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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oRFZiCO1QgJQcxbVSQelHQ 有不少朋友留言问二堡分享的这个碳化硅沟槽超结MOSFET器件截面技术上有什么突破点？对现在国内碳化硅器件赛道痛苦😖内卷的现状有什么帮助？能不能帮助创业小公司？咋说呢，仅仅从技术上说，这是全球首个额外一次高能Al离子注入外延的SiC TSJ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aX9nHbuQTbEr464cwOhE6A 横向、纵向GaN器件之可靠性研究 横向硅基氮化镓HEMT器件已实现商业化，而纵向氮化镓MOSFET器件仍处在起步阶段

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SaKETT2tX4bJWP5tWifKUw 全垂直GaN-on-SiC沟槽MOSFET 制备基于导电AlGaN缓冲层的全垂直GaN-on-SiC沟槽MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ux80MJIEi6Hq3Ky4Aoadtg 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/bmPFSc3cnxp0aS_vqq8y4w 第一款沟槽栅功率MOSFET器件 电流路径被挤压得更厉害，在此处发生严重堵车，车流量骤降

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wPRJwg21BrPlTauf9UJCRw 屏蔽栅MOSFET优化设计 SGT-MOS两种类型，上下型和左右型

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rka0-vJfgpPK8ECQcL3QsA SiC MOSFET桥臂串扰与振荡：机理分析、抑制技术与驱动电路设计 本文分析了SiC MOS在桥式拓扑中因高速开关引发的串扰与振荡问题。其核心机理是高dV/dt通过米勒电容耦合形成危害性电压尖峰。文章梳理了无源、有源及混合三类抑制技术，并重点 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/z8Yw-UJFEvIKGWM4irOwHg IGBT的FBSOA、RBSOA和SCSOA的测试方法 IGBT的安全工作区SOA是集电极电流与集电极-发射极电压围成的区域，IGBT器件能够在其中开通和关断而不发生

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/n1cDyswkh5BCybjA-OvTsg 基于高压 SiC MOSFET 模块桥式电路串扰抑制 本文针对SiC MOSFET桥式电路的串扰问题，提出了一种结构简单的有源箝位电路。该方案利用对管驱动信号控制箝位开关，无需额外控制逻辑，在实验中有效抑制了串扰尖峰（负向尖峰减小达62%），且无需 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RmG0IkpNVBkPtLohOAu3Ew 高漏压DGB实验SiC MOSFET之阈值电压漂移 在栅极开关应力基础上，施加高漏源电压

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dQKXUedcAoNOQbssKhqk0Q AC BTI实验，SiC MOSFET之Vth漂移机理 由正应力引起的、稳定的、累积性的电子捕获效应逐渐占据主导地位，掩盖了负应力引起的瞬态效应

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/gCdgkjIh1rihmC6oYAT7yA SiC MOSFET高频逆变电路的振荡分析与抑制 本文针对高频电磁发射机中SiC MOSFET关断振荡问题，通过仿真分析了漏极寄生电感与驱动电阻的影响，进而设计了一种紧贴功率模块的C型缓冲电路。实验表明，该电路在200kHz开关频率及宽电压范围内能有 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LXyU51tpUyyexEznVCIU3g 超结理论(二)：VDMOS和IGBT的耐压 VSMOSFET和IGBT是两类最常用的场控功率MOS型器件，也是超结器件基础。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rxlvcN24tfTpiW13ma9kVw V型槽功率MOSFET之由来 将双扩散原理应用于 MOS 器件，成为最早制造的亚微米沟道MOSFET之一

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6Y99xHlZwBv2myn5NMw6Qw 最近在研究学习英特尔布局的那些AI大芯片FIVR叠层供电3D集成的技术，和碳化硅没啥大关系，除非是把晶圆堆叠集成放在碳化硅INTERPOSER基板上。所以也没什么想打字记笔记的热情。但咱碳化硅业余爱好者学习交流的笔记也不能荒废了。想了想，那就 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oDgUSJiMjF9xaOqfpO3f4A 一种 SiC MOSFET 有源串扰抑制驱动电路 实验结果表明，在200V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的49.1%和61.4%,在400V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的50.4%和57.7%,在600V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的66.7%和62.8% ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0UlY8Ucqk87U9HSI8AwbFQ 6.5kV单沟道SiC MOSFET制备 提出一种新型6.5kV SiC MOSFET器件，结合分裂栅和单沟道设计

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/L3HaOo2xcbTqVjrNcco3pQ SiC沟槽MOSFET发展历程 五种经典改进结构

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/skGYi9HTtoH-H2uuqlrVag 一种 SiC MOSFET 串扰抑制的谐振辅助驱动电路 本文针对基于SiC MOSFET的桥臂电路在互补开关管高频开关时容易产生正压尖峰和负压尖峰的问题，提出了一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路，能够在有效抑制正向串扰电压尖峰的同时保护栅 ...