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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UijKV0bmQuUEG0yqnhb5Fw 固态变压器（SST）丨基于机器学习的100kW、99%效率、70kV绝缘、漏感集成中频变压器的优化设计 本文提出基于机器学习的漏感集成中频变压器优化设计方法，利用LightGBM回归模型与NSGA-II算法，高效预测漏感、损耗与温升。制造并测试了100 kW ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3LbQJXUNzTkM6ihIrwUA2g 深入解析 | SiC MOSFET栅极驱动电路设计：从原理到实战 深入解析 | SiC MOSFET栅极驱动电路设计：从原理到实战

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3uWpdpOOlrhfmWyGl00DOA 固态变压器（SST）：增强韧性与可持续智能电网的催化剂 本文突出固态变压器（SST）作为智能电网催化剂，强调其通过并网与孤岛模式无缝切换提升韧性，支持可再生能源与电动汽车高效集成。相比传统变压器，固态变压器SST在灵活性、可控性和可 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vax2bD376hc02tZCUJWfrw 日本东芝电子：新型多层浮空场板MOSFET设计分析 作者提出了一种多层浮空FP-MOSFET，该设计显著降低了FP氧化层厚度，通过优化设计并使用高k材料，将元胞密度提高了61%-72%，并在100V级实现了23.3-24.5Ω·mm2的低比导通电阻， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VVjYIK1rOZ61ECaye8ybIw 1700V电荷平衡SiC MOSFET研制 制备1700V电荷平衡型SiC MOSFET，P柱在垂直于纸面方向上呈间断分布

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/bgAoXRW3oqSp14N1bcejQg 3300V SiC超结MOSFET器件短路及UIS能力 制备四种3300V SiC MOSFET器件，non-SJ、short-SJ、semi-SJ和full-SJ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1BlfiAvM5NUpue6ik5Q5cg 拿在手里才真正能感受到，氧化镓材料发展真快，越来越大，越来越大，太大了….新鲜出炉的氧化镓MOSFET器件，是的，是MOSFET，不是NiO组合协助下的JFET。看看测试时间水印，才刚刚从炉子里捞出来，基于国产氧化镓外延片，轻松超过了9000V，…. ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0-co0AWRFVVyqZACTR0csA 分裂栅功率MOSFET器件 左图为常规平面栅MOSFET，右图为分裂栅MOSFET（Spilt Gate，SG-MOS）， 常规平面型MOSFET，栅极完全覆盖JFET区域， 但在SG-MOS中，栅极一分为二，图中展示的左侧栅极与JFET区存在一段重叠距离（图中标注为0.5μm）， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3Sy1svjTkMWL78JrI4TBNQ 5000字长文——SiC与GaN器件之全面对比 对SiC、GaN器件，做一全面对比，包括材料、器件、性能、应用四大板块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9q-s19GAijM0TSB56TVSOg 新闻转载：近日，九峰山实验室在超宽禁带半导体领域取得重大进展，成功研制出基于国产同质外延片的击穿电压超过9000V的氧化镓横向MOSFET。这一成果标志着实验室在超高压氧化镓功率器件技术领域达到国际先进水平。9000V刷新氧化镓耐压世界纪录 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1SUe9D98215JjpwHY4nFTw SiC栅极筛选 (4)：高压脉冲和UIS对栅氧早期失效的筛除 文中将高栅压脉冲 (HVP) 和非钳位感性开关 (UIS) 测试结合，在室温下对未预筛的1.2kV SiC MOSFET进行封装后自动测试，无需高温长时，成本极低。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vo9Y8axSZ0aCrJ46yHLTCQ 一文看懂 | 功率模块内部拓扑、原理、典型应用与特点对比 一文看懂 | 功率模块内部拓扑、原理、典型应用与特点对比