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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DkaT7o1i6tra0g4iIEdSpw SiC平面MOSFET器件发展历程 SiC Planar MOSFET无法沿用Si VDMOS的双扩散工艺，采用离子注入工艺形成P-base和N+源区

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/i9Jqq8hu-Ls3YON0S6CwGQ 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET电阻成分分析 通过影响沟道电阻和漂移区电阻的占比，影响器件电阻的温度系数

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5186zS7mYi2ZzSkisSFfBQ 由于车载功率模组，功率器件都需要工作在高电压下，尤其是最近的功率模组电压达到了1200V。对功率模组的耐压设计提出了新的挑战。本文从应用非常广泛的HPD模组开始，最后分析到SiC mosfet的芯片结构，来解析一下功率模组中的哪个部分在耐压。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WvqD4LnZhbt7NIOw8j3FqA 这个假期挺长。没出去玩，就窝着聚会吃饭看剧，直到连剧也不想看了。也体会了下如果过几十年年退休呆在家无所事事是啥感觉。想想还是能动就找个地方继续玩点新的材料和芯片技术，虽然也没啥大意义，但总比真没啥事情干了也挺无聊。这些天不少 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NshVZeaORirO6360V607ww 功率二极管基本类型 包括PIN、SBD、JBS、MPS、SBR、TMBS和Qspeed SBDs

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ndbs0d_iweNHY_Kk3R7nIw “国产碳化硅”公众号祝您：中秋节快乐！ “国产碳化硅”公众号祝您：中秋节快乐！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XkT0IG4nLJqYN2TCc8W9VQ 宽禁带半导体器件优势之由来 10倍的EC差距，导致1000倍的Ron,sp差距

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rkISPhbyKVhHYTc9tFxh8g 万伏SiC MOSFET制备 高击穿电压（13 kV）、低导通电阻（175 mΩ）的SiC MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mB0iqQWQnIPrS3LlYFgAQg 揭密：PCB嵌入式功率模块技术（可行性、挑战与性能对比） 揭密：PCB嵌入式功率模块技术（可行性、挑战与性能对比）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NdRpGl8vtTKDLUySjK8vHQ 平面/超结 SiC MOSFET高低温性能对比 77K低温下，性能权衡的瓶颈从高温区的漂移区，转移至沟道和JFET区

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LG45_W3Imgu29W2EK9IXxA SiC超结SBD终端设计 提出三种终端结构，ET、ET-FRR、ET-FRR-JTE

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6ndBxJUHxy2QHga_w5TquQ 这次想聊一聊如何从纳米尺度理解烧结技术和烧结参数。如图所示，烧结是功率模组中将芯片与DBC陶瓷基板连接在一起的技术。银烧结是现在的主流，铜烧结正在开发。最近一些论文也有提到通过烧结来实现底板和散热器之间的连接。理解了烧结的本质 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BAUpD8PiWIDv45mo6q9wgA 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET串并联使用注意事项 MOSFET的串联使用，旨在分压，并联使用，旨在分流

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wgMmzyHO3Zw6oQeOq97IQQ 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET开关特性的影响因素 SiC MOSFET开关特性的影响因素

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yN6bIlijd9BE7C2cfSSGvg PCIM Asia 2025看点精选：未来5年全球功率器件技术方向全面解读~8000字【工程师收藏版】 PCIM Asia 2025看点精选：未来5年全球功率器件技术方向全面解读（~8000字)【工程师收藏版】 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iDZVQMuZYb2mps3_trcLng SiC超结JFET制备 通过沟槽刻蚀+侧壁注入的方式，制备SiC超结JFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KvJw9bmiyl9_ZgsOeOjdtw 一文快速了解为什么需要栅极驱动器、如何选型及SiC MOSFET驱动设计 本文旨在解决工程师在驱动功率开关管时遇到的核心问题：为什么微控制器不能直接驱动？栅极驱动器关键参数如何影响性能？以及如何设计高效的碳化硅（SiC）MOSFET驱动电路。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/giKDHvrTmjQyA1lerZ_Xpg 想起来八年前的今天，好像正是拖着个大箱子准备去纽伦堡学习怎么做高压碳化硅MOSFET。那时对沟槽和超结特别有兴趣，一直想找点资源尽情挖沟槽过过手瘾，一晃，上一个八年就这样过去了。这几年倒是不发愁吃穿，物质欲望越来越少了，只是总想找 ...

SiC功率器件・模块应用电路示例 https://mp.weixin.qq.com/s/Qpa7oAiNt6qD1rqays3_lA 01、功率因数校正(PFC)电路、Boost斩波・通过减小反向恢复电流，改善效率、降低噪声水平・通过减小二极管

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tDvANv67sqKAfjSNBgxtGg 下午有朋友给我发了个图片下午有朋友给我发了个图片，说二堡，你以前画的碳化硅半包沟槽第四代和第五代不完全对啊，Gen5碳化硅半包沟槽超结MOS切片SEM截面你的漫画不对❌看了下，好像还真是。半包沟槽超结，走的好像是二堡漫画故事的第六代漫 ...