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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-et4URASHNDyEdjEum8tOw 高能注入SiC JFET器件制备 采用高能注入+沟槽刻蚀+侧壁注入工艺，制备SiC JFET器件

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8-8NflVi8_UBC2USg2hd8g SiC超结MOSFET短路能力研究 引入超结结构可以提升导通特性-短路能力的trade-off

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XeaQ30S_148NsynjOlhemw 有🈶朋友留言说二堡最近太爱吹牛了，没有原文的数据都不太敢相信二堡的产业新闻🐙，建议二堡要把新闻来源和原文附上。做两侧深掩蔽沟槽IP的大公司经过实际的碳化硅MOS产品生产发货上车实践验证之后，终于还是想明白了，沟槽栅极底下加个周期 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KbB0tqlvs7Upf24asX4nEA 未来数据中心的MVAC-LVDC混合型和固态变压器（SST）概念 本文比较了数据中心中压交流-低压直流接口方案：690V交流与±400V直流效率相近；SST因模块化代价大，整机效率仅98%、功率密度0.05kW/dm³；12脉波整流+有源滤波器效率最高（98.5%） ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Kv1mFdKRKGSiheIZOfVS-g 国产差在哪？国产功率器件与英飞凌等国际品牌的差距分析？主要指标、应用影响、存在一致性不好的原因？ 国产差在哪？国产功率器件与英飞凌等国际品牌的差距分析？主要指标、应用影响、存在一致性不好的原因？ ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/q82m3r3SBmslYjvre7QmyQ SiC超结SBD器件制备 采用沟槽刻蚀+外延填充工艺，制备SiC TE-SJ SBD器件

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Xf4dcOZF7NcPMFDZKZyPuw 欢迎有流片需求的朋友们积极联系，咱们用自动化工业化量产Fab平台设备的稳定工艺，批量生产挑战世界最高性能的氧化镓新型器件！最齐全的2寸，4寸，6寸，8寸Ga2O3完整 晶圆及芯片研发流片验证平台，齐了！----------------------------/////// ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XLx5u-2oJIRXQ1G1fKxjGQ 固态变压器（SST）：概念、拓扑及其在智能电网中的应用概述 本文综述固态变压器（SST）的拓扑与智能电网应用。相比传统变压器，SST体积小、功能强，可调压、限流、无功补偿、接入分布式能源、实现双向功率。单级至三级拓扑各有利弊，高频变 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PETAhA73zhjO7GOEDP1zyA 在高频高压开关电源设计领域，如果只用一个词形容功率半导体的技术竞赛，那一定是“降本增效”——用更低的导通电阻承

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/k7tw_APe_mkuZ40A5mZFtA 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（1）- SiC MOSFET栅氧可靠性介绍 过去十年SiC 技术已发展得基本成熟，SiC MOS 器件的栅极氧化层可靠性已逐步取得改进。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Xa-BH8T0YX9Is5TMoqgghg Infineon面向AI数据中心的电源供应单元设计 英飞凌推出12kW高性能电源供应单元（Power-Supply Units，PSU）设计，专为AI数据中心与服务器应用打造， 该设计可兼容Si、SiC、GaN等全系列半导体材料器件，旨在实现更高效率和更高的功率密度。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qSF8KhY4xQnQLnsSpDjGmA IGBT炸了车还能跑？解析华为故障容错技术：电机控制器短路隔离专利 IGBT炸了车还能跑？解析华为故障容错技术：电机控制器短路隔离专利

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vmLD-exFwDyqigRzFh_XIA 上篇文章中简单地介绍了 MOSFET 芯片的结构，最易懂的SiC MOSFET 芯片结构解说，这篇让我们更进一步来看一下，结构图中那些 N⁺、N⁻ 是什么意思。这些加减号指的是掺杂浓度的相对高低。+ 表示高掺杂，− 表示低掺杂，没有标记则表示中等掺杂 ...

文献学习_SiC沟槽器件 https://mp.weixin.qq.com/s/A6iSYp8XDsBS6FNThdBqjQ 1.前言：SiC MOSFET器件工作在第三象限反向续流时，由于体二极管在长时间导通下易发生双极退化，显著劣化器件的电学性能。现存集成二极管的SiC MOSFET方案在正向与反向传导电流共享MOS沟道，但存在低反向导通电压与合理阈值电压之间折中问题。 2 ...