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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wI0Q4qyO4vric1PoAdgNlg 混合型碳化硅功率模块（IGBT+SBD）：在变频器（汇川 MD520‑HS）中的应用技术 汇川 MD520‑HS 变频器推出采用混合碳化硅（SiC）方案，即在传统 IGBT 模块中并联或集成 SiC 肖特基二极管（SiC SBD），形成 Si‑IGBT+SiC SBD 的混碳拓扑，兼顾 ...

SiC MOSFET的典型应用拓扑 https://mp.weixin.qq.com/s/Xkuu6rXW4PiPl62Tr_xjUQ 据Yole预测，SiC总的市场份额将由2023年的$2.7B增长到2029年的$10.4B,年复合增加长率为2

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-mxBDJTizcSHFCtyel8-OA 在上回热的本质中提到，对于金属来说，传热是电子“兴奋”的传递，传递速度很快。对于陶瓷，无机物和树脂来说，热的传递是分子振动的传递。其中由于树脂的分子链很长，传递相对较慢。而对陶瓷，无机物来说，取决于不同的原子排列方式。从原子 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2eVsSNezH4YBeQJcAQPRqQ IGBT动态特性：关断特性解读 对于IGBT关断过程就是，当栅极-发射极VGE再次小于阈值电压Vth时，器件开始了关断状态，集电极-发射极两端电压逐渐增大，受电路中寄生电感的影响，会出现电压尖峰，同时集电极电流IC逐渐减小到0，器件又恢复到正 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2xBaENp1mTslrK1K3yfALg 抗辐照分裂栅SiC MOSFET制备 制备C-MOS和SG-MOS，以提升SiC MOSFET的抗辐照能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lr3uJvC4oaxe0sJVKbPrkg 两种SiC超结MOSFET制备工艺 通过多次外延（ME）、沟槽回填（TFE）的方式分别制备SiC SJ MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6Ad01ozErs4_H8XAd6GTng SiC MOSFET替代IGBT：技术优势、实测数据与全面对比分析 SiC MOSFET对IGBT的替代已不是技术上的可能性，而是正在发生的产业现实。从实测数据和应用案例来看，SiC MOSFET在效率、功率密度和高温性能方面具有明显优势，尤其在800V高压平台、 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zJ-BZPq6Ky3tviOUmM4uWA 功率半导体器件产品的失效 功率半导体器件失效是指其功能完全或部分丧失、参数显著漂移，或者间歇性出现这些情况。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_V_zodYwAkTWxFuz-esnhw 辉光放电质谱仪真空泵全碳化硅（SiC MOSFET）逆变器设计 本文设计了控制电路和驱动保护电路，并通过实验检验了电路的有效性，从实验结果可以看出，过流保护和直通电路保护均可有效地保护功率免受过流和短路造成损害，逆变器可以可靠运行， ...

SiC MOSFET导通电阻温度特性解析 https://mp.weixin.qq.com/s/MOlCiuJRNyWLEFn9U2T4kQ 要理解整体Ron的温度特性，我们首先要将其分解为几个主要组成部分，因为每个部分对温度的敏感度不同。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/L7BjfZGhE-4IJz1yT7VsVQ 最近几周都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上人工智能AI大芯片发展的大车。今天和两组欧洲的老朋友们重聚畅聊新技术发展和新的合作研究探索机遇，既有十年前纽伦堡的老朋友们，也有五六年前比利时🇧🇪的老朋友们。离不开的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pnpV6G9ZB9NnAqCm0iAMTw GaN HEMT的三大可靠性问题 Vth漂移、Rdon退化，以及击穿失效

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PfbRCFENmjPSA3BQ3zCXnQ 全垂直GaN-on-SiC沟槽MOSFET 制备基于导电AlGaN缓冲层的全垂直GaN-on-SiC沟槽MOSFET

SiC MOSFET开关速度的影响因素 https://mp.weixin.qq.com/s/MVGn4GGjsPTVRdhI0aJYkg 一、器件本身参数（固有属性）1. 寄生电容这是最核心的影响因素。开关过程本质上是给这些电容充放电的过程。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/m6WFrJrHl3-MtsYYajjIkg 来自三菱电机的研究：浅沟槽+深dummy结构设计实现性能突破 这篇研究提出了一种新的IGBT元胞设计，其IGBT元胞具有位于深dummy沟槽之间的浅的沟槽中。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/gsX-iYp6mix9qiAookLnrw 双脉冲测试：功率器件的双脉冲测试拓扑、参数、行业标准... 双脉冲测试：功率器件的双脉冲测试拓扑、参数、行业标准...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fuEYgiBqOre0tTLcnIxrDA 4.5kV SiC电荷平衡MOSFET 制备4.5kV SiC电荷平衡MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YHHPC7t7kO5zUK8VCEQ73A 6.5kV SiC超结MOSFET制备 制备6.5kV SiC SJ MOSFET，证明沟槽回填路线可行性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cdMIrVsbHunxOJgtUS4_vA 采用SiC MOSFET模块 面向输出性能优化的高低频混合型模块化多电平变换器及其调控策略 本文从调制优化、异质器件混用等多角度提出一种新型模块化多电平变换器(NMMC)拓扑及其特定的调控策略。在高等效开关频率、高输出功率工况下,所提方案的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lGNpyXJrg3M9bjoqADQsCw 功率半导体为什么一般不说“多少纳米”？IGBT与碳化硅MOS的“线宽”真相 揭密：功率半导体为什么一般不说“多少纳米”？IGBT与碳化硅MOS的“线宽”真相