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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Jnnb1FDpx5972Dx2RxieIA 碳化硅模块为什么总炸机？从根源到解决方案的闭环分析【2910字】 碳化硅模块为什么总炸机？从根源到解决方案的闭环分析... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fdrDJ6CB5W2iodb3J6D_qg 半导体基础知识—从 BJT 到 MOSFET：电压控制的新时代 从 电流控制 到 电压控制，从 BJT 晶体管 到 MOSFET 场效应晶体管，半导体技术完成了真正意义上的“低功耗革命”。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UI18Gga8qc2-8_r4zWTPAA DRB应力下SiC MOSFET之Crss退化 Crss随着DRB应力循环次数的增加而对数增长

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TQOWrnDH2HXqN5tlPDcX0w 高dV/dt工况，SiC MOSFET的终端可靠性 研究高dV/dt条件下，SiC MOSFET的终端可靠性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DpMGtZ2Io5h0oVymJfzURA 临时被派去学习产业最新技术发展，下午要坐好几个小时火车🚆。本来想睡个觉，隔壁座位一直在电话会议，不得不听了一个多小时的关于科技和行业发展文献自动学习的专业小模型创业团队的融资路演讨论。虽然没睡着💤，但倒是也长了点见识。这个团 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cIVTIXwfwTlIaINNVZUZHw 面向新能源汽车的碳化硅（SiC）电力电子变换器效率提升方法 本文通过分析SiC器件的高频损耗特性与热管理瓶颈，从器件驱动优化、多电平拓扑设计、动态调制策略及低热阻封装等方面提出系统性解决方案。实验表明，优化后的SiC变换器在典型工况 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2cjiPNXO-YaRrzvzvUC8hA 来自东京大学：具有超浅终端并进行缩放型设计的IGBT 作者首次研发了采用保护环型超浅结终端（Ultra-Shallow Edge Termination，USET）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mwSSaMZLbJisNx5J8Msa2A 应用碳化硅（SiC）器件：双向Buck/Boost 电路的研究与仿真 双向Buck/Boost电路结构结构简单,所用器件相对较少,易于驱动控制，在电压较高的场合中采用SiC功率器件可提高电路工作频率,提高效率,减少电路的体积重量。应用交错并联技术,可提升 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2-rtMB79k2uN1orxGYbepA SiC MOSFET之BVDSS异常芯片失效机理 所谓BVDSS失效管芯，即那些BVDSS值相对较低，但仍符合规格要求的芯片

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/p8awMJqKmOYDPfB_0Beaew SiC器件之质量筛选 SiC器件可靠性筛选不同于Si器件的底层逻辑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1udjv9bHVJPiX7d3Ldv6Og 热阻是功率模组，功率器件的衡量散热性能的关键参数。笔者在和行业人员交流中发现热阻的解释和数据分析搞得过于复杂，尤其是结构函数，希望本文能把这个概念简单化一下，less is more。🌟使用热阻Rth的理由使用热阻是为了方便分析 器件或者模 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/u5S9gDs3H7Ea4uEDSmWTOQ 一文详解：SiC MOSFET与Si IGBT各自适用场景 单极型MOSFET、双极型IGBT，两种器件有着不同的优先级考虑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QJItht8QV73DQ6qjO-uylQ 基于带有开尔文源极SiC MOSFET的高频BUCK电路振铃抑制策略 本文对BUCK 电路的振铃产生机理进行了分析，并通过试验数据完成了寄生参数的辨识，得到了精确的振铃波形传递函数;基于振铃波形传递函数，设计并优化了缓冲电路来抑制振铃，通过试 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ithz_zSW8QCX-SHh25v4IQ 功率MOSFET与IGBT开关特性比较

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/m-S_1gUN_r2ruevEuiLzIA SiC MOSFET体二极管替代方案——JBSFET器件 在SiC MOSFET元胞结构中，集成JBS器件

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/11Ju6odUq7jV_A9CcihR4Q SiC超结MOSFET短路能力研究 引入超结结构可以提升导通特性-短路能力的trade-off

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JnOtvXkIN08GRMu_84Shpw 用于SiC MOSFET驱动芯片的高CMTIOOK调制电路设计 本设计创新之处在于拟采用的隔离型栅驱动芯片信号传输电路发送端采用高共模抑制技术，对发送端TX进行共模干扰检测，并采用不同的高共模抑制技术实现共模信号补偿，最大程度上减少由dv/dt所 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/C2yUL7xSTgqnoEsnrvZctQ 半桥结构中SiC MOSFET串扰抑制驱动电路研究 本文提出一种由辅助三极管与无源器件组成的新型串扰抑制驱动电路，减少了传统串扰抑制方式增加驱动电路控制复杂性的弊端并且成本低廉较易实现。通过仿真与实验验证了所提串扰抑制驱动电路的有效 ...

SiC功率器件早期失效及改善 https://mp.weixin.qq.com/s/UHIXZyPmTJ3uRYBbmGTf8g 目前的研究表明，相比于Silicon Base器件，Silicon Carbide器件的Rreliabilit

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/acJUXPLFbDK7j68MVqlKaA SiC驱动芯片：市场趋势、技术难点、参数对比、应用指南详细解读【6130字】 SiC驱动芯片：市场趋势、技术难点、热门型号对比、应用注意事项解读