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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/U5ldu6myqrpSzHtvr1cC2g GlobalFoundries接棒台积电的氮化镓技术，格芯、力芯重塑功率半导体！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ogq5OliE9IiKlKf4Eon0kw 功率电子器件发展概述：技术演进、结构创新与应用突破 功率电子器件作为电能转换与控制的核心，其技术发展经历了从传统硅基到宽禁带半导体的革命性演进。本文通过系统的技术对比与分析，深入阐述各类型功率器件的结构特性、技术优势与应用 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Zsw9K0qgbTmJe0JhhzlAkA 分裂栅SiC MOSFET器件制备 制备Con-MOS、SG-MOS和SG-PB-MOS，对比各项性能

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NdC-ylPaJ42EdF33IbnIPw 屏蔽栅MOSFET优化设计 SGT-MOS两种类型，上下型和左右型

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/P6bLl8v0KsJjyAmjJaC8ow IGBT的安全工作区简介 功率器件能在一定的电流-电压围起来的区域内工作而没有发生破坏性失效，这个区域被称为安全工作区SOA

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/R492kkIVFnkobKC7Twgezw 最近很多朋友留言，说二堡咋变懒了不学习也不记笔记了。最近很忙。而且咱们的碳化硅沟槽已经搞到2以下了，半超结也搞的差不多了，2以下的东西都没法聊太多，所以碳化硅挖坑的十年故事也就到今年这了。但咱们的氧化镓PCAS万伏千安的笔记故事才 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wMMHB3U1xiRMTkaIwxvLUQ 这是一款国产SiC 三相全桥HPD功率模块，最大电压1700V，电流1000A，内阻最低1.3mΩ，有液冷和风冷两种散热方式。 #碳化硅MOS#芯片#SiC功率模块#1200V三相全桥功率模块#1700V三相全桥功率模块#HPD封装#三相全桥SiC功率模块#车规级#水冷#液冷 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YTl9FBFD5kYjcV9joo59gA 这是一款MD3封装的SiC功率模块，电压最大1700V，电流800A，内阻2mΩ，内置NTC温度传感器、有液冷和风冷两种散热方式 #碳化硅MOS#芯片#SiC功率模块#1200V三相全桥功率模块#1700V三相全桥功率模块#DCW封装#三相全桥SiC功率模块#车规级#水冷工 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EZpnoFQMyJT1YaIE0O61yw 2300V薄栅氧SiC MOSFET器件研究 制备27nm栅氧、55nm栅氧2300V SiC MOSFET器件，对比各项性能

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-Hvc_e4wTy97i9TBm1fSUQ DRB应力下SiC MOSFET之Crss退化 Crss随着DRB应力循环次数的增加而对数增长

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wO_kN6vroW6zG3qZbFE91g 来自意法半导体：下一代沟槽侧壁掺杂的超结功率器件

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TbnpMS7rR2Pwhhm7dXfx9g SiC功率模块及其开关特性 SiC功率模块的主要组件包括：硅胶、芯片、焊料、布线、绝缘基板、散热板、导热材料及散热器

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jTGPCJ3G6JqPyih51ct40g 3300V SiC超结MOSFET器件短路及UIS能力 制备四种3300V SiC MOSFET器件，non-SJ、short-SJ、semi-SJ和full-SJ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hQUgyR1dTLphvVzBuWzRXA 文献解读——1.5kV半超结Si MOSFET 通过8次外延，制备Si半超结MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OF-sj_pski1rOszaJYRVfw 4000字长文——GaN器件之全面介绍 1993年，Khan发明铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管（AlGaN/GaN HEMT）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I2QpKl2qxAOYCgvkiyD5KQ 技术的本质——从集成电路和IGBT说起 技术是对自然现象的驯服，是一种人造的流程

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6zbwqC5CjaTQwRFN0btNbg 碳化硅（SiC）MOSFET驱动设计：核心要点，选型设计与应用实践 SiC MOSFET凭借卓越的高频、高压特性，正在推动电力电子技术革新。其性能发挥高度依赖精密驱动设计。本文深入解析驱动电压选择、串扰抑制与保护电路三大核心技术，结合新能源汽 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1vO1MnhHq5bhf_s9BCDERw IGBT中的dVCE/dt问题 IGBT的dV/dt指的是集电极-发射极之间的电压VCE随时间的变化率。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SDcWARPb_kvbFBNwB4oLcg 6种商用SiC MOSFET器件短路及UIS能力对比 ASM在Ron,sp、SCWT和UIS能力三项指标上展现出最佳的trade-off

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Z9HuycA1-eIl6C5iWWpg5A 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET电阻成分分析 通过影响沟道电阻和漂移区电阻的占比，影响器件电阻的温度系数