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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/HuocK_kaSpk8nGds9iMsmQ 宽直流输出电压范围 降压-升压 6模块Y型整流器，具有三相和单相操作的全功率输出 宽直流输出电压范围 降压-升压 6模块Y型整流器通过拓扑重组（三相2并/单相3并），解决了宽电压范围与多制式电网兼容难题。11kW样机实现98.6%峰值效率与9.4kW ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Xq6fDRyzcX8u_jKmUrOLnw 日本和欧洲那边的碳化硅沟槽及超结计划和产品迭代又又又加快了！......德国博世的碳化硅器件首席技术专家Jens Baringhaus先生最近公布了BOSCH未来五年碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术方案roadmap和相关结构演进，设计改进。昨天聊到，二堡团 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tAETlPtsdGSIFP1tndae9g ROHM二代、三代SiC MOSFET产品 如上，ROHM第二代、第三代SiC MOSFET产品示意图，左边为二代，右边为三代， 前者是平面型，后者是沟槽型， ROHM的沟槽MOSFET结构与众不同，除了在栅极区域挖槽形成沟槽外，在源极区域也形成沟槽，业界称之为 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6BokbItw12_EZdo6EMmnBA 日本和欧洲那边的碳化硅沟槽及超结计划和产品迭代又又又加快了！......德国博世的碳化硅器件首席技术专家Jens Baringhaus先生最近公布了BOSCH未来五年碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术方案roadmap和相关结构演进，设计改进。这其中，2031年开 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/knqgvismnF9GvFMuXXz_ew 并联应用 | SiC MOS 单管 / 模块并联避坑指南：从器件参数到应用的核心要点 并联应用 | SiC MOS 单管 / 模块并联避坑指南：从器件参数到应用的核心要点

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/y7L5uEsccZt64UPV1feBIA SiC器件UIS测试 (2)：界面陷阱电荷的影响 界面固定陷阱电荷 (Traps) 决定了雪崩漏极电流的退化程度，并使沟道更容易被激活

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XQmoxK72V38Ht8NrqjVuRQ 工艺研究 | 碳化硅外延厚度对器件级影响、全流程工艺解析与国内外延厂商全景（2026） 工艺研究 | 碳化硅外延厚度对器件级影响、全流程工艺解析与国内外延厂商全景（2026） ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9_clua8LWfnmOFqS9gwm3w 固态变压器（SST）的本质：基础、设计挑战、研发概述、比较评价与前景 固态变压器SST）通过高频化实现设备小型化与主动控制，关键驱动在于轨道交通、数据中心等场景。其核心技术包含高频隔离变压器、SiC器件与模块化拓扑，但绝缘散热矛盾与 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5__2HeLJ2lmOxeXmRR4iEQ 欧洲那边的德国博世公司刚刚公布了它家五年计划，碳化硅沟槽及超结计划和产品迭代又加快了！..很多朋友留言问二堡这个第四代究竟是个啥结构？做了哪些改进？博世roadmap图上第五代沟槽超结很清晰只是在两侧深掩蔽沟槽下面加上了超结P-柱子， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hAYF_dWszoc9FZeBn9Fl5Q SiC器件终端研究：场限环、JTE及其复合结构 SiC器件终端设计不能直接照搬Si器件方案，必须综合衡量耐压能力、可靠性以及终端面积进行设计

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/r2r5-ezo7vHOWO-0iMyl7g 国产芯片“卷”出续航新里程：比头发丝还薄的晶圆，如何改写电车未来？ 点击蓝字，关注我们把晶圆磨到比头发丝还薄，国产功率芯片“卷”对方向了吗？上海松江一条新产线的量产，让功率芯片 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OSxYEhWXXs7r6BP_h9WTMw 日本和欧洲那边的碳化硅沟槽及超结计划和产品迭代又又又加快了！德国博世的碳化硅器件首席技术专家Jens Baringhaus先生最近公布了BOSCH未来五年碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术方案roadmap和相关结构演进，设计改进。二堡仔细看了下，很高兴 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QNrrDKAHCKfCs6ZXi2dJMw 【热管理好会，点开便知】 “2026第五届先进热管理技术峰会暨AI与AI智能体开发者论坛”将于3月23-24日在中国上海举办，本次论坛由车乾信息&热设计网主办 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Yt6Ys747DPZS-lliLUuzbQ 聚焦宽禁带半导体前沿热点：2026全国宽禁带半导体研讨会参会指南 为便于科研工作者、青年学者、研究生及产业界同仁及时了解会议信息，现将“2026全国宽禁带半导体技术与材料器件发 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yRrMcrX2zrEXmW7PEdgTfw SiC MOSFET器件DGB实验详解 SiC器件中，AC BTI漂移量，可能大于DC BTI漂移量，需要纳入可靠性标准

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