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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/k2Sno_1HH434sttXvcCaOA 拿在手里才真正能感受到，氧化镓材料发展真快，越来越大，越来越大，太大了…新鲜出炉的氧化镓MOSFET器件，是的，是MOSFET，不是NiO组合协助下的JFET。看看测试时间水印，才刚刚从炉子里捞出来，基于国产氧化镓外延片，轻松超过了9000V，… ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-zaI6EZEkGM3__lwoOatHA SiC栅极筛选 (3)：基于栅极漏电筛选栅氧早期失效 通过TDDB测试发现栅极漏电与栅氧寿命呈负相关

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/q0fNZGV6SB3NIHaFKgl_RQ 拿在手里才真正能感受到，氧化镓材料发展真快，越来越大，越来越大，太大了…..氧化镓材料，国内三年就到12寸，四年走完了碳化硅材料30年走的路程。而且越来越耐压了，..越来越耐压，而且不太理解为啥。今天下午快下班的时候，我们团队正在忙 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nY5qw2RjU3dvfT3rfETQVA 5家头部SiC企业商业分析 对上下游5家典型企业做一简单分析

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EbLtlXZxSvc9kmbcfcdAvw 这周参加了好几个公司的技术交流，过程中很多朋友都热烈讨论了德国BOSCH博世最近公布的碳化硅沟槽MOSFET及超结Gen3/4/5的技术方案roadmap中的结构设计和改进细节。..有朋友发给我一个博世布局的两侧深掩蔽沟槽结构改进的专利，说和二堡三四年 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/h2N9i3CLJsUrJ5Lo71ScMg 日本筑波大学：具有不同栅结构的1200V SiC MOSFET的抗雪崩和短路能力研究 SiC MOSFET具有较高的击穿电压、较低的导通电阻和较高的热导率，这是大功率和高频应用的理想选择。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TRWUl91qc3toQbrPasOkMg Infineon沟槽栅SiC MOSFET短路失效机制研究 限制 AT-MOS短路能力的关键因素是与热相关的栅氧化层退化，且沟槽拐角被认为是导致栅极泄漏电流的最脆弱区域

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mXaOReIs-Xqu5_V8l7yQVw 固态变压器（SST）：基础、拓扑结构、应用与未来挑战 本文全景式系统梳理了固态变压器的基本原理、拓扑演进与控制策略，从1968年麦克默里原型到现代多电平架构，清晰呈现技术脉络。文章以三级拓扑为主线，对比分析单级、两级结构优劣，并深 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wLPs094npZEiyCX-eqDGaQ 意法半导体GaN半桥栅极驱动器产品 意法半导体推出STDRIVEG210、STDRIVEG211氮化镓半桥栅极驱动器，专为工业或电信总线电压供电系统、72V电池系统以及110V交流市电供电设备设计， 该产品额定最大供电电压为220V，集成了线性稳压器，可生成高 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QlBaxLi96DOnlN_CqO4a4w 最详解读 | SST(固态变压器)深度技术架构、重点企业深度介绍与SST战略、面临挑战与未来趋势 最详解读 | SST（固态变压器）深度技术架构、重点企业深度介绍与SST战略、面临挑战与未来趋势 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/i8uYMR6uWQRrb8pND1GtwQ 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-8jKXk3iOgvRFWR2ZRRLag 固态变压器（SST）：技术、拓扑结构、应用、研究空白与未来方向的全面综述 本文超越常规综述，通过多标准比较矩阵与SWOT分析，系统评估了固态变压器的架构、宽禁带半导体及中频变压器。核心贡献在于揭示了组件成熟度与系统级保护、通信标准 ...

SiC MOSFET主流架构分析报告 https://mp.weixin.qq.com/s/HwpGbw2h42EBTqUZDKxNwg 以上内容来源于网络总结，如有不当之处请指正，图片有引用公众号晏小北，二堡两位仁兄的文章，谢谢！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2vTSbF5n1YxeIVIiQussTg 一文看懂 | 中国华南、华中、西南地区SiC功率器件厂商（多为IDM厂商）2026年最新动态【下】共48家 一文看懂 | 中国华南、华中、西南地区SiC功率器件厂商2026年最新动态【下】共48家 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/A5eFP5mNubfVk3XhP-5pwA 有好几个朋友留言问二堡同样的一个现象，说好像90%以上碳化硅器件线未来选择了两侧深掩蔽沟槽结构进行开发和布局，为啥突然🈶这种不约而同的默契呢？…这不奇怪啊。前几年嘛，大家伙儿🈶很多都说看不清未来是不是要走沟槽栅路线，平面未来在 ...