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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OXKbMp9iz0NSNFbZIZWRKA 技术的本质——从集成电路和IGBT说起 技术是对自然现象的驯服，是一种人造的流程

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功率半导体(Power Semiconductor)-5 一文看懂，BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术的演进、关键赋能器及未来挑战 https://mp.weixin.qq.com/s/uGhO9ZEmA4dj6266VAQdFA BCD技术于1980年代中期引入业界，沿三个主轴（高压、高功率和高密度）针对特定应用领域不断发展 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QXnLIKuTXyUqh6YYXJ4HqA SiC MOSFET器件DGB实验详解 SiC器件中，AC BTI漂移量，可能大于DC BTI漂移量，需要纳入可靠性标准

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lUIBcXepB_bbgCGKWgA5gg SiC/GaN器件在AI供电系统中的应用 将性价比最高的材料器件，放在合适的位置

LLC&DAB&CLLC拓扑 https://mp.weixin.qq.com/s/q-3sXMDcCyCqD2mbyiyZAA

SiC MOSFET中的衬底外延缺陷 https://mp.weixin.qq.com/s/apXwjcDoN4r1gNscUGgrCg

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oIvbIcVSIzE-Wc7mtvRMXQ 国产芯片大突破！电动车的“续航恐惧症”，这次真要治好了！ 中国功率半导体逆袭在即！SiC/GaN新突破，电动车续航/充电速度要被国产厂商重新定义？

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CwKzjj1-vUQ3ZRACo2f2PA 功率MOFET的米勒效应 米勒效应适用于任何具备电压增益的器件，比如BJT、比如功率MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UeO69BnkoCf53QbZ8AnGKg SiC 电机驱动系统传导电磁干扰建模及预测 本文针对SiC电机驱动系统高dv/dt与di/dt引发的高频振荡，建立了电磁干扰等效电路模型。该方法同时考虑等效电压源与电流源，能准确预测传导干扰。实验验证表明，该模型显著提升了高频段差模干扰的计 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kxEmSU_aiWHW5gEA2ViAhQ 四种非常规SiC MOSFET可靠性实验 四种针对SiC MOSFET的非常规可靠性试验

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fzQq_fr4-cxVkr4QzN03KA 柔性直流输电发展现状及应用前景 本文对柔性直流输电技术进行综述和展望。介 绍了柔性直流输电关键装备最新研究进展和我国标志性柔性直流工程, 提出了柔性直流输电技术的未来应用前景。 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Bf-A5akBeRhe5x6I-kn78g 突发！英飞凌官宣涨价，AI 算力如何引发功率半导体行业连锁反应 2026 年 2 月 5 日，全球功率器件龙头英飞凌正式发布涨价通知，宣布自 4 月 1 日起对功率开关及相关 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5RTF5cmnqTb0wupOoB6dqw 三种SiC MOSFET终端结构抗辐照能力对比 场限环（FLR）、环辅助结终端（RA-JTE）以及浮空多区结终端（MFZ-JTE）

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