功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AIdGbPYy41mEVxfA4UCaTw 功率MOFET的米勒效应 米勒效应适用于任何具备电压增益的器件，比如BJT、比如功率MOSFET

文献阅读_JTE 终端单粒子烧毁仿真 https://mp.weixin.qq.com/s/j9kbYERP-4e_HA0YS3ZRYQ 1.概述： ①仿真研究4H‑SiC功率 MOSFET 结终端扩展（JTE）结构的单粒子烧毁（SEB）特性，证实P⁺/P⁻ JTE 区边缘是对 SEB 最敏感的离子入射位置，由于电场发生严重穿通，源极接触区是最易诱发 SEB 的区域。 ②评估了单层缓冲层（SB ...

文献阅读_JTE终端结构 https://mp.weixin.qq.com/s/gBMxDdszaXjDzhhHIEynfg 1. 概述：提出一种新型边缘终端结构 ——阶梯双区结终端扩展（Step‑DZ‑JTE），数值仿真结果表明 Step‑DZ‑JTE 大幅降低了击穿电压（BV）对 JTE 剂量与表面电荷（SC）的敏感度。 2.引言 ①场板设计与制备简单，但终端末端会引入新的电场峰值， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dh9sY6uhjg4x8crBC00lnw 金刚石是个好东西！边喝了剩下的半瓶米酒，边在手机上听了好几个讲AI大芯片供电和金刚石复合材料的报告。突然发现，这里面有共同的需求啊大芯片需要chiplet集成，需要玻璃基板或碳化硅基板，需要供电和散热。玻璃基板产业基础慢慢成熟，玻璃 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/afJGIFZzw-1rJd3bTLiTrA 10kV 碳化硅 MOS：高压功率电子的 “核芯革命”，需求爆发、技术攻坚与厂商竞速全解析 10kV 碳化硅 MOS：高压功率电子的 “核芯革命”，需求爆发、技术攻坚与厂商竞速全解析 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UGB9dqHjZCzKVYd5AK0mJQ 国产10kV碳化硅：从样品到量产，还差多远？瞻芯、安海、爱仕特等已开始积极布局 国产10kV碳化硅：从样品到量产，还差多远？瞻芯、安海、爱仕特等已开始积极布局 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LLCbtaBtrjw2Vkd95QDW_g 宽禁带半导体器件之高压高频优势 简单解释宽禁带半导体器件之高压高频优势

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F8bom5LBMTpP9DHAoSYYQw 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xXJ-h7QID_F1INENoNSDLw 金刚石是个好东西！想起来五年前二麻科技群建立的时候，我和冰哥儿商量着要去弄台MPCVD，给咱们咖啡杯都镀上一层闪闪的钻石💎，咖啡☕凉的快不烫手…这个设备里面，最值钱的就是那个射频电源，当时我就想要把这玩意儿换成半导体器件的，那可 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OGrUb8DsPafTZVgduSar0g 用于固态变压器(SST)的共模电磁干扰抑制方法 本文揭示DAB共模EMI机理，提出三种抑制法：耦合电感集成移相电感，低频抑制20dB；均匀分布变开关频率（UDVSF）降低10dB；有源EMI滤波器（AEF）补偿25dB。两者结合达30dB抑制，为SST高密度集成提 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/o6wm9n7Tc5V7No14NN0c4g 2025年SiC器件可靠性研究 头部厂商正为8英寸SiC制造平台搭建晶圆级测试/老化测试体系

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rW3G6F35j9vsYqjEwqMzQA 2025年SiC器件技术路线分析 选择平面栅or沟槽栅，取决于器件性能、企业战略、目标应用等因素

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I_kvnODi6bjFHZP-Mwwgeg 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3KpDb56xPxQCObS7VbnOiw 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/29wNHbtpCCeuoZNR7r9GiA 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3Bn3qJgy00OQZCVbxBNZFA 深度拆解｜博世 PM6模块：定义 800V 时代的 SiC 功率模块标杆 深度拆解｜博世 PM6模块：定义 800V 时代的 SiC 功率模块标杆

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yZQDyjGOBnio80riIugscg ROHM第四代SiC MOSFET短路能力 相比三代，四代在降低比导通电阻的同时，提升了短路耐量

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kGn2_-w3_YmT0p1oyNtyBQ 1700V电荷平衡SiC MOSFET研制 制备1700V电荷平衡型SiC MOSFET，P柱在垂直于纸面方向上呈间断分布

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/gtgsqnLBalWpwoXoefY7cw 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/E6vXqMXdYMrKDu9PPtSr0Q Si、SiC器件之差异 在化合物半导体材料中，碳化硅（SiC）的一大显著优势是——能借用硅器件的诸多概念和工艺。 用于验证硅器件长期稳定性的很多方法，可以直接用在SiC器件上。 但，SiC器件还需要进行一些，不同于Si器件的可靠性试验。 SiC ...