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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/39_usf7KsL_pKs6Hudhvpw 固态变压器（SST）中辅助电源变压器的绝缘结构设计 本文提出一种SST辅助电源变压器的新绝缘结构：采用带内金属屏蔽绝缘线与磁环组合。亮点在于均匀化电场分布，最大电场值降低65%，同时体积缩小约1/3，显著提升了局部放电水平和系统功率密 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SzwXRxIz7C89of22uhAfUw 研究总结 | 功率器件领导者（英飞凌）如何保证SiC碳化硅功率半导体器件的可靠性：思路流程、失效机制、保护措施... ... 研究总结 | 功率器件领导者（英飞凌）如何保证SiC碳化硅功率半导体器件的可靠性：思路流程、失效机制、保护措施... ... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8Zl3NbZGox2TbaC1oYXuyQ 三菱4.5kV/1200A XB系列IGBT模块 三菱电机推出4.5kV/1200A XB系列高压IGBT模块，包括标准绝缘型（6.0 kVrms）和高绝缘型（10.2 kVrms）两款产品， 模块尺寸140×190×38 mm3，与上一代产品保持一致，可实现便捷替换， 采用载流子储存沟槽栅 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cRyal_-nJrsDoisd9eX6gA 奥尔巴尼大学：具有深Pwell且非对称单沟道设计的新型1200V SiC MOSFET 本文介绍了一种新型SiC MOSFET结构，其采用单有源沟道且深Pwell设计，提高了器件电学性能。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Fe6hQ-qLsUYI0YnD1_EUAw 深度解析 | SiC功率元器件核心技术解析与工程应用 深度解析 | SiC功率元器件核心技术解析与工程应用

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/r5we35uhE4HEDx-_lWf5Kw 罗姆第四代SiC MOSFET开关特性 研究ROHM第四代SiC MOSFET的开关特性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/78YxibnZFF71KFBqamtf2Q P阱横向散射对SiC MOSFET性能的影响 对1200V SiC MOSFET，如果不考虑P阱横向散射，实际JFET宽度会偏离实现最低比导通电阻所需的JFET宽度

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WeODUcov_nL99YqTsNlKNA 固态变压器（SST）的技术现状：先进拓扑、实现问题、近期进展与改进 本文全面综述固态变压器（SST）的拓扑、控制、应用及实施问题，分析中压中频变换器、高频变压器损耗及多领域应用（光伏、风电、智能电网、充电站）。亮点在于提出了经济 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UY_PMBiYnhPW98kROTesEw 英诺赛科2025年报：营收破12亿，毛利率首次转正 2025全年公司营收突破12亿元，同比猛增46.3%；综合毛利率历史性由负转正至7.3%（2024年为-19.5%）。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RbDQAYVFtriMAO0odTFYOA 行业研报 | 碳化硅MOS市场规模、增速、应用领域、主流厂商、装车数量、未来趋势 行业研报 | 碳化硅MOS市场规模、增速、应用领域、主流厂商、装车数量、未来趋势 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NK5_h8VWT6NkctMLYjfBJw 英诺赛科2025年报：盈利拐点已至，营收破12亿，毛利率由负转正 2025全年公司营收突破12亿元，同比猛增46.3%；综合毛利率历史性由负转正至7.3%（2024年为-19.5%）。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3PYYesL9n6lMZ1cB5-rqRw SiC器件终端研究：场限环、JTE及其复合结构 SiC器件终端设计不能直接照搬Si器件方案，必须综合衡量耐压能力、可靠性以及终端面积进行设计

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4L0J3dEyLEXrRCELG0vfwQ 英飞凌 | HybridPACK™ Drive G2 技术解析：面向下一代牵引逆变器的功率模块创新 英飞凌 | HybridPACK™ Drive G2 技术解析：面向下一代牵引逆变器的功率模块创新

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LOdX4Z512UIGj0ezm77GDg 四种非常规SiC MOSFET可靠性实验 四种针对SiC MOSFET的非常规可靠性试验

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XSo9E_4OIpyKIeF4hKtjvg 拿在手里才真正能感受到，氧化镓材料发展真快，越来越大，越来越大，太大了…美国水牛城🐃DARPA项目组最近又更新了他们家β-Ga2O3 MOSFET研制进展，最新拉到了8558V，比之前8032V耐压更高了点。这几天很多搞投资和搞应用的朋友找我讨论，严重 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/d2Its2QSzR2QXUnvNgsF6g 功率超结MOSFET原理及类型 聊聊功率超结MOSFET原理及类型