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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fW2ts_RMh0OBkApOW1cNFQ 屏蔽栅MOSFET优化设计 SGT-MOS两种类型，上下型和左右型

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Pa27Mpxw9THo5VKP-j1taQ 文献解读——平面/沟槽SiC MOSFET可靠性对比 平面、沟槽SiC MOSFET器件的可靠性对比

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QqtgBvMyDAzF_LbIvRmV1Q 碳化硅（SiC）MOSFET大电流应力可靠性与阈值电压稳定性研究 本论文通过对SiC MOSFET短路、浪涌大电流可靠性以及阈值电压稳定性的实验与理论研究，较系统地探索了器件在极端电应力和高速开关过程中的物理行为和失效机制，揭示了影响器件可靠 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2I9ULJ28y7W98MwLIR1csA 超声波SAT作为一种快速无损的检测方式，在功率半导体的无损检测中有着广泛的应用。经常用来检测材料的内部缺陷空洞，连接层的界面分层等，但是在实际使用中SAT的分析很难有肯定的判断，很多情况下只能用来做参考。或者是某个范围的分层，莫名 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wRAzqao-nNsDH8uFjvuPBA 超声波SAT作为一种快速无损的检测方式，在功率半导体的无损检测中有着广泛的应用。经常用来检测材料的内部缺陷空洞，连接层的界面分层等，但是在实际使用中SAT的分析很难有肯定的判断，很多情况下只能用来做参考。或者是某个范围的分层，莫名 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/11rSIP55XnS8ipbZScnyzw IGBT器件中主要静态参数及测试方法 这篇简要介绍一下实际工程中需要监控IGBT芯片的静态参数，来评估流片工艺的稳定性或者和自己仿真中的差异。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EHPodCq6O9lsbyuyOxlpwQ 功率二极管基本类型 包括PIN、SBD、JBS、MPS、SBR、TMBS和Qspeed SBDs

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XDNPFEro4zFQk-S--NgLFQ 文献解读——条形、方形和六角元胞SiC MOSFET的UIS能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/moIi-TUVEArkVKNW_Ab9xA SiC 器件的双极退化 SiC MOSFET或SiC 二极管存在一种称为双极退化的退化模式，这是因为正向电流持续流过体二极管时，电子-空穴对的复合能量使得堆垛层错的缺陷扩大，直至影响到电流路径，使得器件导通电阻和体二极管的VFSD上升的现象。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eGKggJpRjE17Smk4aCpr5Q SiC MOSFET的加速DRB可靠性测试 利用无负载条件下的自加热现象，区分可恢复退化、永久性退化

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3KTYspAzqnWsaI7C-CDC2A 表面电场对PN结特性的影响：反向漏电 前文：中描述了表面电场下PN结的表面状态和能带，本文则分析表面电场作用下，PN结的反向电流如何变化。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6iM7hIl7Mg2R51uiz5ucSg 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET短路保护方案 DESAT（Desaturation fault detection，退饱和故障检测）和SenseFET（电流感测）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QwqPbuYZJKUPIW1mKCwjbw 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET与Si IGBT对比 SiC MOSFET主要应用于600 V ~ 3.3 kV范围，用于替代Si基IGBT

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cyqAs1v2dezJ3EsqBis3yg 最近几周都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上人工智能AI大芯片发展的大车。2023年笔记关于12寸碳化硅基板的提示:几周前聊到台积电，英特尔等公司团队在探索采用越来越便宜越来越大的碳化硅衬底晶圆作为INTERPOSER基板，以 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lBLufZueeUyGghJK5KN0dg 揭密：Wolfspeed重组后仍然前路漫漫，解密国产碳化硅行业乱象及如何突围？【推荐】 揭密：Wolfspeed重组后仍然前路漫漫，解密国产碳化硅行业乱象及如何突围？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tNMcCb_QMgVxEjpH7WHUJA 来自电子科大的研究：具有场环结构的横向SiC基IGBT及其注入增强效应的影响

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NzDl80bYZUMDNSw5c0fWHA 基于栅极振荡电流的SiC  MOSFET栅氧老化监测及并联失效预警 本文通过实验验证了该参数可实现并联SiC MOSFET器件老化不均流问题的在线检测，对后续并联电路参数设计、并联驱动电路设计、在线状态检测等具有一定的参考价值。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JrfpWdMN_Lld4RNI2LRzdQ 有朋友问二堡碳化硅多级沟槽超结构造的沟槽里填的是啥 ——一种神秘的含有P型氧化物颗粒的介质材料。IFWS2025多级沟槽超结POSTER展示:还有朋友问这个多级沟槽能不能刻蚀的更精细点?更高深宽比?当然没问题，咱们这次只是个概念验证DEMO，刻蚀 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XkVdpAAt7xc_7x2iAL8h3Q SiC MOSFET过渡区UIS失效机理 从栅氧局部损伤，到栅氧/场氧交界处的明显裂纹，再到器件烧毁

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZAABGIhyfvXoJc8o4m3cHw 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET电阻成分分析 通过影响沟道电阻和漂移区电阻的占比，影响器件电阻的温度系数