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功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

  • [碳化硅芯片学习笔记] 比利时森茶喝咖啡—为什么下一代“真”AR/VR需要硅光集成视网膜投影
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/Jwsfsac-qGZt7j7d2bVpDw 昨天下午找了一个根特大学的朋友去森茶楼里喝了杯咖啡,刚好赶上比利时下雪了,咖啡配雪景再加上隔着玻璃窗有AR的意境,正好可以畅聊硅光集成视网膜投影技术在未来AR/VR的广阔天地。关键讨论点是1. 现有的AR眼镜不是真AR,达不到沉浸式,长期 ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-21 功率器件
  • [碳化硅芯片学习笔记] 连续抽中了三个50万大奖
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/rEOxrxKmE3NsLVmDVKXDTg 自从上周说我们团队抽中了三个大奖,很多朋友就一直想知道究竟是中了啥奖,🈶多少奖金。其实这些年来,二堡换了不少地方,也换了不少研究方向。以前研究大芯片,后来研究学习光互联,然后又去挖了好几年沟槽,最近正在想研究研究AR眼镜和机器 ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-20 功率器件
  • [宽禁带半导体观察] 文献:SiC缺陷对器件的影响
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/jbAYYcnNVZLrW865r87cPA 文献:SiC缺陷对器件的影响 该篇综述主要介绍了SiC外延层(EPI)缺陷对器件电性、可靠性的影响。
    00 zyadmin 发表于 2025-11-19 功率器件
  • [晏小北] 13kV SiC MOSFET制备
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/rdcz3tc_IalCHI4_R7aHcA 13kV SiC MOSFET制备 13kV器件的漂移区浓度太低,P阱在横向、纵向均有明显扩展
    00 zyadmin 发表于 2025-11-19 功率器件
  • [晏小北] SiC MOSFET之BVDSS异常芯片失效机理
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/6Hmre-WY3j6YzaEqNyHZGw SiC MOSFET之BVDSS异常芯片失效机理 所谓BVDSS失效管芯,即那些BVDSS值相对较低,但仍符合规格要求的芯片
    00 zyadmin 发表于 2025-11-19 功率器件
  • [碳化硅MOS应用技术分享] SiC MOSFET多管并联技术深度解析:从失衡根源到高可靠系统设计
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/5s8R8tFmr86LnKGIYS1N3Q SiC MOSFET多管并联技术深度解析:从失衡根源到高可靠系统设计 本文将系统性地剖析SiC MOSFET多管并联的核心问题,并提供从芯片级到系统级的综合解决方案,为高可靠性并联设计提供坚实的技术支撑。 ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-19 功率器件
  • [碳化硅芯片学习笔记] 比利时森茶AR投影眼镜-SiN光栅集成蓝绿光GaN LD激光和VR投显技术笔记-1
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/b3jIHpHWC7nhSCFX_foZCA 很多朋友对森茶那个GaN红绿蓝🌈光激光器,采用二堡硅光无创血糖检测IP方案,SOI-SiN-PD-LD-+各种功能材料的全集成的工艺方案,利用光子集成电路(PIC)对视网膜上形成像素的每个发射点分布(EPD)进行光分配,很多朋友们对方案实施后的性能测 ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-19 功率器件
  • [碳化硅芯片学习笔记] 比利时森茶-GaN绿光LD硅光集成搞定50块钱的AR眼镜外挂,采用二堡血糖检测IP
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/LDlm-TFvdLyOEYKDHdZdXA 很多朋友留言,问昨天那个GaN红绿蓝🌈光激光器,采用二堡那个硅光无创血糖检测IP方案,这套SOI-SiN-PD-LD-LN+各种功能材料的全集成平台工艺方案,把GaN激光器,挖坑之后集成在硅光多材料系统里,用来干啥?是不是搞GaN Micro-LDs阵列做AI大芯 ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-18 功率器件
  • [晏小北] 9000字长文——SiC MOSFET之全面介绍
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/P1vpB6x0DlrxZwDLHPxavg 9000字长文——SiC MOSFET之全面介绍 为获得更大的BFOM值,需采用更大EC的半导体材料
    00 zyadmin 发表于 2025-11-18 功率器件
  • [晏小北] 4000字长文——GaN器件之全面介绍
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/B0lPvGppRpc2luMRIu7POQ 4000字长文——GaN器件之全面介绍 1993年,Khan发明铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMT)
