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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9c2a2rwD0Xo4_hNPV6Uk4g 4000字长文——GaN器件之全面介绍 1993年，Khan发明铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管（AlGaN/GaN HEMT）

SiC MOSFET 可靠性之亚阈值回滞曲线 https://mp.weixin.qq.com/s/zr4K1MlifnZp2kIc-W3fVg SiC MOSFET的亚阈值回滞曲线 是评估其栅氧界面陷阱密度和电荷俘获行为的关键表征手段，直接关系到器

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zmhazlQya3top7fGtP3xVQ 下一代：基于SiC/GaN 三相变频驱动系统 本文由ETH Zurich的Johann W. Kolar教授等人撰写，全面探讨了基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体器件的下一代三相变频驱动（VSD）系统。文章系统分析了其巨大潜力、伴随的技术挑战及相 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Rlh8oNtVXg-ikeFpdhBq8A 在上一篇文章中，有读者朋友在评论区提到了嵌入式功率模组在非车载领域，AI 服务器电源中的应用场景，这一观点也正好启发了作者，想借此机会聊一聊——嵌入式功率模组在非车载领域的应用可能性。嵌入式功率模组最大的优势在于集成度高。对于 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-UcKt8N1XIAXryjjt0EOrg IGBT的SCSOA 短路安全工作区SCSOA指的是在负载短路并且保持负载短路一段时间内，短路电流与集电极-发射极电压构成的、IGB

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XALpjnSHtxPcAabg2pQiPg SiC功率模块与IGBT模块性能对比 对比三种IGBT模块与ROHM的SiC模块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FjvgU4NgS1Zi65MJtFSDEA 个人感觉这不是个技术问题，而是商业公司的成本核算问题。因为这个拿张纸笔按公式一算就知道，对于市场主流需求的1200V器件，如果是4um碳化硅平面MOSFET元胞工艺线能力（对应国内外90%以上六寸线），做平面超结的Ronsp收益率不到20%，但SJ工 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Y8c6_NLpknj0L8AfTjCBGA 超结理论(一)：概述 超结器件是从VDMOS和IGBT发展而来，N/P结型耐压层的引入带来器件原理和特性的变化。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Y1ryvG0CkI1jckidQeVshw SiC MOSFET栅氧可靠性综述：机理深度剖析、评估体系与全链条技术进展 本文系统剖析了SiC/SiO₂界面的物理挑战与阈值电压不稳定性、经时介电击穿及高dV/dt动态失效等核心机理，构建了覆盖工艺监控至系统验证的多维度评估体系，并阐述了通过 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wR4AsLrTipcBJev08_Y6VA SiC MOSFET过渡区UIS失效机理 从栅氧局部损伤，到栅氧/场氧交界处的明显裂纹，再到器件烧毁

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vSQw_YLL1_KI8VmVJ20uuQ 最近因为二堡开始推广团队准备好未来三年重点发展的碳化硅超结IP方案，寻求产业界最广泛的合作，写了几篇推广我们超结专利IP方案的笔记，然后全球各地都有朋友找二堡交流最新的碳化硅超结器件技术和新设备技术。这两天有个朋友刚从美国欧洲转 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TyIy0AvzrmRF3VC99pwlgA SiC MOSFET模块可靠性优势 “小电流、窄脉宽”条件下，Si IGBT+Si FRD的浪涌电压远大于SiC模块

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KlOaZ5N92ZYckwmCwpMssw 北京怀柔实验室的研究：高压SiC器件的源极环流现象及抑制手段 本文就在考虑到外电路杂散电感的情况下，分析了等效电路的寄生参数，提出了SiC器件源极电流环流抑制和电流一致性增强方法，在消除拖尾电流阶段的环流的同时，电流一致性降低了8 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/D-PiQvSf6TTLzfDl3evEEA SiC缺陷 (4) ：缺陷漏电路径 文章使用隧穿原子力显微镜测量，区分了位错线和相关凹坑对4H-SiC漏电的影响。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EZiMAf3Y2nU0GXiiJrPBjw 15 kV SiC MOSFET制备 器件BV达16.7kV，在15kV额定阻断电压下，漏电流低于200nA

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