功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/94iEVNT77ZGWDK5Y2viqIw 新型单级双向三相AC-DC固态变压器（SST） 本文提出单级三相中压-低压直流SST，采用Q2L-MMC原边（7单元/臂）和标准三相整流副边，仅需单个MFT，储能仅传统MMC的1/30。DAB式移相控制实现双向功率调节与正弦电网电流。1MW/10kV/800V仿真显示效 ...

功率器件可靠性重磅解读｜0.13μm BCD工艺CFP-LDMOS热载流子退化机理 https://mp.weixin.qq.com/s/0sNMU33Pcf9lm4izrou2-g

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SA5aI2duWRB6R8JcYyzz5Q 展位号N5.671

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OMitiHZY0UHB93gZLr4zUg 进入奔驰供应链！广东芯聚能半导体到底有多强？ 作为国内较早实现车规级SiC主驱模块量产的企业，芯聚能已经站在这一产业浪潮的前沿。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AxzgRz8cBCQQWj1wdTGiug 太空纪元即将到来。面向未来十年商业航天/太空算力2035的高压>1200V大功率碳化硅抗辐照MOSFET器件及特种航空电源，是未来的蓝海市场。按照过去三四十多年硅基功率单管的发展趋势历程，单管器件会不断迭代升级，从平面走向沟槽，从沟槽走向超 ...

300亿级项目涌向武汉，Micro-LED产业“C位”可能要换人 https://mp.weixin.qq.com/s/xGUwJsWppTSawdoynZgr6A 最近武汉半导体项目有点多。52亿12英寸GaN项目、30亿Micro-LED合资项目、15亿8寸MicroLED产线……都在往武汉光谷落。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/K2qj-4LoJS6UH5jiF1bWDg 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（12）- 超越标准的可靠性测试 分立器件和模块都要按标准做常规测试，包括HTRB、H3TRB、HTGS，这些是技术放行的必须步骤。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4NLb-yqc7bczHeglxXEEJQ SST固态变压器：原理、拓扑与碳化硅器件选型指南 SST固态变压器：原理、拓扑与碳化硅器件选型指南

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PjsX5_hGdVVeIkRnbOd7kg Vth漂移对SiC MOSFET第三象限特性的影响 部分商用SiC MOSFET，即使施加-5V栅源电压，三象限沟道仍无法完全关断

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/70CUdLhBaHmT5fvlaRwfBw 沟槽栅功率MOSFET反向恢复优化的三种方案 包括外接SBD、器件内部集成SBD，以及伪肖特基效应

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TvvnIA_Myd4lyyLbpmHyxw GaN 上的 SiN 与 Al2O3：介质选择与界面形成 GaN（氮化镓）功率器件的栅介质，几乎都建立在沉积形成的界面上。Si 有热生长的 SiO2，SiC 也能靠氧化加退火得到可用界面，GaN 偏偏没有这样一层可用的天然氧化物。这篇要回答两层问题。第一层，G ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4RL70hBplGoA4g9xRmpWsw 面向AI数据中心的99%+效率三相AC-DC电源技术 本文基于SiC MOSFET，结合有源滤波与高频开关，提出准单级、单级隔离及矩阵型三种三相AC-DC方案，效率均超99%。矩阵型8kW样机达98.9%效率、4kW/dm³功率密度，未来结合1200V GaN双向开关可再优 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7wWdYt4ZIU6iOEn1ZzRQMw 太空纪元即将到来。面向未来十年商业航天/太空算力2035的高压>1200V大功率碳化硅抗辐照MOSFET器件及特种航空电源，是未来的蓝海市场。核心技术难点是，增强单粒子抗辐照特性，特别是SEB加固。未来十年，太空算力特种电源和航空特种电源都在规 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PtU4mXoM5P5cCSF1eMr2Xg 大功率推进变频器应用于破冰船时，对功耗和温升情况计算要求更为精确。本文分析了中点钳位型（NPC）三电平变频器功率器件的开关规律，得到功率器件的损耗计算方法。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/M4wSOVqVZYIdETVUURfZLw JFET宽度对沟槽栅SiC MOSFET短路能力之影响 制备两款沟道结构相同、JFET区设计不同的沟槽栅SiC MOSFET器件A和B，对比短路能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xbkq6koh-usWWBWF3ogIQQ 浙大盛况/王珩宇课题组：3.3kV级SiC超结二极管的双极特性 本文采用沟槽刻蚀和外延再生长工艺制备得到3.3kV级SiC SJ的PiN二极管，通过I-V曲线测试和C-V曲线测试分析器件不完全电离原理，并进行了双脉冲实验对器件的反向恢复特性研究。此外还 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cLdRcvlXHUDuubqQvhsRTw 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（11）- SiC体二极管双极退化 双极退化效应可能出现在任何SiC器件的双极运行模式下，比如MOSFET的体二极管导通电流时。这个效应的"罪魁祸首"是SiC中原本就存在的基平面位错 (BPD)。 ...