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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FxQzxS7SdiphH9ZZqVKzxA 文献解读——SiC FinFET制备 制备SiC FinFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/v7pM609ZHLk74oVdsF1tEw 一款国产 1700V 内阻2.7mΩ 电流600A，62mm半桥的碳化硅（SiC）功率模块。 11款碳化硅(SiC)功率模块产品介绍及应用 #SiC功率模块#碳化硅模块#62mm#半桥结构#1700V 1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷； 2. 高功率密度，低寄生电 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OyTIORYYbt2_WlUkAAqqpQ 一款国产3300V,内阻40毫欧，电流80A， TO-247-4的封装超高压碳化硅（SiC）MOSFET单管。 基于3300V SiC MOSFET Marx脉冲发生器陡前沿优化研究 #3300V#碳化硅MOSFET#分立器件#超高压功率器件 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LY1jPJXmzA4bPQjhrrSB3g 一文快速了解热阻和结构函数 热阻是评估散热性能的标尺。结构函数是一把精密的游标卡尺，我们要用它来精确读取“0点”（Case面）和“终点”（环境），从而得到可靠的长度（Rth-jc和Rth-jw），而不是去猜测这把卡尺本身的金属晶体结构。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rsivJitrkwNihW66J3RTgQ 十五五能源红利释放！储能与功率半导体厂商的千亿级掘金指南 在 “双碳” 目标与新型电力系统建设的双重驱动下，“十五五规划” 将 “大力发展新型储能、加快微电网建设” 置于能源转型的核心位置... ... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RC17r8obManrl7OnPbJ78g 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET的额定栅压 有此差异，本质上还是SiC器件栅氧更易击穿所致

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UrzzEwVov6Msuon-Kx0UFA 来自Rohm的研究：具有沟槽场板的MOSFET在沟槽长度和顶部电极接触的版图优化 本文对40V沟槽场板MOSFET的场板电阻RS进行优化设计，制作了不同沟槽长度和接触位置的几种器件。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/bAsVPTIQyhxhzdBKrrBYUQ 一款国产 1700V 内阻2.7毫欧 600A电流的碳化硅（SiC）62mm半桥碳化硅MOS模块。 11款碳化硅(SiC)功率模块产品介绍及应用 1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/m9N9U7PIScFsLWJrSFBLiA 一文看懂：服务器HVDC架构，彻底解决GW级供电痛点，对行业及功率器件的影响【4719字】 年省超千万：800V 高压架构，彻底解决GW级服务器供电痛点，为什么要选择第三代半导体？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/w23zEJsPjZjM-Qkxl_fuzw HTRB应力下，SiC MOSFET终端可靠性 研究1700V平面型SiC MOSFET HTRB失效机理

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Tjwi60qIIpfBBR3ilroVfg SiC MOSFET过渡区UIS失效机理 从栅氧局部损伤，到栅氧/场氧交界处的明显裂纹，再到器件烧毁

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/d6Tybthij-7PZRJQEz7dSQ 用于碳化硅MOSFET的隔离型同步驱动电路设计 本文设计一种碳化硅MOS的隔离型同步驱动电路，该驱动电路对同一驱动信号进行放大，保证驱动信号一致性；通过驱动变压器输出多路隔离驱动信号，仅需一路隔离供电，有效缩小电源体积。搭建基于碳化 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-tjqbHbr0SSZSozatzCBJw 安世半导体后续：从飞利浦到中国芯，功率半导体巨头的前世今生、破局之路、未来走向...【5184字】 安世半导体后续：从飞利浦到中国芯，功率半导体巨头的前世今生、破局之路、未来走向... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YxhGL4pvf5rRBhpe1RGXVg 🌟背景PCB嵌入式功率模组无疑是当前功率电子领域最受关注的话题之一。通过在PCB内部实现合理的电气布线，该技术能够有效优化寄生电感，从而抑制电压过冲并提升开关速度。下图中的Fraunhofer IZM嵌入式功率模组，相信大家已经看过太多次了。🌟 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hFWWGTTNhztP8FrJzOUqAw 技术的本质——从集成电路和IGBT说起 技术是对自然现象的驯服，是一种人造的流程

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mGftOyGLQx_KeSospxXo1w SiC MOSFET应用篇：基于MCU的车载充电系统的研究与实现 本文提出采用SR5E1 MCU直接功率控制的车载充电系统，包含22kW OBC和3kW DC/DC。该系统针对最高800V高压电池平台，采用第三代功率半导体SiC MOSFET和电磁隔离式栅极驱动器实现车载充电 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/81WG_Ma2OvIaNQJHiBDBsw IGBT的米勒平台和栅极电荷

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pJ-ZIRL69viL_fTZfoDRUw 八角元胞SiC MOSFET探秘 制备八角元胞SiC MOSFET，以验证其高频优势

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Z4klYk4r3YlCwVIIKaL7VQ 碳化硅为什么少有 PMOS？从材料到应用的深度解析与解决方案【3035字】 碳化硅为什么少有 PMOS？从材料到应用的深度解析与解决方案

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Fifi-4QNeulroi4WIyK65Q 数据中心供电革命：从交流到800V高压直流电源的架构演进与AI驱动下的未来之路 数据中心供电架构正经历根本性变革。从12V到48V，再到400/800V高压直流，每次电压提升都伴随能效跃迁。它最终将决定，我们能否在AI时代，为无尽的算力需求找到 ...