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SiC MOSFET规格参数中的跨导gfs https://mp.weixin.qq.com/s/7nevq5ypv2hhGtCE8_ghqg

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/n3n4psfmrE8Fb5eUOn-7HQ 6000字长文——SiC MOSFET功率模块之全面介绍 功率模块位于在二三级之间，是“器件”与“电路”的中间层级

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6RW0zonFyTMpoLotwGohJQ 5000字长文——SiC与GaN器件之全面对比 对SiC、GaN器件，做一全面对比，包括材料、器件、性能、应用四大板块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YpP9Bvp7e8ivN0JXZtaHtg SiC MOSFET多管并联的核心问题与解决之道：静态与动态均流、串扰抑制及系统热管理 本文系统阐述了SiC MOSFET多管并联的核心挑战：静态参数失配与动态回路不对称引发的电流失衡。针对性提出了从器件筛选、对称布局、独立驱动、热耦合到串扰 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/j_OsCqmMVeBYKM38jXPWtQ 平面/沟槽栅对SiC MOSFET并联应用电流不均衡的影响 并联运行时，沟槽栅器件电流不均衡和由此带来的额外损耗和热应力风险，明显低于平面栅器件

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aAHH-3M8WggBtkJrqkdLDA 高dV/dt工况，SiC MOSFET的终端可靠性 研究高dV/dt条件下，SiC MOSFET的终端可靠性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/auZT8dbmhumGjRnzMWXWgQ 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NL6bVrPJzFSTFPyRTXuBPA SiC MOSFET 平面栅结构解析与各区域核心功能详解 SiC平面栅MOSFET是一个各司其职、紧密协同的精密系统。从底层的N+衬底（支撑与集流），到核心的N-漂移区与P-Body（耐压与开关），再到关键的JFET区（电流扩展优化），以及保证高效与安全的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PMomIFKfP7N8Auifg9VzFw 来自电子科大/华润微的研究成果：在P柱中设置N-dot区域的低EMI的SJ-MOS 本文提出了一种在P柱中设置N-dot区域的低电磁干扰SJ-MOSFET。N型区域的引入增强了下面P柱区域的接地电势，同时保持着电荷平衡条件。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cA2bwwTZufNbTtu0QDmUmg 电动车有劲儿、耐用，全靠这套东西在管事！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Rb4-W0pXPOzxBuaN6VCFWA 平面/沟槽SiC MOSFET短路特性对比 SiC TMOS和DMOS的短路特性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xi1Wdo6dZe8THo4EI1tecQ Infineon沟槽栅SiC MOSFET短路失效机制研究 限制 AT-MOS短路能力的关键因素是与热相关的栅氧化层退化，且沟槽拐角被认为是导致栅极泄漏电流的最脆弱区域

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Zi3ckMpvUO9PEWaIGQuxmw SiC MOSFET之BVDSS异常芯片失效机理 所谓BVDSS失效管芯，即那些BVDSS值相对较低，但仍符合规格要求的芯片

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/evWMNjuB31M1AFsgF-0bxQ SiC缺陷 (6) : TD位错引发的SBD漏电 文章统计分析了4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD) 的反向电流-电压 (I-V) 特性，比较了TED和TSD缺陷及其功函数对漏电流的影响。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pejOzZ6ZNNZOS7Tj77Ss3w SiC缺陷 (6) : TD位错引发的SBD漏电 文献统计分析了4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD) 的反向电流-电压 (I-V) 特性，比较了TED和TSD缺陷及其功函数对漏电流的影响。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PvR0E_MIE8mif4OmlULqkA 10V驱动650V SiC MOSFET器件 650 V SiC MOSFET产品与Si超结MOSFET产品在栅极驱动电压方面不兼容，在应用端增加了SiC MOSFET的替代成本

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/IZiF6xGJNKjAa0XiTdiWpQ HTRB应力下，SiC MOSFET终端可靠性 研究1700V平面型SiC MOSFET HTRB失效机理

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/e3-EO2JcsetSP_sciDVgpg 行业新闻 | 从 6kHz 到 40kHz：SiC 如何重构储能 PCS 的 “技术天花板”？ 行业新闻 | 从 6kHz 到 40kHz：SiC 如何重构储能 PCS 的 “技术天花板”？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ftqWQSORdZPZRAqoGhHnIg 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET电阻成分分析 通过影响沟道电阻和漂移区电阻的占比，影响器件电阻的温度系数