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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ex5IH_umwdYEl789vEMRNQ SiC MOSFET 与硅基MOSFET：寄生电容特性与驱动设计全解析 MOSFET的开关速度一直是影响系统性能的关键因素。无论是传统的硅基MOS还是新兴的碳化硅MOS，其开关特性都直接决定能源转换的效率、设备的功率密度和整体可靠性。理解MOS的开关行为 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/srhA04pW1NmbRbD0qKdWEQ 碳化硅MOS阈值电压：3V与4V背后的技术博弈、应用解读、器件难点【6059字】 3V 与 4V 的博弈：碳化硅 MOS 阈值（开启）电压背后的技术分析、应用解读、器件难点3V 与 4V 的博弈：碳化硅 MOS 阈值（开启）电压背后的技术分析、应用解读、器件难 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ux5HgCBPuzrlK8YVr8aFoQ 全垂直GaN-on-SiC沟槽MOSFET 制备基于导电AlGaN缓冲层的全垂直GaN-on-SiC沟槽MOSFET

SiC功率器件可靠性项目梳理 https://mp.weixin.qq.com/s/t1hGQpVAHuYxzOdbCEQp1Q

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/59EMS5UvSZbv_jTs9-aajA 2000 亿风口下的生死局：充电桩 “三年倍增” 方案落地，谁能瓜分万亿市场？主流充电桩厂商详细分析【8422字】 深度解析：功率器件谁的寿命更长？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yiUoJDYwd-0_AcYHLLgMjg 来自日本株式会社/东京大学的研究：针对高频应用，对单背门极和双前门极控制型 IGBT 的控制延迟进行减小研究 具有独立于主栅极（Main Gate）控制的背部栅极（Back Gate）的IGBT可以降低器件拖尾电流和关断损耗。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/i9J5XBN4_dB1prURNd01NA 1.2kV深P阱单沟道SiC MOSFET 通过隧道注入形成深P阱，结合分栅技术，制备1.2kV深P阱单沟道SiC MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZXNqUwlks54X1XEIEFklvw 四种非常规SiC MOSFET可靠性实验 四种针对SiC MOSFET的非常规可靠性试验

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/siFQgo_lIyB6gBIGIpUzvw 一文了解功率器件基础分类到前沿应用 功率器件世界正经历一场由宽禁带半导体驱动的深刻变革。模块化与智能化是高端应用的发展方向，而分立器件则在灵活性和成本敏感领域保持活力。理解其产品分类、技术内核与应用场景，是驾驭电力电子系统 ...

SiC MOSFET常见结构 https://mp.weixin.qq.com/s/gNTd12bNDYloVcwnE-Bx1Q

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yfLxNMTIjXRl9MjMFbnpGg 继续上次的热阻和结构函数的话题热阻和结构函数 别整太复杂笔者个人认为从结构函数是不能准确判断器件内部结构的。截至目前，在上一篇文章中，有71人投票，其中31%的人认为可以准确判断，38%的认为不可以准确判断。也有读者提到不能准确判断 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UoZMra9mgo1Psv500SFhZg 深度解析：功率器件谁的寿命更长？IGBT 与 SiC MOS 寿命差异、延寿方案、不同应用寿命区别【4753字】 深度解析：功率器件谁的寿命更长？IGBT 与 SiC MOS 差异、延寿方案、不同应用寿命区别... ... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ozl6jf9omV_tUzgcmKcjiw 一文详解：SiC MOSFET之开关特性剖析 然而究竟何为开关特性？如何评估开关特性？影响因素有哪些？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ePUQgPGhTCYA0k27zahWzw 一文详解：屏蔽栅MOSFET之由来 SGT-MOS（Shielded Gate Trench MOSFET，屏蔽栅沟槽型功率MOSFET）的发展史

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GujdASjQc6Urxc3Zyz1duw 一文快速了解热阻和结构函数 热阻是评估散热性能的标尺。结构函数是一把精密的游标卡尺，我们要用它来精确读取“0点”（Case面）和“终点”（环境），从而得到可靠的长度（Rth-jc和Rth-ja），而不是去猜测这把卡尺本身的金属晶体结构。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lTn_hNZUNq1NzDnLXrmyWw 揭秘：碳化硅MOS不止是一个开关，体二极管特性与续流分析 揭秘：碳化硅MOS不止是一个开关，体二极管特性与续流分析

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qHkiHlgurYi97URy4z_tCA IGBT动态特性：频率特性解读 IGBT的频率特性的主要参数有最大工作频率、输入电容、输出电容等。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qq46KkhsCY_IbbJbdhFOUg GaN器件之前世今生 1993年，Khan发明铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cJGtjWNnCSPindjMSanHhA SiC/GaN器件应用场景差异 SiC MOSFET和GaN HEMT使得功率器件向大功率、高频率的方向进一步发展

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9M2R7DUwGCN5QR2efFLSeA 一文快速了解MOSFET MOSFET，这个看似简单的三端器件，其背后是深厚的半导体物理、材料科学和电路设计的智慧结晶。从平面到沟槽再到超级结，是硅基技术登峰造极的体现；而GaN和SiC的崛起，则为我们打开了通向更高效率、更高功率密度未来的 ...