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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/18VVMFSSDMt6JrkJNVXk9w 全球14条8英寸SiC晶圆产线进展统计 对全球目前的8英寸SiC产线做一简单统计

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SJG9s9ysAqXm7VoXiqNg1A SiC MOSFET器件BTI及TDDB可靠性研究 对比两款商用SiC MOSFET器件在偏压温度不稳定性（BTI）、经时介质击穿（TDDB）可靠性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/z5W-S_acWnW6L6IrMiW71w SiC MOSFET丨非侵入式开关损耗测量与双脉冲测试：准确性分析 针对SiC MOSFET开关损耗测量，对比分析对偶法与双脉冲测试的精度。对偶法通过直流测量间接计算损耗，非侵入且无时序误差，但高度依赖模型精度，需抑制电流纹波并控制结温。双脉 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7qVTubFvyZGOSFyFtNJelA 隔离技术 | 深度解析SiC驱动三大隔离技术：磁隔离、电容隔离还是光耦？SiC驱动器选型的全维度避坑指南 隔离技术 | 深度解析SiC驱动三大隔离技术：磁隔离、电容隔离还是光耦？SiC驱动器选型的全维度避坑指南 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_MvsA-gPxe7WqAc96KUVqQ SiC器件UIS测试 (3)：MOSFET过渡区的UIS失效机理 文章研究了4H-SiC MOSFET在非钳位感性开关 (UIS) 测试期间，发生在栅极焊盘 (pad) 周围过渡区的失效，失效位于主结上的栅氧 (GOX) / 场氧 (FOX) 界面处。 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/c4G0mQgLb8iSuaMN00Uqqw 德国博世公布其未来五年SiC Trench MOSFET器件技术方案路线

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/gkrWIhj-2YbKiuFKeG7KdA 大功率高频变压器关键技术与发展趋势 大功率高频变压器作为固态变压器核心部件，面临高频损耗、绝缘散热矛盾及设计测试三大挑战。需突破非线性趋肤效应建模、电-磁-热-力多场耦合设计等难题，未来发展趋势集中于高频低损耗材料、高性能绝缘 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/capOvSgbUCsPUw316udNvQ “十五五”规划已发布，明确推动宽禁带、超宽禁带半导体发展，为功率半导体指明方向。借此，作者计划用几个月时间，和大家聊聊宽禁带半导体核心话题。我们将围绕碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石展开——SiC、GaN已 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/P7v_Nl8ACuUH9-He3-8RJw 应用于配电网的新型集约化固态变压器（SST）关键技术研究 针对传统级联H桥固态变压器元件多、成本高、损耗大等痛点，提出隔离型模块化多电平固态变压器(IMMSST)。该拓扑每相仅用一台高频变压器，大幅减少IGBT与变压器数量，降低系统复杂度 ...

功率半导体(Power Semiconductor)-6 一文看懂，高性能 SiC 半导体器件制造所需的核心精密工艺 https://mp.weixin.qq.com/s/usjqEJenDEJx7cq2ru-awQ 在半导体技术飞速发展的领域中，碳化硅（SiC）器件制造始终处于创新前沿。本章全面阐述了高性能 SiC 半导体器件制造所需的核心精密工艺。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DBJMbrC3q7eOUmTIk9br8A 来自成电的研究：一种可降低反向恢复电荷且具有自调整电子路径的SJ-MOSFET 作者提出了一种具有自调整电子路径（Self-adjust electron path，SEP）的新型SJ-MO

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xg0RzIo0MN_PZdgL0kF_eA 三维欧姆接触SiC MOSFET制备 将欧姆接触做到半导体内部，而非半导体表面，以抠出一点元胞间距

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