    00 zyadmin 发表于 2025-11-18 功率器件
  • [功率半导体器件] 来自浙江大学高大为团队研究:一种新型用于改善热载流子退化且具有浮空栅极的分裂接触场板LDMOS
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/4uukePCyeAWekdExEz2Yfw 来自浙江大学高大为团队研究:一种新型用于改善热载流子退化且具有浮空栅极的分裂接触场板LDMOS 本文提出了一种新型的具有负栅的分离接触场板横向双扩散MOS结构(CFP-LDMOS)目的是改善热载流子退化(H ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-18 功率器件
  • [晏小北] 全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/3rlfzpTI-o--alJkDHVcTw 全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET 硅基氮化镓FIT-FV-MOS器件,硬击穿电压1495V,阈值电压4.2V,比导通电阻 9.7mΩ・cm²
    00 zyadmin 发表于 2025-11-17 功率器件
  • [晏小北] HTRB应力下,SiC MOSFET终端可靠性
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/GqUr5bftoOz0L9yYAVtcIA HTRB应力下,SiC MOSFET终端可靠性 研究1700V平面型SiC MOSFET HTRB失效机理
    00 zyadmin 发表于 2025-11-17 功率器件
  • [功率半导体器件] 通用电气(GE):第四代SiC MOSFET技术_1200V 11mΩ
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/5LIKcqcnqDY3hNm7t3uXEA 通用电气(GE):第四代SiC MOSFET技术_1200V 11mΩ
    00 zyadmin 发表于 2025-11-17 功率器件
  • [功率半导体器件] 芯联集成最新SiC技术:8吋SiC的G2.0技术
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/HwqvmZj9vEZSe79wGjnmKg 芯联集成最新SiC技术:8吋SiC的G2.0技术
    00 zyadmin 发表于 2025-11-17 功率器件
  • [碳化硅芯片学习笔记] 比利时IMEC的无创血糖检测怎么集成LD激光器?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/gR-qPD8hhTu93u8UuoGTYQ 这几天很多朋友留言,说二堡那个硅光无创血糖检测IP方案和IMEC的很像,这套SOI-SiN-PD-LD-LN+各种功能材料的全集成平台工艺方案,是不是抄袭了IMEC的。大家伙儿眼神果然都很好。前几天已经说了嘛,七八年前为了研究研究光互联,光突触计算和 ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-17 功率器件
  • [国产碳化硅] 行业新闻 | 爱仕特第四代SiC MOSFET荣获2025“中国芯”优秀技术创新产品奖
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/6BFoRHubuNu0VBwFjJHDCw 行业新闻 | 爱仕特第四代SiC MOSFET荣获2025“中国芯”优秀技术创新产品奖 爱仕特第四代SiC MOSFET荣获2025“中国芯”优秀技术创新产品奖
    00 zyadmin 发表于 2025-11-17 功率器件
  • [半导体先进技术与仿真] 功率半导体(Power Semiconductor)-2 FS-IGBT 短路耐受能力提升
    功率半导体(Power Semiconductor)-2 FS-IGBT 短路耐受能力提升 https://mp.weixin.qq.com/s/FYBjAldE1g2TFr9ZymHI6A 本CASE通过实验与仿真相结合的方法,系统揭示了FS-IGBT的短路失效物理机制
    00 zyadmin 发表于 2025-11-17 功率器件
  • [功率器件应用学习笔记] SiC MOSFET UIS失效
    SiC MOSFET UIS失效 https://mp.weixin.qq.com/s/ErjQCojfA4y-7CNqLP_New UIS(Unclamped Inductive Switching),非钳位感性负载,用于衡量功率器件在极端电
    00 zyadmin 发表于 2025-11-16 功率器件
  • [SiC产学研] 从Semikron Danfoss eMPack结构设计 聊一聊未来的模组设计思想 和 芯片上方烧结技术
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/OgbABa20VA99ReOGLJGNDQ eMPack(如下图所示)是 Semikron Danfoss 推出的车载逆变器功率模块,它作为电动汽车中直流转交流(DC–AC)的核心部件,用于对电机进行精确、高效的控制。在这个模组中,有许多让人眼前一亮的设计。例如,它采用了 3-level 拓扑结构,而不 ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-16 功率器件
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