功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6Uxq8FeAJ_KsII8-cyyWSw 罗姆半导体最新SiC产品：第五代SiC MOSFET 近日，世界知名半导体厂商Rohm集团在上海宣布，其开发出新一代EcoSiC-第五代SiC MOSFET，该产品

SiC MOSFET在感应加热串/并联谐振电源中的应用 https://mp.weixin.qq.com/s/uwkZ60OCwDqL9LMQJQxL-g

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mmJex90EDLf3oTsdU5P_tA 面向未来数据中心的>99%高效率超紧凑固态变压器（SST） 本文系统梳理数据中心SST技术：SOTA效率98-98.5%、功率密度0.1 MW/m³，下一代目标1 MW/m³、>99%效率（损耗降30%）。重点量化mVR拓扑：器件应力降低42%，AF仅处理30%功率，对比矩阵 ...

秒懂六种燃料电池：对比、优缺点、应用全梳理（建议收藏） https://mp.weixin.qq.com/s/KmQxoQ_XwUH9EGcCmNnq3w 秒懂六种燃料电池：对比、优缺点、应用全梳理（建议收藏）

秒懂六种燃料电池：对比、优缺点、应用全梳理（建议收藏） https://mp.weixin.qq.com/s/KmQxoQ_XwUH9EGcCmNnq3w 秒懂六种燃料电池：对比、优缺点、应用全梳理（建议收藏）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ssz3u6_NU1JviGce6HXwYA 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/b5lao-oU_AZuwxP81oJQIg 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sjn5V1sHjP-U0m2GxDsdVg 沟槽栅功率MOSFET在同步整流和DC/DC变换领域的应用 某一具体应用场景的器件选型，从损耗的角度看，其实就是导通损耗与开关损耗之间的零和博弈

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cAzJLOaN3LU1AzxS0PVfQg 6000字长文——沟槽栅功率MOSFET之由来 从BJT和横向MOSFET的缺点→V型槽功率MOSFET→矩形槽功率MOSFET→深P区沟槽栅功率MOSFET→间断分布深P区沟槽栅功率MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fk4hbV0CHeoCDalG7tY_ug 告别充电焦虑，SiC芯片如何让电动车实现续航自由 点击蓝字，关注我们从“充电焦虑”到“续航自由”：SiC芯片如何重塑新能源汽车？想象一下这样的场景：你驾驶着电 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jFjQzuPj7vMRXRY40lvm6A 二堡感言: 2015-2025，十年磨一剑，全球一流性能指标，，纯血的自主沟槽IP结构，在工程化管理资源有限的多种化合物半导体实验室级线体上，小批量提供1200V/2400V, 10-80mOhm， 1.8-2.3mOhm*cm2 全球独创创新结构SiC沟槽MOS及沟槽半超结TSJ MO ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Tx1QEhL-JxZNYo80iYY7nw SiC/GaN丨宽禁带半导体器件开关振荡研究综述 本文系统综述宽禁带器件开关振荡：依据波形分为阻尼振荡与自持振荡，建立分析模型阐明机理，明确敏感参数及影响规律。指出阻尼振荡由RLC回路欠阻尼引发，自持振荡源于串扰偏置下的反馈或负阻效 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I3Qch3k5pPKzVWWQT9807g 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Gfobo3svci5HOCWxmbRxgQ 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FC-ZtbDN2pA-biJgj9KMbg 2025年SiC器件技术路线分析 选择平面栅or沟槽栅，取决于器件性能、企业战略、目标应用等因素

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/u03t3eVKNNttyzuIO_9fvA 做两侧深掩蔽沟槽IP的朋友们经过实际的碳化硅MOS产品生产发货上车实践验证之后，终于还是想明白了，沟槽栅极底下加个周期性接地的P+掩蔽，还是非常有必要的。德国BOSCH公布第三代SiC沟槽MOS2026年4月中旬，德国博世在欧洲一些会议论坛上公开 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fUWB9sX_sqs34gNmDnMwsQ 清华大学：具有P+ Buffer和分裂栅的1200V SiC MOSFET研究 本文对1200V下具有P+ Buffer和分裂栅的SiC MOSFET（SG-PB-MOS）进行验证，探究其与传统MOSFET（Conv-MOS）的静态和动态性能的对比。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/X8TcKi3P8cWLF4GWESHjCw 6.5kV SiC MOSFET器件制备 制备带CSL层的 6.5kV SiC MOSFET，导通电阻79.55mΩ，击穿电压7968V

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wGTAL0IbT0-Ip53qhkYlOw SiC MOSFET之BVDSS异常芯片失效机理 所谓BVDSS失效管芯，即那些BVDSS值相对较低，但仍符合规格要求的芯片

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/634qo1_40HoPoesr0Gwm3w 信越化学涨价！涨幅超10%！联电发布涨价函全志也涨价了被动器件原厂太诱宣布涨价国民技术宣布涨价20%！