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SiC MOSFET 0V关断问题思考 https://mp.weixin.qq.com/s/6_DTHp_uhjBox23-ZWRB2Q

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/bOPLku3zwLZ_p8K1A8OQ6A 一文详解：屏蔽栅MOSFET之由来 SGT-MOS（Shielded Gate Trench MOSFET，屏蔽栅沟槽型功率MOSFET）的发展史

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6NyFcazxlykIPSZdcQGjFA 一种SiC MOSFET软关断短路保护电路 SiC MOSFT的短路保护电路，通过检测器件的漏源极电压和源极漏感电压，判断器件是否发生短路故障，当器件发生短路故障时，首先将器件栅极驱动电压下降至较小值，减小流过器件的漏极电流，再完全关断器件， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lB_OENA4fK8sq9MFrPPhZw IGBT动态特性：开通特性解读 IGBT的开关特性参数主要包括开关速度和开关损耗两部分，开关速度主要受少子存储效应影响，而动态则是由IGBT的开关状态的I-V特性决定。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DCXPUDhLwFJPFDcEbjCtyw 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET之PCB电路布局 所谓电路布局，就是在性能、可靠性和空间限制三者之间，取得最佳trade-off

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KguxkRFE78Tkq87iRdHQUQ 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET开关特性的影响因素 SiC MOSFET开关特性的影响因素

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/umHWQnS1sccalqzZmTbxqw 基于开通米勒平台的SiC MOSFET在线结温监测方法 本文基于双脉冲实验，建立米勒平台电压、负载电流和SiC MOSFET结温的校准模型，且测试结果表明，米勒平台电压具有较高的结温敏感度，超过7 m V/℃。在Buck变换器的连续工况下，进一步验证所 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/HUUK7j5x9irHIJ3_gC2Sqg 功率半导体器件耐压技术介绍 开一个小系列，器件耐压技术设计功率半导体器件工作在阻断状态时，仅有非常微小的电流流过，在器件内部会产生耗尽区并 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0zbarSMbxmbT3tRFe02iBg 探讨SiC/GaN器件电力电子与智能控制融合的充电技术研究 本文聚焦电力电子硬件创新与智能控制策略的深度融合，推动充电技术在效率、经济性与可持续性上的综合发展。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7_3NEsp-QLS_sI6qqzFB7A 继续深耕氧化镓，欢迎大芯片单管采购追星追梦，迈向深空。支持祖国深空拓展✊，200-800V，10-30A，抗高温，耐辐照，支持卫星🛰️电源模块，空间推进电源模块。SiC不耐受单粒子，GaN怕高温过载，深空拓展，还得看咱氧化镓。 Deep Space 1和NST ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oJnFE5wI4smNZgtC06VTkA 表面电场对PN结特性的影响：击穿特性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Vyvs2fDqzow0DnZ-nwJnpg 轻载工况下，SiC MOSFET与Si IGBT之对比 针对不同应用场景，寻求相应的最优trade-off

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/G00YcoZNGpN-1-lUldVMiQ Si基IGBT三大类型 按照时间顺序，从PT-IGBT，到NPT-IGBT，到FS-IGBT，终至SJ-IGBT

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Df42kbV5iqFre0SWrEUDXg SiC MOSFET的研究进展 本文针对目前国内外SiC MOSFET器件的研究进展进行综述，首先从材料结构方面，对3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC这3种SiC材料结构的MOSFET进行了总结并展示其结构，以及对这几种结构性能参数展开比较。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lipkJq5xn3DZxob75HtrOw 最近几周都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上人工智能AI大芯片发展的大车。高手! 这个坑🕳️挖的厉害啊👍🍺昨天聊到，芯片之间的短距离光互联其实只需要简单的passive光波导互联和III-V LD/PD阵列就行。底下这个图示的fibe ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ViuiJJ0rAOv_UXmrldiFcQ SiC MOSFET与IGBT：工程师必看的碳化硅MOS 4 大短板与规避建议 在新能源汽车、光伏逆变器、储能变流器等高压大功率领域，碳化硅（SiC）MOSFET 凭借高频低损耗、高温耐高压 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0x2Xyk17VafOcyF5GrlJaA Rohm的双沟槽SiC MOSFET短路机理分析 基于1200V SiC MOSFET双沟槽结构，研究分析器件的短路性能，并对器件的结构和性能进行分析。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9eXnxL2GbPffu_5SXmO4Dw 最近几周都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上人工智能AI大芯片发展的大车。几周前聊到台积电，英特尔等公司团队在探索采用越来越便宜越来越大的碳化硅衬底晶圆作为INTERPOSER基板，以实现下一代AI大芯片产品的3D堆叠，光电 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LsbcCGAlXoAtTmgn4Db3Wg 什么是碳化硅 MOS（SiC MOSFET）：定义、结构、原理、检测与损坏原因分析？ 什么是碳化硅 MOS（SiC MOSFET）：定义、结构、原理、检测与损坏原因分析？

SiC MOSFET 结构图以及各区域主要功能 https://mp.weixin.qq.com/s/smd5eckZVHYGCH8jncdMqg 经典的Si基MOSFET结构，源极、漏极和栅极都在器件表面。而SiC MOSFET器件的漏极在衬底下方，只有源极和栅极在器件表面。