功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_4_jEg8sQo7yaiiNWeJyDA 这几天有老师👩‍🏫们在给十一月份厦门的IFWS2025会议审稿，看见二堡团队青年研究员们投稿的碳化硅多级沟槽器件idea DEMO的稿件了，于是问我这个技术方案适不适合规模量产，未来会不会被英飞凌碳化硅超结以及日本🇯🇵Rohm采用，有没有专利问 ...

功率半导体(Power Semiconductor)-1 碳化硅功率器件制造 （上） https://mp.weixin.qq.com/s/Og2cSH-s9yw7fgzVhnXF7A 多项成熟的硅（Si）工艺已成功转移至SiC，然而，SiC材料特性要求开发特定工艺，其参数必须经过优化和验证

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-4Jxr6cWMykPhPvfEkh7Jw 四种非常规SiC MOSFET可靠性实验 四种针对SiC MOSFET的非常规可靠性试验

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FNgPnZ6WOnWkedIyao8Zzg 温度对IGBT静态特性的影响 IGBT器件的通态特性和阻断特性和工作温度由很大关系，不同结构的IGBT静态特性随温度的变化也不相同。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/O6NjexxHBrPyA4O6oTeSMQ 万伏SiC MOSFET制备 高击穿电压（13 kV）、低导通电阻（175 mΩ）的SiC MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GrgfgVXYXh2B12ND70GfHg 文献解读——四种商用SiC MOSFET器件UIS能力对比 大家好，我是晏小北，懂点经济的理工男。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XNqtlA3xKm5AgjW-cprIIQ SiC器件之质量筛选 SiC器件可靠性筛选不同于Si器件的底层逻辑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9pDsdcwOlP1TOZ8plI4wLg 这几天和几个前沿科技大公司的朋友们聊了聊天。有个感受，前沿科技公司和研究团队最重要的事情可能是判断技术方向和提出真正的技术问题。最怕的可能是提不出真问题，或花了几年时间研究了个假技术问题和错误的方向。例如最近英特尔突然撤出， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2ZzifoymxcQ4uiEYFyeR-w SiC超结MOSFET之反向恢复特性 采用多次外延+多次注入路线，制备1.2kV SiC SJ MOSFET，研究其高温特性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/32OjQrKCsAkFVO8EupE55A 文献解读——接地双掩埋SiC TMOS的UIS特性 大家好，我是晏小北，懂点经济的理工男~

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UrmFN4uCmLd9R1FAvVRlSw 表面电场对PN结特性的影响：能带 因PN结在外加电压下处于非平衡状态，因对表面空间电荷区在不同表面电场下表现不同，故表面电场对PN结特性的影响都会体现在电场分布、载流子输运、击穿特性等。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sZo-OHce7DjM4gYQADESTA 特色功能芯片有哪些？揭秘IGBT、BCD与特色功能芯片的未来之路 如果把数字芯片比作“芯片产业的明星”，那么特色功能芯片就是“产业的脊梁”。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_UVCT4mg4EzZIJ63qJ2cHQ 来自三菱电机对功率器件钝化层的设计的研究：SiC器件终端区域钝化层设计对HV-H3TRB的影响 这篇文章来自ISPSD 2025中三菱电机的报道SiC器件终端区域的钝化层显著影响了器件对湿度的可靠性，在这篇 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DdEsrup4Y3Cj_NYRlqG9bA 6.5kV SiC超结MOSFET制备 制备6.5kV SiC SJ MOSFET，证明沟槽回填路线可行性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eryg_EiMaCbxYmkGMBsOBw 文献解读——5.1kV SiC超结MOSFET 利用超高能量注入（20 MeV），在器件纵深方向，制备超结结构

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/q1GAvhzbFO0jF9nhWkcyqA 突破天际！爱仕特MEK6模块获颁“低空市场开拓先锋奖” 聚焦eVTOL，高压碳化硅技术攻克航空电调轻量化瓶颈

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wuHRIH3OQyNq7i1I7ClJzg 从分立器件到集成电路 打开里屋的钥匙，是集成电路

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zfEIPwSmSp_cweN_iNlBUQ 5000字长文——SiC与GaN器件之全面对比 对SiC、GaN器件，做一全面对比，包括材料、器件、性能、应用四大板块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6fPO2wbBxJOuN5wiQEiaog 高dV/dt工况，SiC MOSFET的终端可靠性 研究高dV/dt条件下，SiC MOSFET的终端可靠性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AV-F1_ikK7k-y-Ww91fHsg IGBT的静态特性：阻断特性解读 IGBT的正向阻断就是，当IGBT的集电极-发射极之间加正向电压时，即VCE>0，IGBT处于正向工作状态。当栅压-发射极间电压VGE