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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6k4eDTJ0tCry27aGAuJl9g 今天我们来聊一聊功率半导体中一项非常重要的可靠性测试—功率循环。网上关于功率循环的资料已经非常多，本文不做重复科普，而是从最本质的原理出发，理解功率循环中结温上升的真正逻辑，让大家在做功率循环失效分析时，真正做到事半功倍。一 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9cE9sIOll11oAOLpMSHZqg SiC MOSFET器件BTI及TDDB可靠性研究 对比两款商用SiC MOSFET器件在偏压温度不稳定性（BTI）、经时介质击穿（TDDB）可靠性

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I7jWTRhXnMEVb6wdpD5hBw 伦斯勒理工学院和GE的联合研究：4.5kV级双向超结SiC MOSFET 利用两个单向（Unidirectional，UD）4.5kV的超结SiC MOSFET实现了是双向（Bidirectional，BD）超结SiC MOSFET。室温下，共漏极(Common-Drain，CD)和共源极(Common-Source，CS)结 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3cqqFwsFIX7NeCYolf6Iqg 三菱Unifull™系列SiC功率模块产品 SiC技术在牵引应用中的核心价值，体现在对转换器设计、磁性元件和热裕量的系统级优化，而非单纯器件层面的性能提升

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V1coJAvkhuXr6NPVBfMdTQ SiC功率模块在家电领域的性能优势 三菱推出两款引入SiC技术的功率模块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Q9pp3c8IMqf5dwOhshPhug 注入工艺对SiC MOSFET栅氧质量的影响 SiC MOSFET实际制造中，源区先进行磷离子注入，在后续的高温工艺中，磷原子可能会从被消耗的SiC层进入栅氧化层

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UDLYiCXCM0wWoxS4hM9T8g Infineon沟槽栅SiC MOSFET器件结构 左图为平面栅SiC MOSFET，右图为Infineon沟槽栅SiC MOSFET（CoolSiC™ MOSFET）， Infineon沟槽栅SiC MOSFET在栅槽一侧及部分底部形成屏蔽区，通过牺牲一半导电沟道，换取良好屏蔽效果， 此外Infineon将 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nXZSqaA0CHbawbIKuKaXdg 深度解码“十五五”：6大支柱+6大未来，数十万亿新赛道全景图，功率半导体厂商“黄金机会”解析 深度解码“十五五”：6大支柱+6大未来，数十万亿新赛道全景图，功率半导体厂商“黄金机会”解析 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/98cA-sNjdUO1u7v6PqGcnA 沟槽栅SiC MOSFET雪崩能力研究 在多数负载电感条件下，SiC MOSFET器件的UIS能力随Rbpg的增大而下降

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/W09HgQXFncWmzK-mFUTYpw SiC MOSFET如何提升沟道迁移率 将相邻沟槽之间的SiC材料做得极窄，可利用FinFET效应，极大提升沟道迁移率

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jxFXGfRzX6qZzvYrPquPSA SiC器件UIS测试 (1)：UIS失效机理 文章讨论了SiCMOSFET栅氧的早期失效机制，包括局部减薄模型、“幸运”缺陷模型。

【免费门票】功率半导体-ATC汽车动力展报名开启，技术、人脉、商机一站式解锁！ https://mp.weixin.qq.com/s/5eqIOIDPDv2IHOZslha9jg 摘要：由于半导体行业体系庞大，理论知识繁杂，我们将通过多个期次和专题进行全面整理讲解。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rWJBr1Ryg0p4gycyDNpDyw 固态变压器（SST）丨用于优化中频变压器绝缘设计的电场计算方法比较 针对中频变压器绝缘体积占比大的问题，本文比较了施瓦茨-克里斯托费尔变换(SCT)、电荷模拟法(CSM)与解析法的电场计算精度。以近4000次有限元分析为基准，CSM在所有关键区 ...

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