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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9F8znt08OEW0Hv3j_8o7bg SiC Planar MOSFET形成沟道的核心工艺：Spacer工艺 SiC Planar(平面)MOSFET的沟道形成以及尺寸保持的核心就在于：Pwell注入后、Nplus注入前的Spacer工艺，其通过精妙的SiO2侧壁薄膜生长，使得器件沟道保持一致性。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hmQA0vRP2t0xQ4SUB6kdxQ Vth漂移对SiC MOSFET第三象限特性的影响 部分商用SiC MOSFET，即使施加-5V栅源电压，三象限沟道仍无法完全关断

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/M7y9qvBXEb5ed3gkwsJAsA 零电压开关下，SiC MOSFET器件选用标准 总结ZVS应用的器件选择标准：1）较小的内栅阻， 2）较小的Ciss，3）较大的Coss

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5lUV2RkkOAG60AF1oxHSCQ 一种基于固态变压器（SST）的新型控制拓扑，用于互联的中压和低压混合微电网 文提出基于SST的MV-LV混合微电网互联拓扑，采用线性电压-频率下垂控制实现自主功率共享。亮点在于次级控制通过传播效应同时调节各端口电压与频率，无需额外次级 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eViXOWGuV1YAU5r6eDl9YQ 最近参加了好几个业界百亿级碳化硅IDM大公司的技术交流，遇到了很多新老朋友们，相聚甚欢。过程中很多朋友都热烈讨论了德国BOSCH博世最近公布的碳化硅沟槽MOSFET及超结Gen3/4/5代的技术方案roadmap，器件结构设计和改进细节。..好几个朋友问 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uzG9mV9iub4akUueDyJGWA 一文看懂 | 深度分析AI算力中心的“心脏革命”：HVDC如何重塑数据中心供电格局？ 一文看懂 | 深度分析AI算力中心的“心脏革命”：HVDC如何重塑数据中心供电格局？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aE7agShGxNUcV9eq_wT52A 快克智能研究报告：焊接、碳化硅烧结设备表现亮眼

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DlyD6Nb5rQa0REVyWa3NUA SiC渗透边界位移：英飞凌CoolSiC拿下丰田bZ4X OBC/DC-DC定点 英飞凌于2026年2月9日官方宣布，其CoolSiC MOSFET拿到了丰田bZ4X的OBC（车载充电器）和DC/DC订单.

功率半导体(Power Semiconductor)-7 一文看懂，碳化硅(SiC)功率器件的设计、工作特性与可靠性 https://mp.weixin.qq.com/s/He_QW1_jI_IAdlD9CNDk-Q 本文深入探讨了碳化硅（SiC）技术领域，系统阐述了 SiC 功率器件的设计、工作特性与可靠性的核心要点，并全面梳理了 SiC 器件的技术发展进展。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/flE2JkCKUr56HPOSRhgG0g 功率器件信赖性实验中，导通电阻（Ron）上升是常见异常，微小增量也可能影响器件损耗、散热及电路稳定性。很多工程师排查时易抓不住重点，本文从封装，芯片两方面，拆解Ron上升核心原因，帮大家高效排查。本文以沟槽型SiC为例。导通电阻，是 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/u2iguimDpOkxkWv197lNGw 全球14条8英寸SiC晶圆产线进展统计 对全球目前的8英寸SiC产线做一简单统计

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wzdHRYisOjP1Q_mrOXumlg 中国实现 14 英寸碳化硅技术突破，全球大尺寸晶圆竞争持续升级

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oi0RjWOLmGbWrHAdymnAMA 深度解析 | 英飞凌 2000V CoolSiC™ MOSFET 模块参数特性、应用设计指南 深度解析 | 英飞凌 2000V CoolSiC™ MOSFET 模块参数特性、应用设计指南

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5BO8mznYT8kwHFTQjuqeRg MOSFET、MESFET、MISFET、MOSCAP、TFT到底谁是谁？ 读懂芯片世界的行话：MOSCAP、MOSFET、MESFET、TFT到底差在哪儿？

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sMuxqmqjJD5LPf2kGBH5HQ SiC MOSFET之BVDSS异常芯片失效机理 所谓BVDSS失效管芯，即那些BVDSS值相对较低，但仍符合规格要求的芯片