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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ayLAEWCW3QjCts3FAJ2IYA 应用指南 | 碳化硅MOS交流 / 直流应用核心区别：设计、特性与应用适配全解析 应用指南 | 碳化硅MOS交流 / 直流应用核心区别：设计、特性与应用适配全解析

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BI9bJD3DaNdynBLqlt1JJA 基于 SiC MOSFET 的新能源汽车电机控制器散热与效率优化 本文针对新能源汽车电机控制器，利用SiC MOSFET高温高频特性，通过建立热阻模型与优化液冷散热系统，显著降低器件结温。实验表明，散热优化可减少导通损耗，提升系统效率，尤其在满 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3Km6v9A3-O3qmi2tKgoiVg 本来这两周都准备按捺下收拾下过年的心境，好好读读最近的新技术报告看看全球各个功率器件实验室新的论文，结果神奇的来了一堆的碳化硅沟槽超结合作客户交流。还有几个小型产业技术半闭门会议去汇报了下二堡团队的这套碳化硅TSJ超结技术方案 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vRiT_ICe_w3o6C7mtRg5JA 三维欧姆接触SiC MOSFET制备 将欧姆接触做到半导体内部，而非半导体表面，以抠出一点元胞间距

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F_BJUFFB6JFcUGLhT_MruA SiC MOSFET过渡区UIS失效机理 从栅氧局部损伤，到栅氧/场氧交界处的明显裂纹，再到器件烧毁

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/IdM8v0q33bT8oUpOq3rjSg 深度分析 | AI 算力爆发催生电力革命，HVDC行业千亿市场的核心逻辑、数据全景 深度分析 | AI 算力爆发催生电力革命，HVDC行业千亿市场的核心逻辑、数据全景

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Zyx3o8i9ChgBT_HJIq5S4Q SiC MOSFET 器件 SPICE 建模与仿真分析 本文提出一种高精度、易收敛的SiC MOSFET子电路型SPICE行为模型。该模型参数易获取，经仿真与实验验证，能准确表征器件特性，并在多电平逆变器等复杂电路仿真中表现出优越的收敛性，为电路设计与优化 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6oJkQ1_GLQqWyfcA8lCWZw 5款新产品速览——从超结MOSFET到栅极驱动器 介绍几款推出不久的新产品

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/f0bHHY-4kZsmoVh1nge9Ug 三菱SiC MOSFET/Si IGBT最新产品路线 大家好，我是晏小北，懂点经济的理工男~

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SiC MOSFET规格参数中的IDSS&IGSS https://mp.weixin.qq.com/s/kdZVz_hVcv0I3GWaLew_VA

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cZjbadA3YFZNjXmxLEqwbQ 缺点爆光 | 一文看懂GaN、SiC MOS、IGBT、超结MOS可靠性缺点及适用场景详细解读 一文看懂 | GaN、SiC MOS、IGBT、超结MOS可靠性缺点及适用场景详细解读

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fT6TwG7Ze2glu3_1mqJ_Kg 什么是MOSFET反向恢复时间？体二极管从导通到关断过程中载流子的运动？二极管反向恢复过程曲线，TRR影响因素。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dIAA5Yo0RggQAtH846CuaA 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET的额定栅压 有此差异，本质上还是SiC器件栅氧更易击穿所致

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