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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7CP_0dNR4n6m77r90mr3tg SiC MOSFET器件BTI及TDDB可靠性研究 对比两款商用SiC MOSFET器件在偏压温度不稳定性（BTI）、经时介质击穿（TDDB）可靠性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZXiyyfc5sBfvydvmnsuC4g Infineon沟槽栅SiC MOSFET短路失效机制研究 限制 AT-MOS短路能力的关键因素是与热相关的栅氧化层退化，且沟槽拐角被认为是导致栅极泄漏电流的最脆弱区域

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TfpsOYS9FXqYfYfJ1KfV-g 宽禁带半导体器件优势之由来 10倍的EC差距，导致1000倍的Ron,sp差距

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ql1KTDSr7BhHxsVamR0GIQ SiC MOSFET和肖特基二极管半桥分析开关损耗模型的验证与应用 本文验证了一种SiC MOS与二极管半桥的解析开关损耗模型。模型在宽工况下平均误差低于9%，准确性高。研究证实，采用动态测量数据（尤其是栅漏电容与传输特性）可大幅提升精度。同 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/O1Z1YB3lDPMNn1tlX9t3Lw 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/IBeUvvkPKlL7gK0g6SUJFg SiC缺陷 (8)：缺陷对SBD击穿的影响 文章分析了SiC器件失效与衬底/外延层中缺陷类型之间的关系，特别关注了存在击穿点的失效器件。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DrjD0lF_tLzYH5e26v_erA 零电压开关下，SiC MOSFET器件选用标准 总结ZVS应用的器件选择标准：1）较小的内栅阻， 2）较小的Ciss，3）较大的Coss

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EyTUhG7oCQ19P8uGU6h--w 条形、六角及八角元胞27nm SiC MOSFET性能对比 六角元胞的沟道密度和JFET区密度均高于其他几种

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UeCkvQVWZiKTAoXk98CipA 基于分析开关损耗模型的高压 SiC MOSFET Imax-fsw-dv/dt权衡关系评估 本文由苏黎世联邦理工学院的Hu与Biela提出，针对高压SiC MOS 3.3-15kV在中等电压变流器中的应用，通过建立一种线性化解析开关损耗模型，系统评估了其最大电流能力Imax-f ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7RqgU63Otglrx930eogBww 为什么电车、光伏、数据中心都离不开它？大功率器件制造深解

SiC MOSFET规格参数中的Rth(j-c) https://mp.weixin.qq.com/s/zbHMd35G2_iLRDsXCp-YvQ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8vIPY872UHi4wgr9Vgh4Iw 沟槽栅功率MOSFET制备工艺发展 在1994年慕尼黑国际电子展，沟槽栅功率MOSFET终于作为商用分立器件推出

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/M8wbqX6qUDnGK-bSf3x7ug 功率MOSFET发展史——替代BJT 驱动功耗极低、控制逻辑兼容、自动均流特性、开关速度更高以及安全工作区更宽，以上五点，导致MOSFET逐渐替代BJT

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Rh0vrvLSGFDYRw6nDrEiqg SiC缺陷 (7)：EPI中BPD的转化深度 SiC衬底中的基晶面位错(BPD)在外延生长过程中95%以上会转化为贯穿型刃位错(TED)，这主要归因于能量最低原则和外延生长过程中的应力调整。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mMAyx04H_18GXzGzMGY6JA 今天想聊一个很多人都会遇到的问题：有限元应力结果，到底该怎么看？不少工程师花了大量时间做仿真，模型、网格、工况都很认真，但结果出来后却不知道该重点关注什么。应力张量、最大主应力、最小主应力、最大剪应力、von Mises 等效应力…… ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wPBbL3V6o7-JboNO7fs_ww 三菱电机近日发布4款全新沟槽SiC MOSFET Bare Die 日前，三菱电机发布了四款新型沟槽型SiC MOSFET裸芯片样品，其可用于如电动汽车EV主驱逆变器、车载充电器

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ckqkWGIJbH_mPK2Db9uwjA 技术破局 | 从器件到应用如何解决爬电距离问题？国产3300V SiC MOS如何应对？ 技术破局 | 从器件到应用如何解决爬电距离问题？国产3300V SiC MOS如何应对？