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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qsk56EkCa6CBphVjZ4hiGA 平面栅/沟槽栅SiC MOSFET抗辐射能力对比 以Infineon和Wolfspeed产品为例，对比PG-MOS与ATG-MOS的抗辐射能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZzzkgaNbhXp16DfQxgJ0UA 平面/沟槽栅对SiC MOSFET并联应用电流不均衡之对比 并联运行时，沟槽栅器件电流不均衡和由此带来的额外损耗和热应力风险，明显低于平面栅器件

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/W6r_ARdBLpqdOvCARc6t7w SiC功率模块在列车系统的应用 当一热一冷两只模块并联时，系统会自动调整电流分配，使热模块减载、冷模块加载，最终实现热平衡

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nsC06mzcU3Iq0jpPZXM9fQ IGBT中寄生晶闸管的闩锁 过往的推送：功率器件中的闩锁效应里讲到了功率器件的闩锁。闩锁发生时，IGBT与连续电流传导状态相关。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dQKZr1nVNWcuAOcJkdomFw MOSFET参数中的EAS是什么？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pm9Eju7QoNqjcr-lUB90yQ 新型单级双向三相 AC-DC 固态变压器 本文提出了一种新型单级双向三相 AC-DC 固态变压器。，该方案仅使用一个中频变压器，通过准两电平运行的模块化多电平变换器桥臂，大幅减小了电容储能需求。仿真表明，1MW系统效率达98.1%，功率密度达0.6 ...

SiC MOSFET规格参数中的耗散功率PD https://mp.weixin.qq.com/s/8htiJBI1-8IcQOPyOn2kyA

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/chGjhyZK9W5jTUsYLZPynA 日本和欧洲那边的碳化硅沟槽及超结计划和产品迭代又加快了！以前Gen1-3 是三四年迭代一代，现在的速度是，Gen 4-5-6 四五六代几乎同步研发推进，而且是一年就出一代新产品，半年迭代个Gen4A小代产品样品，这速度，快啊！这比二堡做科研样品的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SjWQfVOupug0TtUXrTuNVw SiC功率模块在家电领域的性能优势 三菱推出两款引入SiC技术的功率模块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tdAp7ITBQo1GORDabL3qag SiC/GaN器件在AI供电系统中的应用 将性价比最高的材料器件，放在合适的位置

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fk8fuKJfLDhcPvFW_k9q1A 技术突破 | 66.6%热阻暴降背后：西电郝跃团队如何破解高功率器件散热 “生死局”？ 技术突破 | 66.6%热阻暴降背后：西电郝跃团队如何破解高功率器件散热 “生死局”？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/joYeAT_KMTRlLOMNSBnmRA DRB应力下SiC MOSFET之Crss退化 Crss随着DRB应力循环次数的增加而对数增长

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/e0sYhR9NYsfOpG5zc4b9Ew 一周一充？这台笔记本的电量，简直是个‘怪物

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/abOIymbLL6uh5fQ7TzahoA 下一代 SiC/GaN 三相变速驱动逆变器概念 本文通过深度融合SiC/GaN器件性能与革命性的拓扑结构（如多电平、升降压、电流型链路），推动VSD逆变器向超高效率、极致功率密度、低电磁干扰、高可靠性及智能化的方向演进，最终为实现全球性的电机 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I7_ejHs8jMeipNlVJHNgSg 第486期 | 告别“野蛮生长”：碳化硅行业迎来价值回归，1000万颗车规芯片背后的生存逻辑 面对激烈竞争，碳化硅企业如何向技术深耕与价值认同突围？