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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9uVmiVY8qi8dtPPCwKQKlg 来自成电的研究：具有超低导通电阻的半超结MOSFET的制备与优化和开关性能的提升 在这项工作中得到的半超结MOSFET具有超过1500V的BV，同时实现了极低的Ron,sp和开关性能的优化。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ubXoG33TsZ9gjKrCa9uSqA SiC平面MOSFET栅氧可靠性及阈值电压不稳定性问题 安森美商用SiC MOSFET器件测试结果表明，SiC MOSFET的失效电荷约50 C/cm²

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zMza7J7QyTjL21VBNMu0pA 6种商用SiC MOSFET器件短路及UIS能力对比 ASM在Ron,sp、SCWT和UIS能力三项指标上展现出最佳的trade-off

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aQHJsypdrqQZiTiwwKDaQQ 全碳化硅（SiC） 99.4%高效率三相T型逆变器，带直流侧共模滤波器 本研究采用全SiC器件实现12.5kW三电平T型逆变器，峰值效率达99.4%，功率密度2.4kW/dm³。其创新直流侧共模电感设计满足EMI标准，效率优于更复杂的七电平拓扑，为高效高功率 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aQLzWFHuPh_CmWrPJFdczg SiC缺陷 (5)：数位错的方法对比 文章对比了三种测定SiC中位错（BPD、TED和TED）密度的方法。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cZaU-zu9eIJYat4gwWC7FA 基于米勒电容 dv/dt 限制的三相 1200V SiC MOSFET 逆变器驱动系统的分析损耗模型 本研究通过外部米勒电容精确限制SiC桥臂的dvDS/dt。在受限条件下开关损耗与电流呈分段线性关系，而非二次关系。该方法相比传统栅极电阻调节，在相同dvDS/dt ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1039J1Gk97H-sS7C3YFBpA 功率二极管的安全工作区及浪涌电流、雪崩耐量 功率二极管的安全工作区（SOA）是由极限工作电流、电压及功耗决定的。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V5rI6J3z8J2ovAqSXy5xvw 3300V SiC功率模块并联使用方式——随机匹配 当一热一冷两只模块并联时，系统会自动调整电流分配，使热模块减载、冷模块加载，最终实现热平衡

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8gwimopWlIW7JiEMSq8D_g SiC功率模块及其开关特性 SiC功率模块的主要组件包括：硅胶、芯片、焊料、布线、绝缘基板、散热板、导热材料及散热器

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DOduooMJrt7SCDq8yMlVAw 数据中心电源技术分析与优化改造 本文基于SiC/GaN的固态变压器（SST）通过高频变换，将供电链路从多级缩短至2-3级，效率提升至96%以上，体积缩小为工频变压器的1/5-1/3，并集成新能源接口，为高密度、绿色数据中心提供了高效集成的核心解决 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Bu2OMXkVPanPhne5yQ6bvw SiC/GaN器件在AI供电系统中的应用 将性价比最高的材料器件，放在合适的位置

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3d5YqfLE7GHnRIQUWhu44Q 9000字长文——SiC MOSFET之全面介绍 为获得更大的BFOM值，需采用更大EC的半导体材料

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QnEOKOZC7CYHU-8wV4Hv9Q SiC功率模块篇：面向高功率密度电能变换器的功率半导体模块研究综述 本文聚焦于功率模块，探讨其作为提升电能变换器功率密度的核心。通过集成宽禁带芯片、优化内部互连与双面散热等先进封装工艺，并匹配智能驱动，功率模块实现了高频、高效 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hOGPaYNKNHjF3kHD99a7eg 三菱SiC MOSFET/Si IGBT最新产品路线 大家好，我是晏小北，懂点经济的理工男~

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