[碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] 多电平变换器拓扑与调制策略
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多电平变换器拓扑与调制策略
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[今日半导体] 拟建6条SiC封测线！翠展微新项目，开工
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拟建6条SiC封测线！翠展微新项目，开工
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[功率半导体生态圈] IGBT 晶圆工艺：
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IGBT 晶圆工艺：
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[功率半导体生态圈] 功率半导体涨价潮延续：瑞萨电子年内二度调价，新价格2027年1月起生效
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功率半导体涨价潮延续：瑞萨电子年内二度调价，新价 ...
[功率半导体生态圈] 英伟达被查！
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英伟达被查！
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[芯氮鎵速记] 从外延生长到动态导通电阻退化，GaN HEMT设计全景指南
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从外延生长到动态导通电阻退化，GaN HEMT设计全景指 ...
[半导体行业观察] AMD，跻身前三！Fabless TOP 10出炉
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AMD，跻身前三！Fabless TOP 10出炉
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[苏州实验室的半导体之窗] SanRex 1200V SiC模块拆解- 成本与技术
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SanRex 1200V SiC模块拆解- 成本与技术
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[半导体行业观察] 博通，坐上了火箭
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博通，坐上了火箭
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[碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] ISOP-DAB变换器系统输入均压控制策略之考虑模块的输入阻抗影响
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ISOP-DAB变换器系统输入均压控制策略之考虑模块的输 ...
[功率半导体生态圈] 英诺赛科稳居第一，英飞凌升至第二！
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英诺赛科稳居第一，英飞凌升至第二！
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[功率半导体生态圈] 这一功率半导体企业完成A轮融资
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这一功率半导体企业完成A轮融资
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[碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] 新型可闭环控制di/dt 与 dv/dt：IGBT 门极驱动技术方案
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新型可闭环控制di/dt 与 dv/dt：IGBT 门极驱动技术方 ...
[芯语咔咔] SiC器件界面工程重磅解读｜将电子迁移率从3.5提升至38.6 cm²/V·s的氮注入MOS栅氧工艺
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SiC器件界面工程重磅解读｜将电子迁移率从3.5提升至3 ...
[功率半导体生态圈] SiC MOSFET与IGBT功率器件应用解析：面向电力电子产品开发人员的器件选型、方案设计与替代应用指南
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SiC MOSFET与IGBT功率器件应用解析：面向电力电子产 ...
[功率半导体生态圈] 罗姆推出650V IGBT 实现业界领先的低损耗特性
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罗姆推出650V IGBT 实现业界领先的低损耗特性
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[芯氮鎵速记] 化繁为简的IDM工艺革新：免刻蚀双沟道 GaN HEMT架构或成高频电源破局点
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化繁为简的IDM工艺革新：免刻蚀双沟道 GaN HEMT架构 ...
[三代半食堂] 英伟达800V HVDC生态链资本动作与产业逻辑
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英伟达800V HVDC生态链资本动作与产业逻辑
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[今日半导体] 年产6万片！SiC衬底厂产线，遭拍卖
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年产6万片！SiC衬底厂产线，遭拍卖
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[功率半导体生态圈] 臻鼎集团斥资逾120亿元深圳投建先进封装载板基地
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臻鼎集团斥资逾120亿元深圳投建先进封装载板基地
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