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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/H43_X_FHhsI4Oj4aodMmNw 记得半年前二堡有几片篇笔记讨论过英飞凌碳化硅沟槽半包超结TSJ MOSFET的方案结构设计，很多朋友留言问这些技术细节的公开来源。那时候还真没来源。都是和欧洲的一些朋友们瞎聊天大家伙儿分析推测的。毕竟当年和这些欧洲同学朋友们经常在一起 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rcOt1b7PUMHituXHjN36Ug SiC MOSFET 结温监测与主动控制技术及智能热管理系统综述 本文旨在构建一个从理论基础到工程实现的完整SiC MOSFET结温监控技术体系。文章首先从半导体物理与材料特性出发，深入剖析了SiC MOSFET结温特性的内在物理机制及其对可靠性的决定性 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zXJagAHj3N5FQwDaWyzZ6w 紧急跑回来整项目抄指南白抄了…继续挖多级沟槽研究超结填充。前几天说要改天试试，SiC air gap SJ，看看行不行，有没有啥好玩的亮点。毕竟多级沟槽air gap SJ几分钟就能填一片，相比一边填一边刻蚀的填充工艺，咱们这一步的工艺成本省了十几 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6GV5SPcHKU7bm8PjiIR4RA 淀山湖都没来得及逛完，紧急跑回来整项目抄指南。这两天，好几个朋友留言聊超结的事情，想讨论下碳化硅超结来的会有多快。我感觉是，会非常快。现在碳化硅80%以上市场还是650-1700V, 超结在这个电压段不过就是在现在产品的元胞设计底下加个P ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ExkbfvOB7yOKbYeqML0z9Q IGBT的FBSOA 在IGBT器件开启过程中，器件发射极经沟道向N-漂移区注入电子，经集电极向N-漂移区注入空穴。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hpGOajiyYUIhWnIshKcg4Q 几种结终端技术的复合技术 场板技术、场限环技术、结终端扩展技术等是功率半导体器件中常用的结终端技术。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OV-KFATAnC5j_Fm4sJ8r4g 三种SiC MOSFET终端结构抗辐照能力对比 场限环（FLR）、环辅助结终端（RA-JTE）以及浮空多区结终端（MFZ-JTE）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Mc647dw3IbiMVCT3PtBHYw 5000字长文——SiC与GaN器件之全面对比 对SiC、GaN器件，做一全面对比，包括材料、器件、性能、应用四大板块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/x4LpwVJ2XoY6stfDwZXznQ 3300V SiC MOSFET：开启高压高效电能转换的新纪元 3300V SiC MOSFET代表了当前功率半导体技术的巅峰。它不仅仅是一个性能参数更漂亮的元器件，更是推动轨道交通电气化、新能源发电、高端工业制造和下一代电网技术向更高效率、更小体积、更 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Yrn6mL7i64p9sUTQ-Sl5Dg 这两天出来学习，收获满满。可惜昨晚沿着湖边看夜景忘记穿外套吹了会风，今天有点不在状态，一整天头晕沉沉的，下午硬撑着快速念完了PPT，有点不知道自己究竟讲了啥。回来喝了一大杯热水，捂在被子里睡了一觉出了一个身汗，缓过来了点。摸了 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WIOdfH1z6bGjfw7LfvUn5A 来自浙大任娜课题组的研究：接近SiC理论极限的10kV级SiC MOSFET 本文报道了在工厂6寸线上成功实现了10kV级SiC MOS器件。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-fyvYS4Jaen-Q3gq-AhnRA 功率MOSFET发展史——替代BJT 驱动功耗极低、控制逻辑兼容、自动均流特性、开关速度更高以及安全工作区更宽，以上五点，导致MOSFET逐渐替代BJT

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LAeKxGJF8Fe5QbrQTt_YYA 全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET 硅基氮化镓FIT-FV-MOS器件，硬击穿电压1495V，阈值电压4.2V，比导通电阻 9.7mΩ・cm²

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uPza2s-S-EtoZm2j_Fsi7Q SiC MOSFET阈值电压的稳定之道：从物理机制到系统级优化 本文旨在实现这一目标。我们将从量子层面解构Vth的构成与漂移机理，穿透应用迷雾，直击由Vth不稳定性引发的典型工程故障。进而，为您构建一套覆盖精密测量、单管定制驱动、多管主动 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YNgpqz5fu7PiS8VwQxR-Zw 产业新闻 | 国产功率半导体厂商未来3年将迎来一波赴港上市潮 产业新闻 | 国产功率半导体厂商未来3年将迎来一波赴港上市潮

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZUkC00EM0ZfCHM-wYkp4sA 条形、六角及八角元胞27nm SiC MOSFET性能对比 六角元胞的沟道密度和JFET区密度均高于其他几种

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nmoHqy_7JCINglkIJx1RLA 3300V SiC超结MOSFET器件短路及UIS能力 制备四种3300V SiC MOSFET器件，non-SJ、short-SJ、semi-SJ和full-SJ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9TvOq6n09O6I11hnUeYo3g SiC缺陷 (3) - MOSFET击穿与外延缺陷的关系 文献研究了4H-SiCMOSFET的击穿与衬底晶体缺陷的关系。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iaZr5VkRyejRQ_492To9Aw 没有模拟元件，你的 5G 信号可能就没了！数字元件为啥救不了场？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eqFondxd4-pc7-XqFJXr6g SiC缺陷 (2)：BPD对SiC功率器件可靠性的影响 文章讨论了基平面位错（BPD）对MOSFET性能退化的影响。