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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/f9e5LiP9u8YFBD2iFiadBw 宽温域下的 SiC MOSFET 开关暂态建模方法研究 本文提出一种宽温域SiC MOSFET开关暂态模型，通过函数拟合阈值电压与跨导的温度特性，基于等效电路将开关过程划分为八个阶段建模。经Matlab仿真与双脉冲实验对比验证，该模型开关时间平均误差 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uoKG6VsmIQe1hQMnz4Al2A 十年磨一剑：安森美(onsemi)最新技术垂直GaN功率器件 近日安森美（）公开发布垂直氮化镓（Vertical GaN，vGaN）功率半导体器件，其利用专门的GaN-on-GaN技术实现了更高的纵向导通电流、更紧凑的结构设计以及更快的开关速度，其这个方案在损 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sJc0OVFRpqgHx1p4OQoGSQ 深度解析：碳化硅MOS串、并联参数偏差引发的连锁问题与解决方案...为什么筛选Vth？ 深度解析：碳化硅MOS串并联参数偏差引发的连锁问题与解决方案

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Vdk-if-ubQ0aABq1W3VtxA 27nm栅氧SiC MOSFET 相比55nm器件，27nm器件可获得SC&Ron,sp之间更优的trade-off

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7xEODrTu_6zDpEg74cCLHA 平面/超结 SiC MOSFET高低温性能对比 77K低温下，性能权衡的瓶颈从高温区的漂移区，转移至沟道和JFET区

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Uj-tGrBRsl9xjOM3_2h3pA 一文快速了解碳化硅（SiC）MOSFET 碳化硅（SiC）MOSFET作为第三代宽禁带半导体的核心代表，凭借其卓越的材料特性，正在重塑功率电子领域的技术格局。本文从结构解析、基础原理、工作原理、性能优势及选型应用五个方面，结合最新技术数据展 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/f4X_24rSqPhuhF6gqoBzgA SiC MOSFET短路能力改善之BASiC方案 典型工业级Si IGBT的短路耐受时间约为10 μs，而SiC MOSFET的短路耐受时间通常只有3 μs左右

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zaoWomedFe9MoAAMbr428g 抗辐照分裂栅SiC MOSFET制备 制备C-MOS和SG-MOS，以提升SiC MOSFET的抗辐照能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/R124ZBKICES48aS17z8GkQ 来自三菱电机：用于实现超低开关损耗的无负栅电容分裂栅电阻分离的CSTBT 负栅电容现象引起的电磁干扰限制了IGBT开关损耗的降低，本研究提出了一种分裂栅电阻分离的CSTBT技术，它抑制 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/osR01nLCYGRMsRZd_AD3Gg SiC MOSFET 结构解析与各区域核心功能 碳化硅（SiC）MOSFET作为一种革命性的功率半导体器件，其性能优势根植于其独特的垂直导电结构。该结构不同于传统硅MOSFET，实现了高耐压、低电阻和高功率密度的完美结合。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/na90PaPlJDcaW7EgXB0lFw 芯片研究｜一文看懂SiC沟槽MOS发展历史 一文看懂SiC沟槽MOS发展历史

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9-dVTNiLH0W3Sihc6LIPPA AC BTI实验，SiC MOSFET之Vth漂移机理 由正应力引起的、稳定的、累积性的电子捕获效应逐渐占据主导地位，掩盖了负应力引起的瞬态效应

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lsKuh5fvB4N9SeQ1Iw0nJQ 宽禁带半导体器件优势之由来 10倍的EC差距，导致1000倍的Ron,sp差距

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CappVOMSY6h-fLaugSdEWg 器件科普｜近两百年的 "电控老兵"继电器，为何至今不能被功率半导体替代？ 继电器：近两百年的 "电控老兵"，为何至今不能被功率开关替代？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hnguR8tF2Eq2BFugR2GgLA 温度对IGBT开关的影响 IGBT芯片的工作温度必须保持在临界温度以下，使得正向和反向漏电流都不会因为变大而失效损坏。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hbxulWw51pxlyl0fDJtIUQ SiC沟槽MOSFET发展历程 五种经典改进结构

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1s0BlkK-s29AnC6IfHItig SiC MOSFET之BVDSS异常芯片失效机理 所谓BVDSS失效管芯，即那些BVDSS值相对较低，但仍符合规格要求的芯片

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JRJq7A0C3DcvoX9DDrnVFA 专家课堂：IGBT门极电压尖峰是怎么回事？ 技术解读：IGBT门极电压尖峰是怎么回事？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vcmZVFn1PnGA-Lj88op9lw 一款国产1200V 内阻1.3mΩ，电流1000A。半桥结构碳化硅（SiC）功率模块 采用单面水冷散热模式，最高工作结温175℃ #碳化硅MOS#芯片#第三半导体模块#1200V功率模块#1700V功率模块#碳化硅功率模块#SiC功率模块#车规级#水冷工艺#液冷#新能源# ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xs6r_Oy_yNSqAciET3gkDQ SiC MOSFET高频特性优化方案 包括SG-MOS、BG-MOS和八角元胞