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重大突破｜超临界流体低温退火，把SiC MOSFET迁移率翻番！120℃新工艺颠覆传统高温氧化后退火 https://mp.weixin.qq.com/s/GtZ-DrEmwnAz7gVBGuvSEg

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vxIZ7XLwg7I9qECp8d1v6Q 周末闷热的不行，躺在沙发上研究了大半天抗辐照加固。对于上百家碳化硅器件创业公司来说，如果继续在红海市场里打滚儿，兜里没有准备未来五年持续内卷亏损每年白烧几个亿，一直坚持活到出清完了慢慢赚钱回血，那日子就会过的越来越艰难。有的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SaKxso9ZVPWBiumgrKD6QA 白皮书下载｜英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pfv_vQiHTAPFC7Ll05rOwA GaN HEMT两种主流方案 如今的GaN器件产品，为实现常关功能，主要有两种方案， 1、p-GaN栅极堆叠， 2、共源共栅结构（cascode）， 如上，左图为cascode，右图为p-GaN堆叠， 简单解释原理， 先说cascode，共源共栅，可以理解成将两个器件 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/id9iw024JAlrZ9k_-sslOw 硬核解析 | 爱仕特全系SiC 器件赋能 SST 固态变压器，已实现多家SST厂商装机运行 硬核解析 | 爱仕特全系SiC 器件赋能 SST 固态变压器，已实现多家SST厂商装机运行 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RU5DT5FsBdAqBgkOX8QpSA 温度变化对SiC MOSFET器件寿命的影响 加速反向偏置测试中，超 50%的失效发生在温度过渡阶段

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/f31UenFeWpTFh1s_ug4FBQ 高漏压DGB实验SiC MOSFET之阈值电压漂移 在栅极开关应力基础上，施加高漏源电压

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OPJ8ySm2U8lKUIRlCrppPw 周末闷热的不行，躺在沙发上研究了大半天抗辐照加固。对于上百家碳化硅器件创业公司来说，如果继续在红海市场里打滚儿，兜里没有准备未来五年持续内卷亏损每年白烧几个亿，一直坚持活到出清完了慢慢赚钱回血，那日子就会过的越来越艰难。有的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/72CDMhEcHEOsz00laFI05g 小型固态变压器（SST）状态监测及单管开路故障诊断数字孪生方法 本文基于数字孪生，利用电磁暂态程序构建SST高保真模型，采用量子遗传算法实现多器件（电容、电感）参数同步与状态监测；通过对比数字孪生体与实物电气量，提出单管开路故障 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ismlHcM7vxNvdvf4QK-4rA 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（8）- SiC的抗宇宙射线能力 半导体器件在其整个生命周期中都会受到核粒子辐射，这种辐射源自于高能宇宙粒子撞击大气层外围，一路传播、一路发生核反应，在低海拔处下起一场"粒子雨"。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/M7IDc4JYcprA-ljjb7bOkA 超结器件简介 如上，最左侧为1D器件，中间是条状超结，最右侧是柱状超结，均给出了电场分布图， 一维器件的BV-Ron,sp极限源自一维泊松方程的结论——漂移区电阻率越高（厚度越大、掺杂浓度越低），击穿电压越高， 理论上，最小Ron,sp对应的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8ENW4OIaD4YHhdMbYlLJWQ 博世第三代SiC MOSFET产品 相比G2，博世G3产品的比导通电阻降低20%，开关损耗降低10%，且短路耐量提升10%

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cdHtdRADanKgRyEA3fhmuw SiC器件终端可靠性：HV‑H3TRB与温度循环联合评估 传统 HV H3TRB 测试不足以完整评估SiC器件终端可靠性，必须补充温度循环测试才能进行全面评价

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