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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/f5joYktcgXSYkjyRNyZDrQ 小功率碳化硅（SiC ）集成模块若干关键问题研究 本文针对小功率碳化硅集成功率模块，在热、电、保护三方面深入研究。建立了精准的动态开关损耗模型，提出抑制驱动干扰的屏蔽层方案，并优化了基于隧道磁电阻的集成电流采样技术。为解决高密 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-9mlEk0hNEd24vr2ILsaoA 趋势预测 | 2026年将成为SiC部分替代GaN进入PD、LED电源的元年 部分替代 | 2026年将成为SiC部分替代GaN进入PD、LED电源的元年

PCB嵌入式SiC功率模块技术发展 https://mp.weixin.qq.com/s/albA4ys19WXLTFVnN4praQ 1月21日，辰致集团在官微透露，他们已顺利完成PCB嵌入式功率模块产品的样品试制，并已完成模块的相关性能测

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6cV2_tBt1jRnhCDBJ-thgw SiC栅极筛选 (1)：Vramp筛选MOSFET早期击穿 文献研究了外延层缺陷密度、栅氧面积与早期失效率的关系。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lmQgQRPh10hucmt3aG9sSg 10V驱动650V SiC MOSFET器件 650 V SiC MOSFET产品与Si超结MOSFET产品在栅极驱动电压方面不兼容，在应用端增加了SiC MOSFET的替代成本

你真的了解PCB么？一文读懂~ https://mp.weixin.qq.com/s/lOs-5b5IGFX2wrHXJH_3bw PCB（Printed Circuit Board），名称为印制电路板，又称印刷线路板，是电子元器件的支撑体。PCB是重要的电子部件，被称为“电子航母”，下游应用广泛，包括消费电子、通信、计算机、汽车电子、工业控制、医疗器械、国防军工、航空航天等领 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xHYl1MaC6Tc1JfCSfAnURA IGBT的寄生晶闸管及抑制手段 目前所有的IGBT器件均包含寄生晶闸管结构，因为在大电流工作条件下，寄生晶闸管结构会被触发形成闩锁，从而导致IGBT器件产生破坏性失效，所以以下介绍以下IGBT如何抑制寄生晶闸管导通的方式。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/E0CagWKffjDPXH0RuFh1pw 沟槽场板功率MOSFET器件UIS失效机理 高电荷器件具备更强的亚雪崩倍增能力，加剧电流分配不均

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NzgDmD35Ro1XYMFan90sRg 平面/超结 SiC MOSFET高低温性能对比 77K低温下，性能权衡的瓶颈从高温区的漂移区，转移至沟道和JFET区

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SiC MOSFET规格参数中的VDS https://mp.weixin.qq.com/s/Y5sQ2yALbfrz6CficjuTOg

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mIhAN4CFCWhWvCIHGLCsDQ 深P区沟槽栅功率MOSFET的发明 在每个元胞中引入深P扩散区

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ha5ry0wzvfiAdbeUoKn16Q 第一款沟槽栅功率MOSFET器件 电流路径被挤压得更厉害，在此处发生严重堵车，车流量骤降

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FuczA3Umo8yowtfvm0PTRQ 一种用于快速开关三电平T型SiC桥臂的简化硬开关损耗模型 本文提出用于快速开关三电平T型SiC MOSFET桥臂的简化硬开关损耗模型，仅基于输出电容和体二极管反向恢复电荷进行估算，数据需求少。经800V直流母线实验验证，模型预测结果与量热法实 ...

SiC MOSFET规格参数中的VGS https://mp.weixin.qq.com/s/0ERG7ekiK99Qn2ZGb18E1w

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/T3Q76avvYe416w9ULiet9A 超结理论(三)：超结器件原理 超结器件从VDMOS的单区N型耐压层变成双区N/P结耐压层。耐压层的变化使得超结器件的概念和物理性质发生质变。