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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9FfsA2NgvX11nK1v-QLCkw EV Group红外激光剥离+异构集成技术，解决2.5D/3D 集成核心痛点

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4M_5Cp_dT9QHUfKFaPZwKg 注入工艺对SiC MOSFET栅氧质量的影响 SiC MOSFET实际制造中，源区先进行磷离子注入，在后续的高温工艺中，磷原子可能会从被消耗的SiC层进入栅氧化层

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CVdYj5lG_o8dUzw8GpmDbw SiC器件双槽JTE终端抗dV/dt能力研究 制备双槽浮空埋层+JTE终端结构（DTBP-JTE），验证抗dV/dt能力

功率半导体(Power Semiconductor)-4 一文看懂，BCD（Bipolar CMOS DMOS）技术架构与核心工艺模块 https://mp.weixin.qq.com/s/IAvPL2Sdker9C3GKSCfvQw BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术，其核心价值在于将双极晶体管、CMOS逻辑和DMOS功率器件单片集成，为汽车、工业及消费电子等领域的智能功率IC提供了实现基础 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nG9jnsnIlN_uqxF5flvuVg 电动垂直起降飞行器的技术现状与发展综述 本文首先介绍了电动垂直起降飞行器构型特点及不同构型的优劣势分析。然后介绍电动垂直起降飞行器构型及总体参数设计技术发展与应用情况。阐述了电动垂直起降飞行器低气动噪声设计技术、“三电”技 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/w62ZEv5IJ9NKf-YAAfe9nw 功率MOSFET发展史——替代BJT 驱动功耗极低、控制逻辑兼容、自动均流特性、开关速度更高以及安全工作区更宽，以上五点，导致MOSFET逐渐替代BJT

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6Y8Uvo9y2YHPbs8aLF0dkw 单级高频隔离型三相双向 AC/DC 变换器研究综述 本文综述单级高频隔离型三相双向AC/DC变换器。该变换器集成升降压、隔离与双向功率流于单级，适用于微电网等场合。文章系统分析了其电路拓扑与调制策略的研究现状，并展望了应用SiC器件、实现 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4TWPfRZNOVmty0RFiuhZDA 面向电力电子变压器应用的大容量高频变压器技术综述 本文以面向电力电子变压器应用的大容量高频变压器技术为出发点，梳理了其关于磁芯材料、 结构设计、散热设计和绝缘设计等关键技术的研究，提出了大容量高频变压器设计亟待解决的问题。 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DRK63mAfAj-t-MHD0T0UaQ SiC MOSFET如何提升沟道迁移率 将相邻沟槽之间的SiC材料做得极窄，可利用FinFET效应，极大提升沟道迁移率

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xF0Pvh3vICIjnu51iiU9kA SiC MOSFET之BVDSS异常芯片失效机理 所谓BVDSS失效管芯，即那些BVDSS值相对较低，但仍符合规格要求的芯片

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NGNrxErjXSH5xo_uemdmhw 双有源桥式直流变压器发展与应用 本文系统阐述了双有源桥式直流变压器在新能源汇集与直流电网中的关键作用。文章详述了其应用场景、模块化串并联结构、运行控制及工程化设计，并以国内示范工程为例，指出采用SiC器件效率已超98%。最后展望 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DX3JbHnGwiqzyPNH5J11Jg 深P区沟槽栅功率MOSFET性能研究 在沟槽栅功率MOSFET中引入深P+区，从JFET区的角度看，本质上是将其还原成平面MOS，只不过JFET区位置更深而已

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