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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/L2zam98_OrSY-CeSvvCrng 固态变压器（SST）的关键设计挑战、适用性及未来概念 固态变压器（SST）采用中频隔离实现体积重量锐减与功率全控，但面临多单元拓扑、中频变压器、绝缘、保护等11大挑战。AC-AC电网应用效率成本劣于传统变压器，AC-DC及DC-DC优势显著。适用 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kIfPfCPUJsA1fXhYlgJT0Q 英飞凌3.3kV SiC MOSFET器件设计 CoolSiC™技术可根据XHP2™模块和目标应用场景的不同特点，进行定制化设计，从而实现导通电阻、短路能力以及开关特性之间更合适的权衡关系 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Y3RQ6ndcWb2iXpqJ2rrfSQ Infineon沟槽栅SiC MOSFET短路失效机制研究 限制 AT-MOS短路能力的关键因素是与热相关的栅氧化层退化，且沟槽拐角被认为是导致栅极泄漏电流的最脆弱区域

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/U3rSpqXjkCv9kjGqyUeNVw 固态变压器（SST）的研究挑战与未来展望 固态变压器（SST）实现功率全控与中频隔离，但面临拓扑、半导体、中频变压器、保护、效率成本等十大挑战。虽非替代传统变压器，但在牵引、舰船、风电、微电网等局部系统优势显著。AC/DC SST效率达98 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/D-QDiI2_VSSSbulmzqPbQQ 固态变压器基础 / 未来应用 固态变压器（SST）采用中频隔离实现体积锐减，支持双向功率流，是能源互联网核心。虽非替代传统变压器，但凭借功率全可控，在牵引、多电飞机、舰船、风电等局部系统优势显著。当前挑战为损耗（2-6%）与成本，适 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/J9JACCxGge91i_XW3Qov5Q 最近几周听说老美那边在能源部组织下又要发新项目了，周期是2027-2030，重点布局第四代半导体氧化镓和金刚石，冲刺十GW量级超高压脉冲能量电源控制。其中一种主要器件需求方案，就是万伏千安级别的氧化镓光导辅助开关器件PCAS，毕竟在能耐几 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/73edD7PHU-cmxVEcVj3H9Q 6000字长文——沟槽栅功率MOSFET之由来 从BJT和横向MOSFET的缺点→V型槽功率MOSFET→矩形槽功率MOSFET→深P区沟槽栅功率MOSFET→间断分布深P区沟槽栅功率MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/e3YsGnPpKKeAdsGq5McPvg 5000字长文——SiC与GaN器件之全面对比 对SiC、GaN器件，做一全面对比，包括材料、器件、性能、应用四大板块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Bkz4ADPD4mb8_XTVEq5aWA 新型中压固态变压器（SST）技术 本文系统研究（SST）的核心技术，实现了轻量化空心变压器16.5 kW/kg和高效率磁芯变压器（99.7%）样机。针对SST的功率半导体级，提出五电平飞跨电容变换器准两电平运行及单元多重开关电压平衡法，并构建集成 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5rcVHdYMxfc2NLNWbq-tSA 大咖云集！(3月17日) “SPT2026功率半导体与先进封装技术论坛”演讲嘉宾阵容大曝光 点击蓝字关注我们由佰事前沿主办的“SPT2026功率半导体与先进封装技术论坛”将于3月17日在上海正式举办！ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aXU-h2wFNMMKQtyP68mlgg 技术解密 | 功率模块外部连接技术Solder PIN（焊接引脚）与 Press Fit PIN（鱼眼引脚）深度技术对比 技术解密 | 功率模块外部连接技术Solder PIN（焊接引脚）与 Press Fit PIN（鱼眼引脚）深度技术对比 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F3oCOtlmWImkEVwTF4JWvA 继续WBG混合集成的调研学习笔记。把不同半导体的特色通过集成的方式结合起来，总是个让人着迷的技术。昨天有朋友留言问为啥采用SOI-BCD还要结合点宽禁带材料？把WBG耐压层放硅顶上那样能直接外延生长如GaN行不行？我感觉也没问题啊。我只是专 ...

中南微电子封装团队研究介绍 | 功率芯片可靠性篇（2） https://mp.weixin.qq.com/s/NNODdJsJJPy3my_9JlT0lQ 中南微电子封装团队与工信部电子5所团队合作（以下简称研究团队），围绕SiC MOSFET的可靠性评估与失效机理开展了一系列研究工作。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RFuswUzyznNlsa25Jn3L3w 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