGBijEQxyAXFOIlvjHwK3w 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（6）- 器件在恒定栅压下的参数变化 (BTI) 在正常使用器件时，由于半导体/栅氧界面或其附近产生的点缺陷以及点缺陷的充放电，SiC MOSFET 的阈值电压可能略有漂移。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ISexc8L_IabEDaULSGiAsw 韩国釜山大学：不同终端结构的SiC功率器件的质子辐照效应研究 本文研究了质子辐照引起的总电离剂量（TID）效应对各种终端结构反向特性的影响。