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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qDbe5C37-6mr1DUZCENfig 拆开一辆电动车，我发现了它“最强大脑”的秘密

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/43T9Mrs00feJwP-dR14MWQ SiC MOSFET栅极驱动技术：从核心原理到系统级设计完全指南 本文将系统剖析SiC MOSFET驱动的物理基础与核心挑战，从器件本质阐释其为何需要“专属”驱动。全文将指导您依据应用场景精准选型，详解电路设计与PCB布局的关键要点，构建可靠的保 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iHWvIXLv016MnQAT7tsjcA 很多读了好几年我们笔记的老朋友留言问，二堡你过去几年不是研究了胶囊沟槽，包角沟槽，双级沟槽，改造两侧增强导通半包，左右互搏，纵横十九道，周期性两侧深掩蔽等等至少有七种碳化硅沟槽IP新结构么？怎么到了超结推进这儿，就只看见一种， ...

功率半导体(Power Semiconductor)-3 通过深度学习增强半导体布局协同设计中的热仿真 https://mp.weixin.qq.com/s/Fts8-XhgaafqPdgykSSQHQ 本CASE开发了基于scikit-learn和PyTorch的自定义ROM框架。成功将深度学习与ROM相结合，创造了既保持CFD精度又实现实时计算的热仿真新范式，为高性能功率电子设计提供了突破性的解决 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zHHrQ1Pjlqr2Rfh10hLzHA 这次想聊一聊 PCB 嵌入式功率模组的两大技术路线。路线一如图左，其典型结构可以参考 Schweizer 提出的方案。最近，联合电子也发布了类似思路的结构方案。有着类似PCB的外形。路线二如图右。相关方案主要来自 Schaeffler 和 Bosch。外形仍然 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DnGys0Aw4KndjrDw2nqGrA 最近两个月去了好几个碳化硅沟槽器件合作客户举办的三代半产业研讨会议，几个大公司的核心重点都已经从前几年的产能建设和绑定电动车品牌EV车厂车规MOS批量供应能力建设，切换到下一代碳化硅沟槽MOS和沟槽超结TSJ MOSFET的研发推进上。毕竟对 ...

SiC MOSFET死区时间设置注意事项 https://mp.weixin.qq.com/s/hkmsk9_xJAbK8tmnjqidkA 一、引言 SiC MOSFET凭借其高开关速度、低导通损耗和高温稳定性，在高效功率转换器中得到广泛应用。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5o9v4qruwg2eLEEFvAKMPw 碳化硅（SiC）功率MOSFET动态特性纵深谈：从界面物理、表征陷阱到建模与应用的协同设计 本文系统剖析其内部栅极电阻的频率特性、栅电容的精确测量陷阱，非线性电容导致的波形失真，及开关损耗的精准建模方法。针对电机驱动等场景，对比评估 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ONtorYJRFtUBsZ4npWmEUQ IGBT的RBSOA 反偏安全工作区RBSOA指的是在规定条件下，IGBT在关断期间能够同时承受的最大集电极电流ICmax和最高集电

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cmZwA2tzqubFM7O8eQbumA 负栅压下，SiC MOSFET阈值电压不稳定性机理 负栅压吸引部分空穴向栅氧化层迁移

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QCUihaI5O61I9n4_f2REZA 专家解读 | 3300V SiC超结MOSFET器件短路及UIS能力 专家解读 | 3300V SiC超结MOSFET器件短路及UIS能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8ZG6tmb552IlnKjxj1Q-iQ 迈向电力电子5.0：基于GaN/SiC单片双向开关的拓扑创新与可持续系统构建 本文阐述了氮化镓/碳化硅单片双向开关（M-BDS）的技术原理。凭借其单片集成与双向可控特性，M-BDS正推动电力电子革新。文章重点分析了其在高效PFC整流器、电机驱动、 ...

SiC MOSFET发展历程及技术迭代 https://mp.weixin.qq.com/s/kCWgMfqxxi5NeHsR6eiakw

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dzTXEgKJBKnzz9xO5BPsvg 面向集成化SiC电机驱动的dv/dt抑制方案对比研究：门极主动控制与LC无源滤波 本文对比了SiC电机驱动中抑制dv/dt的两种方案：门极主动控制与LC无源滤波。高dv/dt（≥10 V/ns）或轻载时门极方案更优；低dv/dt（≤6 V/ns）或满载时LC滤波器更佳 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Fe6gHZmOWO3yA624b971Hw SiC MOSFET串联使用电压不均衡问题 即使是特性相近的两只器件，也会出现电压不平衡现象

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1X70MrQZpvH6wRQpOu5MJw SiC超结MOSFET短路能力研究 引入超结结构可以提升导通特性-短路能力的trade-off

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Nl3oqKdeASwsQTTkzMUePw 来自台湾半导体所的研究：体缺陷对1200V SiC VDMOSFET可靠性和噪声的影响。 本文研究了1200V SiC VDMOSFET的低频噪声特性，重点从噪声特性上区分体缺陷和界面缺陷。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ovP1oa5o0m-Vqcx6lLWoGw 固态变压器（SST）：以SiC芯动力，铸就AI数据中心终极能源心脏 本报告旨在构建一个从物理机制、核心拓扑、关键性能到产业生态的全景式深度解析，系统阐述SST如何通过其革命性的技术内核，精准击中AI时代数据中心在效率、密度、智能化和绿色 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wLkque_4NZl9gtIOmuZ4gg 昨天笔记讨论的英飞凌碳化硅沟槽半包超结TSJ MOSFET的方案结构设计，很多朋友感兴趣。留言没法一一回复了。结论就是，超结产品迭代可能比咱们预想的要快，而且简单。之前产业界一直担心碳化硅做超结，不管是多次注入多次外延，还是深沟槽外延 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zeMVSmM4rnPEADmG2ZRzNQ SiC器件双槽JTE终端抗dV/dt能力研究 制备双槽浮空埋层+JTE终端结构（DTBP-JTE），验证抗dV/dt能力