功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FvG1cAld1-8lK63QxSSGag 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AFKmYbrItZsTA92774HHNA 第一款沟槽栅功率MOSFET器件 电流路径被挤压得更厉害，在此处发生严重堵车，车流量骤降

2026先进封装报告【漫画版】 https://mp.weixin.qq.com/s/We6NBCRT1Zzd0TCr0HZinQ 先进封装 设备 材料 半导体工艺 功率模块 芯片制造芯片工艺研发 #芯片制造工艺 #半导体工艺创新 #芯片封装工艺流程 #封装技术发展趋势 #先进封装技术解析 #晶圆级封装详解 #封装材料选择指南 #封装技术优劣分析 #科技爱好者必读 #芯片封装 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/k6oKlNWzJp9QJETMRUEIcQ 固态变压器（SST）丨一种通用的中频变压器绝缘设计框架：空气绝缘案例研究 针对中频变压器(MFT)绝缘距离占用体积问题，本文提出通用两步法框架，计算设计曲线以优化距离。应用于箔卷式空气绝缘MFT，设计电压8.5 kV下击穿低于10 pC。相比传 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NRKFE9bp5z1y5s8mPoiBPQ 致命冲击 | 中东战事撕开功率半导体供应链软肋：如果持续3 个月，谁能躲过断供涨价劫？ 致命冲击 | 中东战事撕开功率半导体供应链软肋：如果持续3 个月，谁能躲过断供涨价劫？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5WOVV1-YOz2cEkjDk_CS4w P阱横向散射对SiC MOSFET性能的影响 对1200V SiC MOSFET，如果不考虑P阱横向散射，实际JFET宽度会偏离实现最低比导通电阻所需的JFET宽度

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nBQKA43MzpdkNxzYEbrezQ 沟槽栅功率MOSFET制备工艺发展 在1994年慕尼黑国际电子展，沟槽栅功率MOSFET终于作为商用分立器件推出

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zqLSw2ojglUqm62Uaf9LKg 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OBS9ImNGCw4Fw-RNPCu5Ng 固态变压器（SST）的基础原理、工业应用与挑战 固态变压器(SST)用高频电力电子实现设备小型化与主动调控，核心驱动力源于数据中心、快充等新需求。关键在于高频隔离变压器、SiC器件与模块化设计。但绝缘与散热矛盾、系统复杂性使其难敌传统 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NGgt3mT-O9zkaJxFJz57cg ROHM第四代SiC MOSFET与Si器件对比 相比Si SJ MOSFET，ROHM四代SiC MOSFET的电流密度优势明显

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JvEa6fEu54WPmcnXwRwoNQ 功率MOFET的米勒效应 米勒效应适用于任何具备电压增益的器件，比如BJT、比如功率MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/D-XjzcTzC6W-UMWQNnYt8A 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0fDzrXopPeEzS2oHQb7waw 国产功率芯片涨价10%背后：一场硬仗才刚刚开始 点击蓝字，关注我们功率芯片涨价10%背后：国产替代的“深水区”与“硬骨头”市场传来的涨价通知，看似是国产功率 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/w3JEhGRAfXV8Ul4qT5rchw 苏黎世联邦理工学院丨固态变压器（SST） — 启蒙的坡度 固态变压器（SST）步入启蒙斜坡：3.3KV/6.5KV/10kV SiC器件赋能高功率密度，牵引应用已验证减重增效（体积减半、效率97%+），数据中心AC-DC方案效率达98.25%。电网样机受模块化惩罚与 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/an0MwQy3lS4yqdXbxbq36g 微电子所：SiC MOSFET过渡区UIS失效机理分析 此研究成果揭示了4H-SiC MOSFET在非钳位电感开关（Unclamped Inductive Switching，UIS）测试中的一种未被发现的失效机理。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LuQS3BRUK-Us5xjC9OSx0w 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XUKswIvC-nRhTTAr0gYtHQ 固态变压器（SST）的本质 固态变压器（SST）采用中频隔离实现体积锐减与功率全控，核心驱动力源于牵引减重与智能电网。多单元级联是主流方案，HC-DCM-SRC实现ZCS自均压。AC-DC/DC-DC优势显著（数据中心、风电），AC-AC效率成本劣于传统变压 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qCPgP6o1WOhrLg94RcKonA 继续1200V-1700V高压WBG混合集成技术的调研学习。有朋友留言问二堡为啥学习这么多五花八门的芯片技术，和工作有关系么？其实很多时候没啥关系，这和很多朋友业余喜欢研究宇宙外星生物，或者爱研究钓鱼🎣一样，是个业余爱好。如果要引入WBG混 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WD22FBG4sE6tnbrK4_japQ 罗姆SiC MOSFE产品发展历程 2010年首次实现平面型SiC MOSFET量产，2012年首次实现全SiC功率模块量产，2015年首次实现沟槽型SiC MOSFET量产

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RhURIOpZXrtD-JcQf6UOMw 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET之PCB电路布局 所谓电路布局，就是在性能、可靠性和空间限制三者之间，取得最佳trade-off