功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F2JfPeAiS7WGqI__OqSR6w 三菱第三代RC-IGBT产品技术路线 RC-IGBT，逆导型IGBT，将IGBT和续流二极管集成于单一芯片，适用于中等功率场景

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I0IB5uqVyEM3iUS_247Y4Q Si基IGBT三大类型 按照时间顺序，从PT-IGBT，到NPT-IGBT，到FS-IGBT，终至SJ-IGBT

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AdRX_9h6dIoY-dRfLnPHmg SiC MOSFET驱动保护电路：关键问题与系统化解决方案 本文系统性地综述了SiC MOSFET驱动电路面临的核心挑战，并针对性地阐述了短路保护、栅极完整性保障、开关应力抑制等关键问题的解决方案与实现原理，为高可靠性驱动电路设计提供实践指导 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Grs0ygiG2eXPrJv1geOS0A 专家课堂 | 为什么很多IGBT驱动电源都是开环的？ 专家课堂 | 为什么很多IGBT驱动电源都是开环的？

SiC MOSFET短路时间为什么短 https://mp.weixin.qq.com/s/iGhnulqftQxkxcPmlTe7aw Hey,好久不见！今天简单地聊聊为什么碳化硅短路耐量小的原因，希望你们能够喜欢！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VKNImCSuDnWXTb94RW6LyQ 这周很高兴和两位老朋友，老专家深入交流了芯片构架和技术发展趋势。刚畅聊了回来，吃多了睡不着，看见很多朋友的留言，说二堡前天发的那个2400V沟槽MOSFET的数据看不清楚，问又没有更清晰点的数据。刚好找了一个贴上来。今晚和根特来的老朋 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aZHAIBhDP1bO1_MZwfbukw 负栅压下，SiC MOSFET阈值电压不稳定性机理 负栅压吸引部分空穴向栅氧化层迁移

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/31UYxuzf2kqDr9OEetkaDA 一文详解：SiC MOSFET与Si IGBT各自适用场景 单极型MOSFET、双极型IGBT，两种器件有着不同的优先级考虑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PQx8WtuVTkefDp5N3mF0tQ SiC MOSFET串扰与振荡抑制技术及驱动电路设计综述 本文系统分析了SiC MOSFET串扰和振荡问题的产生机理，全面梳理了各种抑制技术，并详细介绍了几种有效的驱动电路设计方案。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3r08gvVBIOI_GVYflfhYHg 解密 IGBT 的 dv/dt 可控性：英飞凌应用指南视角下的开关优化核心 解密 IGBT 的 dv/dt 可控性：英飞凌应用指南视角下的开关优化核心

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9IWyjEWh4y20bPCBhvAFEQ SiC MOSFET质子注入技术研究 通过质子注入技术可抑制SiC MOSFET双极退化效应

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BzQsWfVjVdvDNPLNLdRJDA 6种商用SiC MOSFET器件短路及UIS能力对比 ASM在Ron,sp、SCWT和UIS能力三项指标上展现出最佳的trade-off

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/36l0KryTMnNL_OqX3VGjBg SiC功率模块与IGBT模块性能对比 对比三种IGBT模块与ROHM的SiC模块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XfmORWWS0P9-axooe2Roqw 八角元胞SiC MOSFET探秘 制备八角元胞SiC MOSFET，以验证其高频优势

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Vgrn3Tv-KOQgFj99uubTiw 在此前的文章中，作者提到 Fraunhofer IZM 的嵌入式功率模组。这个结构的特点是：模组很薄、散热器也很薄。但当模组固定在散热器上时，却能明显看到 PCB 产生翘曲。在普通 PCB 中，翘曲对散热几乎没有影响——毕竟传统 PCB 不依赖散热器，更 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wnl1XU3lluIExMTXay96zA 芯片研究 | SiC MOS芯片设计思路，从材料到工艺全面解析（技术干货） 芯片研究 | SiC MOS芯片设计思路，从材料到工艺全面解析（技术干货）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Rv3-rNjNUxVF0WYCuf_xFw 2025高压系统继续升压，火热。二堡下一年除了继续在业余瞎研究血糖检测和可见光CPO以外，主业还是要找钱找创新点继续挖沟槽…

对SiC MOSFET可靠性认知的提升 https://mp.weixin.qq.com/s/zjxe-zZ3kBRhwwxMmcc1qg 随着SiC的大量使用于不同应用场景，对SiC器件的可靠性认知也在不断完善，早期沿用Si功率器件的方案，到现在增

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F6gtB12xh0RK7r8DfLgI-Q 周末晒着太阳和咖啡☀🌈🍵，终于能安静下来把森茶的交流故事讲完。这几年，出于职业操守，我都远离光通讯和短距互联的项目。本来最开始以为森茶这个AR眼镜是要搞远红外硅光技术，后来一聊天，发现完全是个新的技术领域。那就可以放心大胆的瞎 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/04qyczLyaXj3bdV_sZnqCQ SiC MOSFET开关特性深入解析：从物理本质到设计精粹的完全指南 为了真正释放SiC MOSFET的性能潜力，工程师必须完成从“电路使用者”到“物理现象驾驭者”的转变。本文将从最底层的物理机制出发，贯穿整个开关过程，最终提炼出可直接用于高 ...