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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rUrXyYw9H8Cp6t62RohvEQ 柔性直流输电技术的工程应用和发展展望 本文梳理柔性直流输电技术发展，以中国南澳、鲁西、昆柳龙等工程为例，总结其在新能源送出、电网互联、远距离大容量输电中的实践：实现特高压±800kV、架空线故障百毫秒自清除、混合多端可靠运行，并 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ppnCfSntyQFt7e-jbrDi0w 欢迎有流片需求的朋友们积极联系，咱们用自动化工业化量产Fab平台设备的稳定工艺，批量生产挑战世界最高性能的氧化镓新型器件！最齐全的2寸，4寸，6寸，8寸Ga2O3完整 晶圆及芯片研发流片验证平台，齐了！----------------------------/////// ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Vk-2DjmLEJS1I2PQB1wh6A Vth漂移对SiC MOSFET第三象限特性的影响 部分商用SiC MOSFET，即使施加-5V栅源电压，三象限沟道仍无法完全关断

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cXulvUqfguPmw-NuFO95eA 面向交直流混合配电系统的多端口电力电子变压器研究综述 本文梳理多端口电力电子变压器拓扑：从图论归纳串、星、混合型；从能量汇集分共直流母线与高频耦合。对比显示高频耦合减少变换环节但强耦合，共直流母线解耦易设计。给出选取二叉树 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lmNWdyu33PsgLFCEQcs4wA 安森美SiC MOSFET器件 安森美采用拱形栅平面MOSFET，最大特征是JFET区上方的栅氧加厚，导致多晶硅栅呈拱形，如此可以有效降低栅漏电容CGD， 为什么要降低CGD？ 为了解决SiC MOSFET的寄生导通问题（Parasitic Turn-On，PTO）。 作为单极型 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/A3Xf2EJgddC9vDFpWhSwUw 沟槽型SiC MOSFET重复脉冲短路失效机理 若并联沟槽性SiC MOSFET器件工作在SCSOA之外，即使Esc存在微小差异，也会引发器件退化先后问题，进而影响系统整体可靠性 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qSBKf5lMkowhpWDBrzgFig SiC MOSFET高频特性优化方案 包括SG-MOS、BG-MOS和八角元胞

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hH5dJvYWQ5alniQCAgXwIg 大功率高频变压器绝缘问题研究综述 本文系统综述大功率高频变压器绝缘的多应力特征，揭示介电损耗、局部放电与空间电荷在高频方波下的耦合机制，阐明功率密度与绝缘可靠性的矛盾。总结现有绝缘设计流程，指出需发展考虑多应力耦合的绝缘优 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QTXqorrka3RFtILNB0pVjg 应用研究 | SiC MOS驱动电压与Rds(on)内阻的关系及影响？ 应用研究 | SiC MOS驱动电压与Rds(on)内阻的关系及影响？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hYVWnvpge1vXJ9-cQnjfTA 欢迎有流片需求的朋友们积极联系，咱们用自动化工业化量产Fab平台设备的稳定工艺，批量生产挑战世界最高性能的氧化镓新型器件！最齐全的2寸，4寸，6寸，8寸Ga2O3完整 晶圆及芯片研发流片验证平台，齐了！----------------------------/////// ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XranoQgv2gnSGZy5iyOyhQ 用于固态变压器（SST）的雷电过电压响应建模与保护设计 本文首次建立三相级联SST雷击过电压定量模型，揭示直接接地时过电流达5.2p.u.、浮地时模块对地电位达2.27p.u.的威胁机制。提出SCR、CER、EIR设计指标，对比LFT隔离系统，明确SCR≥7.1 ...

「三重进化」功率模块的破局之道：可靠、集成与协同创新 https://mp.weixin.qq.com/s/wN1xBXkwmGCYgItn4eh1Ag

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