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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JdAvHhI8nmq4-eO0Ru4quw Si基IGBT三大类型 按照时间顺序，从PT-IGBT，到NPT-IGBT，到FS-IGBT，终至SJ-IGBT

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TEEA6RupD0NOresCyeeUUg 文献解读——SiC TMOS器件重复脉冲UIS失效机制 研究了两种主流沟槽型SiC MOSFET的重复脉冲UIS失效机制

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GIRHzgkb44N4GI5_xXaaBA 工艺对热载流子注入的影响 工艺技术对热载流子注入效应的影响是全方位的，从栅氧质量到掺杂分布，每一步都可能成为抑制或加剧HCI的关键因素。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CZ8IGcrDAVM6WRyM3zt_gA 基于面向BIPV结构的SiC MOSFET高性能DC-DC变换器研究 本文提出了采用LLC拓扑电路，可以实现主开关管零电压开通，变压器副边二极管零电流关断，验证了LLC拓扑作为BIPV的DC-DC变换器核心电路的可行性。对比Si器件和SiC器件应用在LLC谐振变换 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9lAPuV7ZzEwTnSXNb4hfPw 昨天聊到碳化硅MOSFET已经"卷"上了手机📱快充头，扩展了新的百亿级市场。这种类型的应用，只需要650V 5-10A超小MOS管芯，有个技术问题是一个六寸片单片的划片道加起来好几米，费刀发热，划片容易有隐形裂纹。英飞凌最近提出来一个解决方案， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/f-agW0RbECi6GvDLDRhK8g SiC超结SBD终端设计 提出三种终端结构，ET、ET-FRR、ET-FRR-JTE

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/09Keal6FsQsCavF2WDncIw 文献解读——GaN单片集成&功率器件结构本质 功率器件的本质，是顶部并联的元胞 + 底部串联的漂移区和衬底

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Y9bX5TL7FDY8txSQuV1N-g 基于3300V SiC MOSFET Marx脉冲发生器陡前沿优化研究 实验结果表明，四路隔离驱动信号实现了纳秒级同步，且改良后的Marx 脉冲发生器仅需4级便可输出幅值为5.2kV，上升时间25 ns的脉冲电压。由于所选用的器件固有上升时间为21 ns，因此可得 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VKrFyyzd5dVP8Yt9WNQ_zw 最近几周都在思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事碳化硅衬底片这两三年每年降价30%以上，最近买片子，接近2000一片了。预计明年大家伙儿产能大释放，1500一片以下有可能。当碳化硅衬底片降到2000，神奇的事情就要发生了!碳化硅功率器件的故事， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JSspEGdMGffkusKHeNxIYg 英伟达800V高压直流架构来袭，2027年重塑AI数据中心电力格局，第三代半导体将在其中扮演重要角色... 面对AI计算需求的爆炸式增长，传统数据中心电力系统已面临瓶颈，一场电力革命正悄然到来，第三代半导体将在其中扮演重要角色... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fXEtFCZYR3ZPfIpXLULD-w 来自复旦大学的研究：SiC MOSFET开关中的高dV/dt和一种新型主结结构设计 此篇来自复旦大学雷光寅老师课题组的研究报道此篇研究主要针对SiC MOSFET在高dV/dt开关下的失效机理和 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9IG1DW5wVcEdQhypm5MM1g 第467期|不随大流，深耕细分赛道的华羿微电如何用中低压MOS筑牢汽车芯片竞争力 车规功率器件：智能汽车能量管理的“隐形心脏”，藏着怎样的核心逻辑？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fikz0lI0StixGICgdQNq7g 英飞凌第二代HybridPACK™ Drive 扩展结温至200℃，以提升电动车加速性能 目前英飞凌提供的最新HybridPACK™ Drive Gen2 SiC MOSFET都允许达到200℃，也是业界第一个标注在规格书中的最高结温。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kTVPhLE_1RZ3S-1FYHxZgQ 宽禁带半导体在汽车电子中的应用研究 本文结合特斯拉、比亚迪等，分析WBG在牵引逆变器、车载充电器（OBC）等场景的应用优势，量化其能效提升、体积缩小及续航延长的核心价值；针对衬底成本高、热管理复杂及国产化率低等瓶颈，提出通过衬底 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/p3hQBAcmfZn4YaZCI8ZD5Q 最近几周都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上人工智能大爆发下一代AI供电系统发展的大车。前些天聊到台积电，英特尔等公司团队在探索采用越来越便宜越来越大的碳化硅衬底晶圆作为INTERPOSER基板，以实现下一代AI大芯片产品 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ws9MEmCcPZ8B2JCNapZ3Lg 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET桥式电路保护方案 钳位二极管、栅源电容，以及有源钳位MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NUHRx2s8iQLuPqyQB7AnAA 罗姆SiC器件应用笔记——SiC材料特性 学习《ROHM SiC器件应用笔记》

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/T_JcGJ-orhn-FYEQeZWXNg 高环境温度高功率密度SiC电机驱动控制器设计与实现 本文开发了适用于105℃环境温度的SiC控制器,峰值功率达到127kW,功率密度达到47.8kW/L,常温最高效率达到99.85%,在全工作区域范围通过了GB/T18655等级3的电磁兼容标准。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I992g4LPPpy-DyvhzfWBhQ 最近几周都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上人工智能大爆发下一代AI供电系统发展的大车。前段时间随便聊了下12寸碳化硅基板应用于光电融合集成和垂直供电集成技术发展的探索。很多朋友在下面留言，说二堡你又瞎扯蛋… 刚 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xMbpJmFsquyH1zLud8tX5g 深度解析：IGBT为什么不需要负压关断，英飞凌SiC MOS怎样做到不需要负压？ IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）在关断驱动策略上的差异，根源在于它们结构、工作原理和材料特性的本质不同... .. ...