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SiCMOSFET用在高压电机驱动，电机很容易坏 https://mp.weixin.qq.com/s/eMWMHAEX1UU0T8lJYhdHrA 做高压电机驱动、运维、设计的朋友，肯定都有过这种困惑：SiC变频器明明是“效率神器”——开关快、损耗低，能让高

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/76HdviqZsnpioZCR_WmI4A 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（4）- 快速栅极电压步进应力试验 英飞凌开发了一种更加实用且速度更快的测试方法，即快速栅极电压步进应力试验 (Fast Gate Voltage Step-Stress Test)，能够在数分钟内评估任意SiC MOSFET 器件的可筛查能 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dyaeT8jD4wyLgqDBByRFGg 财报分析｜全球功率器件两大巨头（英飞凌VS安森美）财报分析：SiC赛道全面复苏，AI数据中心成最大增长引擎 财报分析｜全球功率器件两大巨头（英飞凌VS安森美）财报分析：SiC赛道全面复苏，AI数据中心成最大增长引擎 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/l541oO3S3PgaTJBgsesz9Q 面向AI数据中心的下一代固态变压器（SST）概念 本文聚焦AI数据中心供电：现有SST功率密度仅0.05~0.15MW/m³、效率98%，远低于LFT方案且模块化代价高昂。提出下一代单级/准单级、部分模块化SST，目标1MW/m³、99%效率、降损30%。直流配电（8 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ttia7TR1iJoMzYRZ1gtBdQ 碳化硅MOS沟槽设计汇总：设计原理、技术难点、现状及未来方向深度剖析 碳化硅MOS沟槽设计：各类沟槽设计原理、技术难点、现状及未来方向深度剖析

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iz_NIW1c4DJcq0-s9M591Q 五月四号，韩国三星终于正式官宣，大规模重启碳化硅器件线，大力开发下一代SiC芯片技术。业界前两年一直传言，说美国Axcellis的高能离子注入设备未来两年订单被三星包了一大半，当时还以为是搞啥特殊厉害先进工艺线用的，现在实锤了，这些超 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5oP1O-fo2W1SuFil5Mpf7w 台湾国立中山大学：1700V级SiC MOSFET在不同温度的HTRB实验中软穿通机理研究 本文对1700V平面SiC MOSFET在不同温度下的HTRB试验前后的性能进行比较，发现器件在90℃和175℃下表现出了明显的击穿电压漂移。通过测试和仿真都表明，这种性能退 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/39MoWQvBvecGvWGeqdrYVg SiC MOSFET双极退化研究 双极退化效应对SiC MOSFET电参数的影响是：导通电阻变大、体二极管压降变大，击穿电压、电容特性以及栅氧可靠性几乎不受影响

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/q2fsrTinNbYKVkJW7sVF1Q 平面/沟槽SiC MOSFET浪涌可靠性研究 研究平面/沟槽SiC MOSFET浪涌可靠性

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Vbb4LXG5GF_aBHqW-_n2-w 五一开工第一天，祝大家劳动节愉快。第一篇介绍了 MOSFET 芯片的基本结构最易懂的SiC MOSFET 芯片结构解说，第二篇聊了结构图中的 N⁺、N⁻ 与耐压设计SiC MOSFET 芯片结构解说（二）— 芯片的耐压设计：看懂结构图中的 N⁻ 和 N⁺。今天这篇 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/bZyLtBwGsFCzaAq3ro3Adg EV Group：融合键合与混合键合的关键问题：对准精度、可扩展性、热管理

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CtuBxq8k7c_ItLQG5LAYLg 拿在手里才真正能感受到，氧化镓材料发展真快，越来越大，越来越大，太大了…氧化镓材料，国内三年就到12寸，三年走完了碳化硅材料30年走的路程。十五五明确点名提出要大力支持发展氧化镓材料器件，但市场需求在哪里？怎么从市场逻辑和产业应 ...

SiC MOSFET规格参数中的Qg/Qgs/Qgd https://mp.weixin.qq.com/s/5rAAYA0n6OzkcP8PvVGHcA

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/i8x78cnDvRwBgXwtqXD6Sg 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（3）- 慢速栅极电压步进应力试验 慢速栅极电压步进应力试验是一种测到死的测试，目的在于评估不同栅压下的SiC MOSFET栅氧击穿行为。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ukHQXRYNfNFsYK1EGHwAKA ROHM第四代SiC MOSFET开关损耗影响因素 研究ROHM第四代SiC MOSFET开关损耗影响因素