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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UeA6RZqkI2HYLAJmrKMizw 最新动态 | Wolfspeed浴火重生之剑指 AI：碳化硅巨头如何重组成为日美合资企业，对行业格局的影响？ 最新动态 | Wolfspeed浴火重生之剑指 AI：碳化硅巨头如何重组成为日美合资企业，对行业格局的影响？ ...

SiC MOSFET 双极性退化（Bipolar Degradation） https://mp.weixin.qq.com/s/eb_7Es4iv1BbzNc6gF6AtQ

图文详述电池极片4大缺陷原因 https://mp.weixin.qq.com/s/lkxQM65LdAgn6GStmnE_PQ

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tr-39yX0CkPZbNNukN_LoA 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（2）- 马拉松应力试验 研究非本征失效的常用方法之一是给器件施加尽可能接近实际应用条件的应力，同时测试大量的样品。之所以要测试大量样品，是因为在电气筛查之后，外在失效的概率通常极低，为此英飞凌 ...

SiC MOSFET规格参数中的Ciss&Coss&Crss https://mp.weixin.qq.com/s/uEDXBbWoj2WLP_7MapPL9Q

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/MwBwSHYb9BSRnh6R-y2Rng SiC功率模块基本概念释疑 业界普遍以芯片数量区分分立器件（discrete）与功率模块（power module）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xe0cXDtyYTVD0yxCMtLqRA Wolfspeed中高压SiC器件在固态变压器中的应用 利用中压整流器or固态变压器，直接将几万伏交流电转换成800V直流电

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NeWMyWIp6b8LStKmpta8Yg 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aGtHjooltoptZ6fyY-0dnA 固态变压器的本质：基础、设计挑战、研发概述、比较评价与前景（完整版） 本文揭示SST核心矛盾：中频变压器绝缘不随频率缩放，介电损耗易致热失控。展示10kV SiC PEBB达15kW/dm³、7MW DAB效率99.2%等成果。数据中心对比：LFT+SiC PFC基准 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-6zoftJ3dbrzGmlvhvvOzQ 最近很多朋友留言，说他们所在课题组或公司在搞碳化硅沟槽外延填充超结 SiC trench epi regrowth工艺研究和器件，问二堡为啥不喜欢这个技术放方向，不做笔记学习和布局。其实没有不喜欢啊，我一直在和很多国内外不同地方友好交流的研究团队一 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BYA5dwe55rnnI3LGjsXd9Q 深度复盘 | 800V高压平台：从电控、电机、电池到充电桩详细分析，如何完成一场关于"补能自由"的千亿级产业链革命... 深度复盘 | 800V高压平台：从电控、电机、电池到充电桩详细分析，如何完成一场关于"补能自由"的千亿级产业链革命... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ubrE0rFwovqyIGx_0xVh7Q V型槽SiC MOSFET终端设计 采用两次外延工艺制备V型槽SiC MOSFET器件，终端采用DR-JTE结构

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/B1slEd4lKiHZ1SeYZVnYpA 平面/沟槽栅对SiC MOSFET并联应用电流不均衡之对比 并联运行时，沟槽栅器件电流不均衡和由此带来的额外损耗和热应力风险，明显低于平面栅器件

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vSjcaODeLY8roI2m4SMzDw 二堡感言: 2015-2025，十年磨一剑，全球一流性能指标，，纯血的自主沟槽IP结构，在工程化管理资源有限的多种化合物半导体实验室级线体上，小批量提供1200V/2400V, 10-80mOhm， 1.8-2.3mOhm*cm2 全球独创创新结构SiC沟槽MOS及沟槽半超结TSJ MO ...

SiC MOSFET规格参数中的Rg int https://mp.weixin.qq.com/s/O9dziLkouZwXNXt5MfawCQ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-Itoi7tCTOz9BrjBVjY58g 如果把功率半导体比作电源的‘心脏’，那么超结MOSFET就是给这颗心脏做了一次‘搭桥手术’，让血流（电流）更顺畅，跳动（开关）更有力。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-et4URASHNDyEdjEum8tOw 高能注入SiC JFET器件制备 采用高能注入+沟槽刻蚀+侧壁注入工艺，制备SiC JFET器件