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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tYpg-Xz8EP3viqcaBsLCOA 集成SBD的沟槽栅功率MOSFET应用 集成SBD的沟槽栅功率MOSFET应用

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zlGhjIV68GOsciyj7D6RVA SiC/GaN器件在AI供电系统中的应用 将性价比最高的材料器件，放在合适的位置

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qOT1Ju42NTJOXoD9IKScOA 800V直流数据中心蓝图，图片来源：Heron PowerHeron Power Electronics 是

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JYz_BUh8OwT8Znj0rm_lZA IGBT电性参数温度效应分析

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/r6zjGMeJWlKnjypRfBbY5w 金刚石是个好东西！最近二堡的氧化镓项目研究需要点宣传，我们2024年底开始提供了全国首个氧化镓器件批量销售，迄今仍然是占据全国99%以上氧化镓功率单管的销售市场。但这个听着不够先进。好在是，咱们团队虽然就两三个氧化镓器件研究员，两 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_2nyO3Q0GdDHrHQB1kpxtw 宽禁带半导体器件之优势分析 功率晶体管的两大核心成分：沟道区&漂移区

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/L_28FmNGhc3pgqGyTISSmg HTRB应力下，SiC MOSFET终端可靠性 研究1700V平面型SiC MOSFET HTRB失效机理

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ETZU5NFWq3nK_5297Avrmw 功率二极管基本类型 这张图，从左到右，依次是SBD、JBS以及MPS， 先看SBD和JBS， 差异在于P区， JBS的设计思路是——在肖特基金属下方，形成P区（这里是半元胞结构，想象左边还有一个P区，裸露于N漂移区的金属，被相邻P区夹住）， 正向导 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1sYGheHtJ7Pa9aXJPsAu5g 上次聊了P-base（P基区）旁边的P⁺——它的作用是防止寄生三极管导通。芯片结构图里还有另一个P⁺，位置在栅极下方，如下图所示。每家厂商的设计都有它，具体形状和位置略有差异。这块P⁺有个专门的名字：P Shield（P型屏蔽层）。它的主要作 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TAa3ZJnNztNyHZ-5U1WrJw Trench IGBT的闩锁电流密度 与平面栅结构相比，Trench IGBT结构在闩锁电流性能上有着明显改善，这主要是二者空穴电流路径的差异。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jcRVmB8tasrzJUC_37i99g 功率器件优化的两种途径 在功率芯片中，多维器件可以突破一维器件的trade-off瓶颈