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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dhWn7IHZ8KU-EuaT2gxOUQ 平面/沟槽SiC MOSFET浪涌可靠性研究 研究平面/沟槽SiC MOSFET浪涌可靠性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7TBDPFz7CJzRs_0-ZrK2Xw 高dV/dt工况，SiC MOSFET的终端可靠性 研究高dV/dt条件下，SiC MOSFET的终端可靠性

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kxYgSqcqZONduWAOrq9sBg 一文看懂 | 中国华北、华东地区SiC功率器件厂商2026年最新动态【上】 一文看懂 | 中国华北、华东地区SiC功率器件厂商最新动态

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8yEZmtfShBHjC_75dH7NTA 聊起MOSFET芯片结构，很多人一看到密密麻麻的示意图就头大——各种N+、N-、P+、氧化层、栅极标注，仿佛在看天书。其实不用慌，我们先跳出复杂的图纸，用“Less is more”的思路，从核心需求出发，就能轻松搞懂它的核心结构。首先明确一个前提 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CTjEcF78-Xi9fElDa1w_xQ 场限环终端结构 对功率器件而言，曲率效应会使有源区边缘附近产生强电场，存在提前击穿风险，因此必须设置外围保护结构，即终端， Si器件中已开发出多种终端结构，台面终端常用于整流器和晶闸管，场板适用于低压领域，场限环和结终端则广泛 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0TubqHxwgvcXTUuNmKo9Eg ROHM第四代SiC MOSFET导通特性研究 当多个器件并联，且处于高温、低VGS工况下，需防止出现正反馈失效机制

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/O5UidvnbP7AAC_I1-gbsYA 为什么你的电车还在用90nm芯片，而英伟达Rubin已用上1.6nm？ 点击蓝字，关注我们一张图讲清：为啥英伟达Rubin用1.6nm，而你的电车还在“吃”90nm的芯片？芯片世界 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DFTBfU3eg2-areB5-rXcSQ 安森美1200V SiC MOSFET抗寄生导通能力研究 半桥拓扑开关应用中，SiC MOSFET的寄生导通问题备受关注

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/u0-aOEaTA3GsTRxTAjZTYw 三菱SiC MOSFET/Si IGBT最新产品路线 大家好，我是晏小北，懂点经济的理工男~

充电桩模块拓扑结构以及创新拓扑 https://mp.weixin.qq.com/s/H3L2ED4vzik7gYPVCwncqA 以上资料来源于公开网络介绍，如有不当，欢迎指正！谢谢！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vZJcpzEMWqr_YZJWhSMM_w 拿在手里才真正能感受到，氧化镓材料发展真快，越来越大了。既是超宽禁带UWBG，又有压电铁电光电等各种性能，还这么大尺寸，粉料原材料95%供应都在中国，三四年就从两寸做到了8英寸，历史上都没有发展这么快的氧化物半导体材料。忘记当年氧化 ...

【漫画版】2026半导体材料行业研究报告 https://mp.weixin.qq.com/s/OJlK3CMyqvUVU9lWmI7O2A 半导体材料行业研究报告，晶圆制造材料，芯片制造等#第三代半导体技术 #半导体芯片制造 #半导体材料行业报告 #HHC行行查解读 #硅片与碳化硅市场趋势 #半导体衬底材料解析 #半导体制造材料详解 #第三代半导体技术解析 #HHC行行查 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/umXvk6qUMUpIaO_X3j-y1w 新型单级隔离三相AC/DC转换器概念 面向数据中心与电动汽车充电，提出新型单级隔离三相AC/DC变换器。协同控制实现准单级效率；单片双向GaN开关简化拓扑；集成有源滤波器目标效率99%；矩阵型与X整流器系列采用SiC/GaN，支持单/三相兼容运行。 ...

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