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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GaR6-LV5To9gygf9VOsVLw 三种沟槽栅SiC MOSFET栅极开关应力退化机制对比 点击阅读原文，立即报名第二届先进光子术研讨会！ #SiC#MOSFET

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Q8VsV3KtJvh85ex0Iv2gaA 长存"放手"新芯：39%股权划转获批，武汉存储双雄走向"分体上市" 点击阅读原文，立即报名第二届先进光子术研讨会！ #存储

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JAc2lbbwpkUrH3kyQNp50g 5家GaN企业披露合作进展，涉及AIDC等 点击阅读原文，立即报名第二届先进光子术研讨会！ #GaN#AI

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9bqw0kzFurOlfpYOx8WSYg 又一出碳化硅的烂尾戏，谁之过？ 点击阅读原文，立即报名第二届先进光子术研讨会！ #SiC

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7L4iVKgDhbJEgZkA_-UCgg 碳化硅沟槽刻蚀最新方向：ICP(粗刻蚀)+ALE（沟槽表面微整形）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Tkz_UsS-l9d2h_DGyu5TeQ 碳化硅（SiC）MOSFET栅氧ALD硼源技术 SiC MOSFET量产的核心瓶颈是SiC/SiO₂栅氧界面缺陷。 优佳漫智能无线蓝牙耳机挂耳式 无损音质超长续航防水防汗狂甩不掉 全民K歌 录歌 接打电话 游戏音乐 ALD硼源依托原子层沉积自限制逐层成膜的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/n4wJoBuSWvWTgA1BiXUy6g 2026碳化硅器件最新进展：8英寸量产普及，国产全产业链强势突围 近两年，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，彻底告别小众赛道，成为新能源汽车、AI算力、新型电力系统的核 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jK1WvxLktZlZl9aDlkEVKw 要解决SiC栅氧高缺陷，不要忽略“SiC表层有序硅酸盐单层的形成 ” 前记：蛮久没有更新了，最近抽空翻了翻之前的文献，发现栅氧形成前SiC表层网络结构对栅氧界面缺陷有着重大的影响， ...