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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/E6vXqMXdYMrKDu9PPtSr0Q Si、SiC器件之差异 在化合物半导体材料中，碳化硅（SiC）的一大显著优势是——能借用硅器件的诸多概念和工艺。 用于验证硅器件长期稳定性的很多方法，可以直接用在SiC器件上。 但，SiC器件还需要进行一些，不同于Si器件的可靠性试验。 SiC ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aiq2BA8VP1u52zc7P6yhhw SiC JFET与GaN HEMT级联器件研制 S-G器件在所有关键开关指标上均显著优于S-Si器件，包括更快的开关速度、更低的开关损耗

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sKP6DUq8Ss95kuh1gUUQ9w 上周提到，在韩国的电子元器件供应链会议期间，德国博世在会议和展览访问中进一步公开了2027年将要出的第三代Gen3碳化硅沟槽MOSFET器件技术细节图，包括三维周期性布局接地设计，各个不同器件截面SEM图。有几个朋友留言问了类似的问题：二堡 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qLvknuS6tjHd_Ad3FmNTKg 下一代超紧凑/高效数据中心电源模块 本文面向数据中心服务器电源，提出超紧凑LLC模块：采用蛇形磁芯矩阵变压器消除并联副边环流，混合CCM/DCM控制在300-430V宽输入下全负载ZVS。1.5kW模块峰值效率96.7%、功率密度308W/in³，双模块IPOP组成 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/O28L1ZfpVfCR8fZKKNmG8g 上周提到，在韩国的电子元器件供应链会议期间，德国博世在会议和展览访问中进一步公开了2027年将要出的第三代Gen3碳化硅沟槽MOSFET器件技术细节图，包括三维周期性布局接地设计，各个不同器件截面SEM图。很多朋友留言说没找到相关资料图片和 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YTgwS4erCGUG25TU7fLQBQ Vth漂移对SiC MOSFET第三象限特性的影响 部分商用SiC MOSFET，即使施加-5V栅源电压，三象限沟道仍无法完全关断

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3CBgKD4RvVAuZROQz3EV1g 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（5）- 关态下的栅氧可靠性 为了验证关断状态下的电场不会导致CoolSiC™ MOSFET的栅氧FIT率显著增加，英飞凌开发了一套独立的关断状态马拉松应力试验方法。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/al51Q2qdFvwzpg9HrbKHxg 硅基金刚石越做越大了！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/L1Q8wUNEuBTEPgKJO4XyZQ 超紧凑封装高压串联 SiCMOSFET 脉冲功率模块 本文提出π形超紧凑封装，将16级/20kV SiC MOSFET串联模块寄生电感降至55.8nH；利用共模电荷监测与hBN改性灌封料，将PDIV提升至24.94kV；采用分单元磁隔离-电容自触发混合驱动，实现26ns内同步 ...

文献阅读_沟槽 SiC LDMOS https://mp.weixin.qq.com/s/jd8_VHMkDkn0jun7-gVrWQ 1.概述新型碳化硅（SiC）RESURF LDMOS 器件，集成沟槽型 Ptop 层、双沟槽栅与埋 P 层复合

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/O7qp2MXG5Hyo9uQBZ5-1Qw 晚上遇到几个搞硅光芯片的老朋友，一起喝了杯，瞎聊了会，很感慨几个千亿级IPO带来的硅光CPO创业热潮震撼力。随着英伟达CPO技术落地的临近，今年有了大把热钱的GPU创业公司都想自己下场搞CPO，都想要取消“中间商”，要革光模块的命…这是要 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zcHnhrF4X4c9Ic7rTACulA 问卷调查 | 2025年哪些国产碳化硅MOS厂商真实营收过亿？ 问卷调查 | 2025年哪些国产碳化硅MOS厂商真实营收过亿？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/p-IHvJ96UNJdSbLMR6Bo4w 高压碳化硅器件无线取能型隔离电源的绝缘特性 本文系统揭示了WPT隔离取能电源中隔离距离、匝数、线径对电场与局部放电的影响规律：增大隔离距离可提升PDIV 36%并抑制放电，匝数10~12、线径1~2 mm为优选。发现空气介质下放电“先缓后急”， ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SSNlq2QR8YZ3l2irJ67hGw 昨天，在韩国的电子元器件供应链会议期间，德国博世在会议和展览访问中进一步公开了2027年将要（出的第三代Gen3碳化硅沟槽MOSFET器件技术细节图，包括三维周期性布局接地设计，各个不同器件截面SEM图，看来博世公司是非常喜欢二堡团队2023年 ...