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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LQV4C_B7IhRVOSb-JtN0vg SiC/GaN器件之竞争 WBG（Wide Bandgap，宽禁带）半导体，国内称之为第三代半导体，典型代表是SiC、GaN, 相比Si，WBG材料具备更高的临界击穿场强和更高的热导率，这些优势使其能够实现更高耐压、更低导通电阻， 作为宽禁带半导体材料的代表 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VY09buQqH3WyzJLCU_vPSg 2026年5月6号，在韩国的电子元器件供应链会议期间，德国博世在会议和展览访问中进一步公开了2027年将要推出的第三代Gen3碳化硅沟槽MOSFET器件技术细节图，包括三维周期性布局接地设计，各个不同器件截面SEM图，以及ISPSD2026会议文章报告中对 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oAb9gCTwXDiStqwwwYsGJA 安森美SiC/Si器件栅氧可靠性对比 SiC平面型、SiC沟槽型，与Si器件的本征栅氧化层寿命无异

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yZxOeVBIetQcvwtngdLqWg AC BTI实验，SiC MOSFET之Vth漂移机理 由正应力引起的、稳定的、累积性的电子捕获效应逐渐占据主导地位，掩盖了负应力引起的瞬态效应

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5p0tuQTLrSXwwBuddzedZg 数据中心电源技术现状与展望 本文聚焦AI数据中心电源系统节能：采用SiC MOSFET的ZVS-UPS实现150kHz/9kW样机效率97%，宽禁带器件推动高频高密。固态变压器（SST）可替代工频变压器，实现中压直供、多端口新能源接入，其中非级联拓扑功率密度 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qIRfN-x8xINYEFsAgm-rSg 刚刚功率器件盛会ISPSD2026结束了，二堡自从做了几年光芯片之后，已经整整十年没再去过老美那边了，很遗憾，只能在朋友圈里“看”会。匆匆读了一遍朋友们发给我的一些论文和海报拍照，当然，二堡只关注碳化硅器件方面老外们有没啥特别新鲜的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TYkRgM-sBVSqW8N_ftTojQ 20kV SiC MOSFET制备 制备20kV SiC MOSFET，元胞间距7μm，栅氧厚度50nm，JFET区设计宽度3μm

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xFELP_ipT616WLnLAEPuJg 浙大盛况/王珩宇课题组：3kV级SiC全超结和半超结器件电荷不平衡超结终端研究 本文采用了沟槽填充再生长技术制备了3kV级全超结（Full SJ）和半超结（Semi SJ）肖特基二极管（SB ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uBwnvn5fw0T8cnfoIa9uFw 基于级联拓扑结构高功率密度固态变压器的关键技术研究 本文针对级联拓扑高功率密度固态变压器，研究了MMC/级联H桥/DAB三种拓扑下的磁心、绕组、绝缘及散热关键技术。采用环氧固封绝缘，通过方波谐波分析计算介质损耗，实验样机70 kHz下损耗 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vKdXfYo_K1_wCbWhKcSP7w 2023-2025年，二堡的碳化硅沟槽MOSFET从1200V-10kV开发全布局，在2.8um pitch都做到2mOhm*cm2以下，最低1.35mOhm*cm6, 抢“胡了”德国博世，全球首个split gate + 叠加“栅里打洞接地”，+叠加“双级双沟槽”，是个揉杂了一堆诡异元素的MOSFE ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AkYQdh7xmeUREjas0xsc2Q 前几篇文章里，我们系统聊了MOSFET芯片的Cell结构——栅极结构、N-drift区、P base区、P shielding区，每一层的作用和工作原理。读完之后cell结构应该清楚了，但拿到实际的MOSFET芯片，还是觉得看懂不懂整个芯片。这种感觉是准确的。从一个Ce ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8r1DLnR8SDmBqY8IbzlqeQ 2023-2025年，二堡的碳化硅沟槽MOSFET从1200V-10kV开发全布局，在2.8um pitch都做到2mOhm*cm2以下，最低1.35mOhm*cm6, 抢“胡了”德国博世，全球首个split gate + 叠加“栅里打洞接地”，+叠加“双级双沟槽”，是个揉杂了一堆诡异元素的MOSFE ...

SiC MOSFET规格参数中的Eon & Eoff https://mp.weixin.qq.com/s/JDzKEhv93_1xnOG6JCXNEw

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rKn5JWHbPMS3TVIM_9YKMw 最近一年多都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上下一代人工智能AI大芯片发展的大车。逻辑3D堆叠，Power也3D堆叠？有朋友问12寸碳化硅INTERPOSER咋集成背面供电的SiC power chiplet 或Si和GaN的power chiplet？在48V这么低电 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/g0qxEBmsnx7E443BmXUkHg 沟槽栅SiC MOSFET终端设计 提出一种用于沟槽栅SiC MOSFET的终端结构

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WxxsCK8oEdng_OXpGpYjGQ 高能注入SiC JFET器件制备 采用高能注入+沟槽刻蚀+侧壁注入工艺，制备SiC JFET器件